כמה שאלות - עמוד 2 - מעבדים, לוחות-אם וזכרונות - HWzone פורומים
עבור לתוכן
  • צור חשבון

כמה שאלות


shay33

Recommended Posts

תודה לכם עזרתם לי מאוד

ליאור סוף סוף הבנתי אותך :smile1:

שוב אני מבקש הסבר קצרצר על זה ממש חשוב לי :xyxthumbs:

ליאור שמעתי ש celeron D ממש טובים (יחסית למחיר כמובן)

האם גם celeron רגיל הוא זבל של אחרים או שהוא מיוצר במיוחד :s05:

שוב תודה

קישור לתוכן
שתף באתרים אחרים

תודה לכם עזרתם לי מאוד

ליאור סוף סוף הבנתי אותך :smile1:

שוב אני מבקש הסבר קצרצר על זה ממש חשוב לי :xyxthumbs:

ליאור שמעתי ש celeron D ממש טובים (יחסית למחיר כמובן)

האם גם celeron רגיל הוא זבל של אחרים או שהוא מיוצר במיוחד :s05:

שוב תודה

מה אתה רוצה לדעת על זכרונות?

Celeron D מעבדים סבבה למחיר, סמפרונים של עדיפים עליהם

Celeron רגיל לא משהו בכלל

אגב עומרי אני ויתרתי כבר בעמוד הראשון, אולי לך תהיה יותר הצלחה

קישור לתוכן
שתף באתרים אחרים

shay33, תסתכל בנושא הזה, הוא אמור לענות על חלק מהשאלות שלך (וגם על חלק שלא שאלת):

http://hwzone.co.il/community/index.php?topic=148745.msg1422702

שם גם תוכל למצוא לינק למצגת שמסבירה (באנגלית) על הזיכרון ועל התיזמונים:

http://corsairmemory.com/corsair/products/tech/memory_basics/153707/index.html

המצגת נהדרת לדעתי, תסתכל עליה, ואם אתה מבין אנגלית, תבין יותר טוב מה אומר כל ערך במספרי תיזמוני הזיכרון.

קישור לתוכן
שתף באתרים אחרים

shay33, תסתכל בנושא הזה, הוא אמור לענות על חלק מהשאלות שלך (וגם על חלק שלא שאלת):

http://hwzone.co.il/community/index.php?topic=148745.msg1422702

שם גם תוכל למצוא לינק למצגת שמסבירה (באנגלית) על הזיכרון ועל התיזמונים:

http://corsairmemory.com/corsair/products/tech/memory_basics/153707/index.html

המצגת נהדרת לדעתי, תסתכל עליה, ואם אתה מבין אנגלית, תבין יותר טוב מה אומר כל ערך במספרי תיזמוני הזיכרון.

הביאו לי כבר אותה :-\

אנגלית :-[

קישור לתוכן
שתף באתרים אחרים

אתה יודע מה - בפעם הראשונה שראיתי את המצגת הזו החלטתי לסכם אותה, כך שיהיה לי ייחוס טוב בעתיד. בגלל שמוקדם ואני צריך ללכת, אני פשוט אדביק כאן את הסיכום הזה שלי (לא בטוח שהוא נקי משגיאות כתיב):

זיכרון - מערך של בנקי זיכרון שמקבל קלט של כתובת ומוציא פלט של מידע.

הזיכרון בנוי משורות (Rows) וטורים (columns). כל תא כזה מכיל 8 ביט, או 1 בייט.

Active Row - השורה הפעילה - שורה שזמינה לגישה של ה chipset. ממנה שולפים את המידע. הקריאה ממנה יותר מהירה מקריאה מבנקים שונים או שורות שונות.

RAS - ראשי תיבות של Row Address Strobe - בוחר את הכתובת של השורה שנבחרה.

CAS - ראשי תיבות של Column Access Strobe - בוחר את הכתובת של הטור הנבחר.

WE - ראשי תיבות של Write Enable - מאפשר כתיבה לזיכרון.

CS - ראשי תיבות של Chip Select - מפעיל את הזיכרון לכתיבה או קריאה.

BA0, BA1 - ראשי תיבות של Bank Address - בוחרים את הבנק אליו ניגשים.

DQ0 - DQ7 - דרכם יוצא המידע החוצא מהזיכרון.

Memory Latency - קובע כמה זמן ה chipset צריך לחכות/להמתין כדי שיוכל להכניס או להסיר מידע מהזיכרון.

הסבר זמני המתנה (תיזמונים):

1. ה chipset שולח פקודה לגשת לזיכרון.

2. הפקודה הראשונה היא Activate Row, שתפקידה להפעיל שורה.

3. השורה שנבחרה הופכת להיות השורה הפעילה.

4. כאשר יש שורה פעילה, ה chipset יכול לגשת לכל התאים בשורה הזו עד שהוא מקבל את כל המידע הדרוש.

מספר התאים בכל שורה הוא למעשה מספר הטורים בכל Bank, ולכן אם יש 1024 טורים, בשורה הפעילה יש 1024 תאים, כאשר כל אחד מהם מכיל 8 סיביות, או 8196 סיביות (ביט) בסה"כ.

גישה למידע רב היא יחסית מהירה (מאותה שורה).

5. לאחר שהמידע הושג, מתבצע Deactive Row - השורה הפעילה "מכובת" והמידע שבה חוזר לזיכרון עצמו.

6. התהליך חוזר שורה אחר שורה.

כאשר שורה מופעלת, יש זמן המתנה מהרגע שהשורה מופעלת ועד שניתן לקרוא מידע מהשורה הפעילה. הזמן הזה נקרא tRCD או RAS to Cas delay. הזמן הזה הוא בד"כ 2 או 3 מחזורי שעון.

tRCD - זמן המתנה בין הפעלת השורה עד הרגע שניתן לקרוא ממנה.

לאחר שהשורה מופעלת, ניתנת פקודת הקריאה. זמן ההמתנה בין פקודת הקריאה לבין הקריאה עצמה נקרא CAS. הזמן הזה הוא בד"כ 2, 2.5 או 3 מחזורי שעון. אין זמן המתנה latency כאשר קוראים מאותה כתובת טור ברציפות.

גם כאשר מכבים את השורה יש זמן המתנה. הזמן הזה נקרא tRP או RAS Precharge. זהו הזמן שיש לחכות לפני שמפעילים עוד שורה.

CAS Latency - הזמן, במחזורי שעון, מרגע מתן האות ברגל ה CAS עד להופעת נתונים ברגליים DQ.

במערכות , הערכים הם בד"כ 2, 2.5 או 3 מחזורי שעון. 2.5 יכול להתקבל ב בגלל שהוא עובד גם עם עליית מתח וגם עם נפילת המתח של השעון. 2.5 אומר שאחרי נפילת השעון של המחזור השני (ומכאן 2.5 מחזורים) הנתונים יופיעו ברגלי המוצא.בזיכרון SDR, שעובד רק עם עליית השעון, ה CAS יכול להיות רק 2 או 3 (אין חצאים).

Command Rate - הזמן, במחזורי שעון, מרגע בחירת השבב (הפעלת Chip Select - CS) ועד לרגע שבו ניתן לשלוח פקודה לזיכרון (כמו הפעלת שורה).

הזמן הרגיל הוא 1T - מחזור שעון אחד או 2T - שני מחזורי שעון.

tRAS - הזמן שבין הפעלת BANK ועד הרגע שניתן לכבותו (Precharge) - מרגע ש BANK מופעל (activated), לא ניתן לכבותו (de-activate) עד שחולף זמן tRAS. זמן זה הוא בד"כ 5, 6 או 7 מחזורי שעון.

תיזמונים של 2-3-3-7-1T פירושם:

Cas Latency של 2 מחזורי שעון - 2 מחזורים מרגע בחירת הטור ועד הופעת נתונים במוצא.

tRCD = RAS to CAS delay של 3 מחזורי שעון - 3 מחזורי שעון מרגע הפעלת השורה בבנק הפעיל ועד לקבלת השורה הפעילה.

tRP = RAS Precharge של 3 מחזורי שעון - יש לחכות 3 מחזורי שעון מרגע כיבוי השורה הפעילה ועד שניתן להפעיל שורה אחרת.

tRAS = Active to Precharge של 7 מחזורים - יש לחכות 7 מחזורי שעון עד שניתן לכבות/לעבור ל BANK אחר.

Command Rate של 1 מחזורי שעון - יש לחכות 1 מחזור שעון מהפעלת השבב לפעולה ועד שניתן לשלוח אליו פקודות.

קישור לתוכן
שתף באתרים אחרים

אבל מה עם כותרת אינפרמטיבית? :)

אגב עומרי אני ויתרתי כבר בעמוד הראשון, אולי לך תהיה יותר הצלחה

טוב

אז אני לא ויתרתי

SHAY33 נוספה לך אזהרה

קרא את חוקי הפורום ולהבא השמע להוראות המודרים

ננעל

קישור לתוכן
שתף באתרים אחרים

ארכיון

דיון זה הועבר לארכיון ולא ניתן להוסיף בו תגובות חדשות.

×
  • צור חדש...