תתחיל ב2.63

אם זה לא יציב תעלה ל2.77

אבל אל תגיע ל2.9.... זה קצת לא מומלץ

תתחיל ב2.63

אם זה לא יציב תעלה ל2.77

אבל אל תגיע ל2.9.... זה קצת לא מומלץ

איך אני יודע על כמה V אני עכשיו? (בביוס כתוב AUTO)

Auto = 2.5V , זה מתח ברירת המחדל של הזכרונות .

העלתי את המתח ל 2.77V, ועדיין הזכרון לא היה יציב על 2-5-2-2.

עריכה: החזרתי את הזכרון לאופטימל ועכשיו הרוחב פס שלו יותר גדול!!!

אל תשים 2-2-2-5, שים 2-2-2-6, על 333 זה כנראה יפעל. בכלל להמנע מ 2-2-2-5.

חוץ מזה שזה לא יהיה יציב ב 2-2-2-5 אתה גם כנראה תגלה שיפור עם 2-2-2-6, הנה הסבר קטן לכולם:

Memory, in many ways is like a book, you can only read after opening a book to a certain page and paragraph within that particular page. The RAS Pulse Width is the time until a page can be closed again. Therefore, just by definition, the minimum tRAS must be the RAS-to-CAS delay plus the read latency (CAS delay). That is fine for FPM and EDO memory with their single word data transfers. With SDRAM, memory controllers started to output a chain of four consecutive quadwords on every access. With DDR, that number has increased to eight quadwords that effectively are two consecutive bursts of four.

Now imagine someone closes the book you are reading from in the middle of a sentence. Right in your face! And does it over and again. This is what happens if tRAS is set too short. So here is the really simple calculation: The second burst of four has at least to be initiated and prefetched into the output buffers (like you get a glimpse at the headline in a book) before you can close the page without losing all information. That means that the minimum tRAS would be tRCD+CAS latency + 2 cycles (to output the first burst of four and make way for the second burst in the output buffers).