IBM ו AMD מדווחות על התקדמות בתהליך יצור חדשני ל 45nm

[bla7]

^^^^^

גרמניום אולי שמעת בהקשר של מה שאמור להחליף את ה-FLASH.

[rk666]

האמת שבכל מה שקשור לטרנזיסטורים.

[LiorP23]

ליאור, ברגע שאתה כותב משפט כמו "המגבלה הפיזית הנוכחית" אז הוא נכון לעכשיו כמובן.

כרגע זאת המגבלה. אבל עובדים על זה שהיא לא תהיה מגבלה וניתן יהיה להמשיך הלאה.

תקן אותי אם לא הבנתי אותך נכון.

כמובן שכל הזמן עובדים על זה

אבל נכון לעכשיו המינימום האפשרי (בניסויים, לא על הנייר) הוא 32nm

יש לי שאלה.

למה כאשר אינטל עוברת ל-90 ננו, אז גם AMD עוברת ל-90?, כאילו שהם לא יכולים לעשות תהליך יצור בגודל אחר, למשל 80 ננו?

כלומר, למה הגדלים האלו קבועים ומוסכמים על כולם? למה ש-AMD לא תייצר ב-40 ננו מטר?

א. עניין של מיכשור (לא משתלם להמציא את הגלגל, עדיף להיצמד לתקנים, או להמציא אותם)

ב. עניין של ידע ונסיון

ג. זה קירוב, 90 נ"מ נשמע יותר טוב מ-88 נ"מ או מ-93 נ"מ

[Sifo Jen]

שמעתי שרוצים לעבור מסיליקון לגרמניום או חומר מוליך למחצה בעל גאפ אחר לא?

גרמניום בשימוש היום של מעבדים, הבעיה שתהליך הליכלוך שלו, כדי להביא אותו למצב שיקשר לחמצן ויכל לשמש בתור דיודה בסיסית הוא מאוד יקר לכן רואים אותו רק במעבדים עיסקיים, IBM בזמנו עשו מעבד רעיוני שלו שרץ ב500GHZ על קירור אויר.

אבל עדיין רחוק מאפליקציות ביתיות.

מעבר לזה יש הרבה מקומות אחרים והרבה תחליפים אחרים לסיליקון שכנראה יתפסו את השוק הרבה לפני שנראה ליטוגרפיות של 0.016

[GREATTHUNDER]

אי אפשר לקרוא את הפוסט הזה כי KING פולט כזו כמות של שטויות שזה לא יאומן, אי אפשר לתת איזה באן על טיפשות יתר?

[yanivsk]

העתיד כבר כאן

With a frequency of 845 gigahertz, their latest device is approximately 300 gigahertz faster than transistors built by other research groups, and approaches the goal of a terahertz device.

מהיר יותר...

In addition to using pseudomorphic material construction, the researchers also refined their fabrication process to produce tinier transistor components. For example, the transistors base is only 12.5 nanometers thick (a nanometer is one billionth of a meter, or about 10,000 times smaller than the width of a human hair).

:-X 12.5 NM

קטן יותר

טוב הגזמתי אוליי ניראה את זה עוד 10 שנים.

מקור:

http://www.news.uiuc.edu/news/06/1211transistor.html

[yonatanph]

כמובן שכל הזמן עובדים על זה

אבל נכון לעכשיו המינימום האפשרי (בניסויים, לא על הנייר) הוא 32nm

אפשר לדעת מאיפה אתה מביא את המידע הזה?

[LiorP23]

בזמנו IBM פירסמה בערך בכל מקום אפשרי שהם הצליחו לפתח טכנולוגיה למזער ל-32nm

[yonatanph]

בזמנו IBM פירסמה בערך בכל מקום אפשרי שהם הצליחו לפתח טכנולוגיה למזער ל-32nm

אוקיי זה מה שחשבתי.

הנתון הזה -בלי להמעיט מערכו - הוא לא בדיוק הנתון הכי חשוב, מכמה סיבות.

למרות שIBM היא אחת השחקניות הכי חזקות בתחום היא לא היחידה, ובד"כ מדובר בתהליכים שלא מפרסמים אותם (ריגול תעשייתי וכו') ככה שיכול להיות (וכנראה יש) תהליכים למימדים יותר קטנים, אבל הם כנראה עדיין לא בשלים לייצור מחוץ לתנאי מעבדה ספצפיים.

הסיבה היותר חשובה היא שכיום מנסים להתקדם בכיוונים אחרים מאשר מזעור, הרי הסיבה שרוצים למזער היא בכדי לשפר את פעולת הטרנזיסטור. כבר הזכירו פה גרמניום, אז אומנם לא גרמניום אבל כיום מנסים לפתח שימוש בחומרים אחרים חוץ מסיליקון בשביל המצע (למשל גליום ארסנייד ואני חושב שבודקים גם חומרים אחרים), וכיוון נוסף שכיום נראה מבטיח יותר הוא שימוש בחומרים אחרים למבודד (תחמוצת הסיליקון) שתהיה בעלת מקדם דיאלקטרי יותר טוב (כרגע מדברים על חומרים בעל מקדם פי חמישה יותר טוב - כלומר שווה ערך מבחינת שיפור ביצועים להקטנת המימד המינימלי פי חמישה).

הנקודה שלי היא שכרגע התחום הוא בשלב רגיש - כמעט מיצו את אפשרות המזעור (למרות שכבר היו בטוחים בעבר שהגיעו לגבול המזעור ובסוף הצליחו למצוא פריצת דרך שאיפשרה להמשיך למזער) וכרגע מנסים לפתח כמה כיוונים חלופיים למיזעור. מן הסתם המטרה היא לא למזער למען המזעור בלבד אלה למען שיפור ביצועים.

הסיבה שהמזעור היה הדרך המועדפת עד כה היא שמבלבד שיפור הביצועים הוא גם איפשר להכניס יותר טרנזיסטורים באותו שטח סיליקון ולהקטין הספק (וחום) באותו זמן. אבל אסור לשכוח שישנם דרכים אחרות לבצע שיפורים בטרנזיסטורים.

דברים נוספים שבודקים: מעבר חזרה לטכנולוגיית בי פולריות בתחומים מסויימים - כבר עושים את זה כיום ברכיבים שעובדים בתדרים גבוהים מאוד.,מעבר חזרה לשימוש בשער ממתכת - מסבך את תהליך הייצור מאוד אבל משפר את המוליכות ופותר את בעיית מחסור השער וכו'

[yanivsk]

אוקיי זה מה שחשבתי.

הנתון הזה -בלי להמעיט מערכו - הוא לא בדיוק הנתון הכי חשוב, מכמה סיבות.

למרות שIBM היא אחת השחקניות הכי חזקות בתחום היא לא היחידה, ובד"כ מדובר בתהליכים שלא מפרסמים אותם (ריגול תעשייתי וכו') ככה שיכול להיות (וכנראה יש) תהליכים למימדים יותר קטנים, אבל הם כנראה עדיין לא בשלים לייצור מחוץ לתנאי מעבדה ספצפיים.

הסיבה היותר חשובה היא שכיום מנסים להתקדם בכיוונים אחרים מאשר מזעור, הרי הסיבה שרוצים למזער היא בכדי לשפר את פעולת הטרנזיסטור. כבר הזכירו פה גרמניום, אז אומנם לא גרמניום אבל כיום מנסים לפתח שימוש בחומרים אחרים חוץ מסיליקון בשביל המצע (למשל גליום ארסנייד ואני חושב שבודקים גם חומרים אחרים), וכיוון נוסף שכיום נראה מבטיח יותר הוא שימוש בחומרים אחרים למבודד (תחמוצת הסיליקון) שתהיה בעלת מקדם דיאלקטרי יותר טוב (כרגע מדברים על חומרים בעל מקדם פי חמישה יותר טוב - כלומר שווה ערך מבחינת שיפור ביצועים להקטנת המימד המינימלי פי חמישה).

הנקודה שלי היא שכרגע התחום הוא בשלב רגיש - כמעט מיצו את אפשרות המזעור (למרות שכבר היו בטוחים בעבר שהגיעו לגבול המזעור ובסוף הצליחו למצוא פריצת דרך שאיפשרה להמשיך למזער) וכרגע מנסים לפתח כמה כיוונים חלופיים למיזעור. מן הסתם המטרה היא לא למזער למען המזעור בלבד אלה למען שיפור ביצועים.

הסיבה שהמזעור היה הדרך המועדפת עד כה היא שמבלבד שיפור הביצועים הוא גם איפשר להכניס יותר טרנזיסטורים באותו שטח סיליקון ולהקטין הספק (וחום) באותו זמן. אבל אסור לשכוח שישנם דרכים אחרות לבצע שיפורים בטרנזיסטורים.

דברים נוספים שבודקים: מעבר חזרה לטכנולוגיית בי פולריות בתחומים מסויימים - כבר עושים את זה כיום ברכיבים שעובדים בתדרים גבוהים מאוד.,מעבר חזרה לשימוש בשער ממתכת - מסבך את תהליך הייצור מאוד אבל משפר את המוליכות ופותר את בעיית מחסור השער וכו'

תביט שתי הודעות מעליך יש שם קישור לפריצת הדרך שאתה מדבר עליה.

ומדברים שמה על 12.5 nm

[yonatanph]

לא צריך לצטט 30 שורות כדי להוסיף 2

אם תקרא את הכתבה אתה תראה שאת "פריצת הדרך" הם השיגו בשימוש בחומרים שונים למצע ושיטת סימום שונה. לגבי המזעור לא הזכירו ולא במילה איך הם עשו זאת ולכן לא מובטח שהם השיגו פריצת דרך בתחום הזה בכלל.

הבעיות במזעור הם רבות - החל מפריצה של התחמוצת לצורותיה ועד יצירת שער הטרנזיסטור (שמתחיל לקבל צורה של חוט יותר מאשר בלוק). חלק מהמגבלות האלו קשורות לתכונות של הסיליקון, לכן עצם זה שהם עברו לחומרים אחרים נותנים להם דרך לעקוף חלק מהבעיות (ובטח יוצרות בעיות חדשות). הנקודה היא שכל עוד לא מדובר בסיליקון המזעור שלהם הוא לא בהכרח פריצת דרך. זה פשוט דוגמא נוספת למה שאמרתי שמתחילים לחפש פתרונות בכיוונים חדשים ולאו דווקא במזעור הסיליקון כפי שנעשה עד היום (בערך).

הנושא הזה ממש לא פשוט ונערכים כלכך הרבה מחקרים ועבודות בתחום שקשה להדיוט לדעת מה קורה בכל זמן נתון, ולמען האמת גם הידע שלי בתחום הזה הוא ממש בסיסי (יחסית). ההבדל ביני לבין מישהו שאין לו מושג בתחום הוא שאני מבין יותר טוב עד כמה אני לא יודע מה קורה בתחום

[shlomom]

זה לא משנה באיזה טכנולוגיה משתמשים ובאיזה חומרים. כלומר - זה מאוד משנה ומעניין ובכלל שווה לפתוח על זה דיון בנפרד אבל לא קשור לענין הראשי.

מה שיותר חשוב זה שמצליחים להמשיך במגמה של דחיסת יותר רכיבים בשטח נתון תוך הורדת ההספק. זאת הנקודה שצריכה לעניין את הקהל הרחב.

אם המעבד בנוי מסליקון מתוח, מגרמניום או מכל חומר אחר שתרצה זה הרבה פחות חשוב למשתמש.

ולכן כל פריצת דרך בתחום שמשפרת את המוצר (סיליקון או לא) היא אכן פריצת דרך וחדשה טובה.

[LiorP23]

אוקיי זה מה שחשבתי.

הנתון הזה -בלי להמעיט מערכו - הוא לא בדיוק הנתון הכי חשוב, מכמה סיבות.

למרות שIBM היא אחת השחקניות הכי חזקות בתחום היא לא היחידה, ובד"כ מדובר בתהליכים שלא מפרסמים אותם (ריגול תעשייתי וכו') ככה שיכול להיות (וכנראה יש) תהליכים למימדים יותר קטנים, אבל הם כנראה עדיין לא בשלים לייצור מחוץ לתנאי מעבדה ספצפיים.

הסיבה היותר חשובה היא שכיום מנסים להתקדם בכיוונים אחרים מאשר מזעור, הרי הסיבה שרוצים למזער היא בכדי לשפר את פעולת הטרנזיסטור. כבר הזכירו פה גרמניום, אז אומנם לא גרמניום אבל כיום מנסים לפתח שימוש בחומרים אחרים חוץ מסיליקון בשביל המצע (למשל גליום ארסנייד ואני חושב שבודקים גם חומרים אחרים), וכיוון נוסף שכיום נראה מבטיח יותר הוא שימוש בחומרים אחרים למבודד (תחמוצת הסיליקון) שתהיה בעלת מקדם דיאלקטרי יותר טוב (כרגע מדברים על חומרים בעל מקדם פי חמישה יותר טוב - כלומר שווה ערך מבחינת שיפור ביצועים להקטנת המימד המינימלי פי חמישה).

הנקודה שלי היא שכרגע התחום הוא בשלב רגיש - כמעט מיצו את אפשרות המזעור (למרות שכבר היו בטוחים בעבר שהגיעו לגבול המזעור ובסוף הצליחו למצוא פריצת דרך שאיפשרה להמשיך למזער) וכרגע מנסים לפתח כמה כיוונים חלופיים למיזעור. מן הסתם המטרה היא לא למזער למען המזעור בלבד אלה למען שיפור ביצועים.

הסיבה שהמזעור היה הדרך המועדפת עד כה היא שמבלבד שיפור הביצועים הוא גם איפשר להכניס יותר טרנזיסטורים באותו שטח סיליקון ולהקטין הספק (וחום) באותו זמן. אבל אסור לשכוח שישנם דרכים אחרות לבצע שיפורים בטרנזיסטורים.

דברים נוספים שבודקים: מעבר חזרה לטכנולוגיית בי פולריות בתחומים מסויימים - כבר עושים את זה כיום ברכיבים שעובדים בתדרים גבוהים מאוד.,מעבר חזרה לשימוש בשער ממתכת - מסבך את תהליך הייצור מאוד אבל משפר את המוליכות ופותר את בעיית מחסור השער וכו'

IBM לא בדיוק שחקנית ענקית בתחום ייצור המעבדים

הם עושים הרבה מאוד כסף ממכירת הטכנולוגיות האלה לאינטל ול-AMD

ככה שמאוד משתלם להם לדווח על הצלחה של כל מיזעור

זה אומר כנראה עוד מכירת טכנולוגיה לאינטל \ AMD, וזה איתות למשקיעים שכדאי להשקיע ב-IBM

[free fraek]

אני לא מבין ככל שזה יותר קטן זה יותר טוב?או שההבדל הוא רק בצריכת ההספק?

דרך אגב לא ראיתי ממש שיפור משמעותי עם המזעורים האלה..

עוד משהו לא קשור--למה ATI לא ממזערים את השבבים של כרטיסי המסך הרי הם עובדים כעת עם AMD ..

[sirexrv]

אוקיי זה מה שחשבתי.

הנתון הזה .....

דברים נוספים שבודקים: מעבר חזרה לטכנולוגיית בי פולריות בתחומים מסויימים - כבר עושים את זה כיום ברכיבים שעובדים בתדרים גבוהים מאוד.,מעבר חזרה לשימוש בשער ממתכת - מסבך את תהליך הייצור מאוד אבל משפר את המוליכות ופותר את בעיית מחסור השער וכו'

אל תשכח שיטות עיבוד אחרות כמו מחשב קוונטים (אומנם עדיין יעבור זמן )