E4400.. לכמה מתח לשנות במהירויות שונות..

עד מהירות 3.5GHZ.. באיזה שלבים בערךךך יהיה צריך להעלות מתח ובכמה כל פעם.. כל פעם שיש העלאת מתח נא לרשום.. (בערך)

(צריך את המידע לחישוב כמות החשמל שהמעבד יצרוך לאחר הOC..)

יש מדריך באתר...וביקורת..

http://hwzone.co.il/guides/oc_cpu/

http://hwzone.co.il/reviews/e4300/

מעבר לזה יש לך מחשבונים שונים לחישוב תיאורטי של הצריכה..

http://www.extreme.outervision.com/index.jsp

יש מדריך באתר...וביקורת..

עיינתי עכשיו בהם.. אבל זה לא מה שאני מחפש..

אני צריך לדעת בכל שלב שמעלים את המתח לכמה העלו ובאיזה מהירות העלו.. מישהו שעשה OC לE4400 זוכר ויודע בערך באיזה שלב העלה ולכמה..?

ואגב כל הכבוד על העזרה בפורום..!!! כבר 11000 הודעות..=]

זה תלוי מאוד במעבד הספציפי ובלוח (יש VDROP וכמה). כמו כן, ב 3.5 גיגה סביר מאוד להניח שתהיה כבר בתחום טמפרטורות לא בריא בגלל המתח ובגלל המהירות.

יש VDROP וכמה

מזה אומר?

מאוד להניח שתהיה כבר בתחום טמפרטורות לא בריא בגלל המתח ובגלל המהירות.

הבנתי שבE4X00 יש מין FSB WALL בסביבות ה3.0 -3.5 .. זה בגלל שבשונה מסדרת הE6X00 צריך להעלות בו יותר מתחים.. או שהטמפרטורה בו יותר גבוה? או שזה מסיבה אחרת..?

ה-FSB WALL נגרם מכמה סיבות. אחת הסיבות היא ה-Strap(חיפוש בפורום יניב לך הסבר על העניין), והשנייה היא מתח שנקרא GTL-REF. יותר מידע על זה אתה תוכל למצוא בביקורת של הסטרייקר והקומנדו(בסדרת ה-E4XXX ישנם אלמנטים הדומים למרובעי הליבה).

VDROOP = ההפרש בין המתח שסיפקת בביוס למתח האמיתי שהמעבד מקבל. המתח האמיתית תמיד נמוך משמעותית(למשל 1.5V מניב למעשה בערך 1.4V. זה משתנה מלוח ללוח).

אוקיי.. אני יחפש מידע על הדברים שאמרת..

אז אם לסדרת הE4X00 יש את 2 הבעיות האלה בOC..

אז יש עדיפות של E4400 על הE4300.. או ששניהם בערך באותו מהירות מעבד יעצרו..?

כאילו 2 הבעיות שאמרת נגרמות רק בבאס 350 למשל.. ואז הE4400 יגיע ליותר רחוק..

או שזה לא קשור לבאס זה פשוט הליבה שלהם לא תעבור.. ולכן אין עדיפות על E4400 בכלל..

מקווה שהבנת את השאלה..