שיפורים משמעותיים ברמת הטרנזיסטור ב 45 ננו מטר של אינטל/IBM (ולכן גם AMD). - מעבדים, לוחות-אם וזכרונות - HWzone פורומים
עבור לתוכן
  • צור חשבון

שיפורים משמעותיים ברמת הטרנזיסטור ב 45 ננו מטר של אינטל/IBM (ולכן גם AMD).


farcry

Recommended Posts

חומרים חדשים שמספקים בסופו של דבר טרנזיסטור קטן יותר, ביצועים טובים

יותר, צריכת חשמל נמוכה יותר בהפעלת הטרנזיסטור, 20% מהר יותר, זליגת

חשמל קטנה יותר מהחלקים השונים.

http://www.theinquirer.net/default.aspx?article=37253

וידיעה דומה לגבי ה 45 ננו מטר של AMD-IBM ועד כמה חברות (Sony, Toshiba)

http://www.dailytech.com/article.aspx?newsid=5885

בקיצור, אתגרי הייצור ב 45 ננו מטר משותפים לכל מי שרוצה לייצר ב ... 45 ננו מטר.

קישור לתוכן
שתף באתרים אחרים

  • תגובות 37
  • נוצר
  • תגובה אחרונה

מי היה מאמין שכל זה התחיל בהמצאה קטנה, שכללה קליפס משרדי...

:)

עריכה:

http://www.rpi.edu/~schubert/Educational%20resources/1947%20First%20point%20contact%20transistor-1.jpg

הטרנסיטור הראשון..

: ) כמה כאלה יש במעבד אחד?

קישור לתוכן
שתף באתרים אחרים

מעניין איך ה"פיתרון המודבק" הזה יאכל את ה-K8L? :-\

אני מקווה ש- יפתיעו לטובה, אחרת, בקצב הזה, אינטל יחזרו להיות מונופול מוחלט והמעבדים יחזרו להיות תקועים טכנולוגית...

ויקרים פנטסטית.

כמו כן, זה מעבד עתידי, ולא נראה לי, כי ישבו בקיפול ידיים.

בסופו של הדבר - שתהיה תחרות, כי אז נזכה לדברים יותר חמודים במחיר נמוך יחסית.

קישור לתוכן
שתף באתרים אחרים

מעניין איך ה"פיתרון המודבק" הזה יאכל את ה-K8L? :-\

אני מקווה ש- יפתיעו לטובה, אחרת, בקצב הזה, יחזרו להיות מונופול מוחלט והמעבדים יחזרו להיות תקועים טכנולוגית...

אין מקום לכינוי הזה פתרון "מודבק", מה גם שזה לא נושא האשכול.

קישור לתוכן
שתף באתרים אחרים

פתרון מודבק זה בדיוק מה שזה אבל זה לא צריך להפתיע אף אחד.

זה בדיוק אותה המתודולוגיה שהם עבדו בה עד עכשיו:

ליבה חדשה>מזעור> תוספת מהירות>הדבקה>ליבה חדשה

וכך הלאה.

הביצועים יגדלו וגם החום וגם צריכת החשמל ואז יהיה עוד מזעור.

זה לא הנושא בכלל, קונרו הפתיע את כולם, קנטספילד היה עוד יותר חזק אבל עם פחות מהירות מקסימלית אז עושים מזעור וכו'... די כבר עם השטויות רק הביצועים ידברו

קישור לתוכן
שתף באתרים אחרים

נושא האשכול הוא שינויים משמעותיים ברמת הטרנזסיטור (חומרים חדשים) שמאפשרים את המשך עידון טכנולוגיית

הייצור ל 45 ננו מטר והלאה, מה הקשר ל "הדבקה" ?

"שטויות" - לקח ל בערך 10 שנים לפתח את ה "שטויות" האלה, מן הסתם גם לאינטל זה לקח שנים אבל אתה בהינף

מקלדת מכנה זאת: "שטויות"

ללא קשר לאשכול - עם ה conroe לא היה טוב כפי שהוא אז היה מקום להיות מופתע, כמה שנים חברה כמו יכולה

לדרוך במקום?

קישור לתוכן
שתף באתרים אחרים

"שטויות" - לקח ל בערך 10 שנים לפתח את ה "שטויות" האלה, מן הסתם גם לאינטל זה לקח שנים אבל אתה בהינף

מקלדת מכנה זאת: "שטויות"

שטויות זה לא הטכנולוגיה, זה כל האנשים שרואים את הנסתר וכבר יודעים איזה ביצועים יהיו למעבד שלא קיים ביחס לעוד מעבד שלא קיים (הבנת הנקרא...).

ללא קשר לאשכול - עם ה conroe לא היה טוב כפי שהוא אז היה מקום להיות מופתע, כמה שנים חברה כמו יכולה

לדרוך במקום?

מסתבר ש3.5 שנים.

היה צחוקים.

אם נחזור לאשכול לרגע...

מזעור זה דבר נפלא, פחות חום, פחות חשמל, ייצור שבבים מהיר יותר, יותר מהירות וצעד אחד קדימה לעבר הדור הבא במעבדים. כל הכבוד לאינטל ;D

קישור לתוכן
שתף באתרים אחרים

http://www.tgdaily.com/2007/01/27/intel_45nm_penryn_details/

כתבה בנושא אצל מקור קצת יותר רציני

נחמד...

משהו להראות למרצה לליתוגרפיה ולסתום לו את הפה עם ה"טכנולוגיה מתקדמת מאוד" שלו :P

אגב, לפי איך שזה נראה, הדבר הזה באמת מודבק- לא מהסיבה שאתם חושבים...

הסיבה שעד היום השתמשו בסיליקון אוקסיד בתור שיכבת הבידוד היא כי הוא יושב טוב ("מודבק") על מצע הסיליקון- ובגלל שיש בעיה די רצינית להכניס לשם אוקסיד אחר בלי להרוס את המצע וגם לקבל הדבקה טובה (ברמה האטומית...). ומה שהם עשו זה לא רק להחליף את האוקסיד (שזה החלק היותר משמעותי כי הוא אחראי על הקיבול של הטרנזיסטור), אלא הם גם החליפו את הgate עצמו (הרכיב המרכזי בטרנזסטור...) במתכת- מה שיוצר צרות לא רק עם האוקסיד שעליו הגאייט יושב, אלא גם עם החיבורים החשמליים שמחברים את כל העניין לחשמל...

אני אתפלא מאוד אם המעבד הזה עומד בטמפ' של 70~80 מעלות בלי להתפרק לגמרי...

ולפי איך שזה כתוב, אפשר להבין שמי שכתב את הידיעה הזו לא באמת יודע על מה הוא כותב... ציפיתי ליותר מאתר חומרה רציני :-\

קישור לתוכן
שתף באתרים אחרים

אם נחזור לאשכול לרגע...

מזעור זה דבר נפלא, פחות חום, פחות חשמל, ייצור שבבים מהיר יותר, יותר מהירות וצעד אחד קדימה לעבר הדור הבא במעבדים. כל הכבוד לאינטל ;D

ל (וסוני וטושיבה) לא מגיע כבוד?

קישור לתוכן
שתף באתרים אחרים

אמרתי לך כבר, נראה את המעבדים שלהם ואז נחליט.

עם כל הכבוד לטכנולוגיה המשופרת, עד שאני לא רואה ביצועים אני לא מאמין לכלום יותר.

מעבדי 45 ננו של כבר מסתובבים, של שאר החברות זה רק על הנייר.

תנו לי בנצ'ים :xyxthumbs:

קישור לתוכן
שתף באתרים אחרים

ה45 ננו שמסתובבים הם לא עם הטכנולוגיה הזו (ממה שהבנתי...)

אגב, הרעיון הזה קיים כבר שנים, פשוט בגלל בעיות שפרטתי קודם לא הצליחו לייצור מעבד שנדבק טוב מספיק...

קישור לתוכן
שתף באתרים אחרים

אז באיזה טכנולוגיה הם יהיו? כמה תהליכי ייצור יכולה לפתח במקביל? למה שלא יהיו

בתהליך הנ"ל?

המעבדים שהודגמו פעלו (לכאורה) באזור ה 2 גיגה הרץ ולא במהירות השעון המרבית

המתוכננת למעבדים הללו.

[br]פורסם בתאריך: 29.01.2007 בשעה 03:21:03


אמרתי לך כבר, נראה את המעבדים שלהם ואז נחליט.

עם כל הכבוד לטכנולוגיה המשופרת, עד שאני לא רואה ביצועים אני לא מאמין לכלום יותר.

מעבדי 45 ננו של כבר מסתובבים, של שאר החברות זה רק על הנייר.

תנו לי בנצ'ים :xyxthumbs:

חשבתי שתתרגש משימוש במתכת בשערים, זה חידוש, מסתבר שאתה לא מתרגש.

אינטל אמורה להיות הראשונה בשוק עם ה 45 ננו מטר אבל המעבדים שלה ב 45 ננו מטר

רחוקים מ "להסותבב", אמורים להגיע לשוק בחצי שני של 2007 אם אני זוכר נכון.

קישור לתוכן
שתף באתרים אחרים

ארכיון

דיון זה הועבר לארכיון ולא ניתן להוסיף בו תגובות חדשות.


×
  • צור חדש...