מה זה ננומטר ומה זה צי'פ כי אני רואה שאתם כותבים את זה הרבה (אם אפשר בלי מאמרים באנגלית)?

תעשה חיפוש..

ובגדול זה הגודל של הטרנזיסטורים שמהם מורכב המעבד...(הגודל שלהם נמדד בננומטר)..

אז כמה שיותר גדולים זה יותר טוב?

הפוך

כמה שיותר קטן יותר טוב..

ככה אפשר "לדחוף" יותר...

ננו מטר = 10 בחזקת מינוס 9 המטר, כלומר מיליארדית המטר.

מיקרון = 10 בחזקת מינוס 6 המטר, כלמור מיליונית המטר.

בפשטות תהליך של 90 ננו מטר מביעה את עובי קווי המתאר של המעגל. יצירת המעבד נוצרת בתהליך שנקרא ליטוגרפיה, בעצם הדפסה של המעגל על גבי פרוסה של מוליך למחצה. בפשטות אפשר להגיד שההדפסה בעצם פורצת את המוליך למחצה(מאפשרת למעבר של זרם) ויוצרת את רכיבי המעבד. בצורה יותר פשטנית אפשר לתאר את תהליך יצירת המעבד כציור של מעגל ורכיביו בעזרת עיפרון על גבי נייר. הניר עצמו אינו מוליך, אולם הגרפיט בעפרון כן. האנלוגיה הזאת אינננה מושלמת ומתאימה יותר לתאר מעגל מודפס(מעבדים מהווים בעצם התקדמות טכנולוגיה מעבר למעגל המודפס - המעגל המשולב). אבל בכל אופן, עפרון עדין יותר יאפשר ליצור קווי מתאר דקים יותר ובעצם לדחוס מעגל מורכב יותר ואת רכיביו על פני אותו שטח. העברת מעגל קיים מליטוגרפיה של 0.9 מיקרו או 90 ננו מטר אם תרצה, ל0.65 למשל תקטין את גודלו(בפי 2 לערך), את צריכת החשמל שלו וכתוצאה מזאת את פליטת החום שלו. או תאפשר להכפיל את רכיביו ויצירת מעגל מורכב יותר בגודל זהה.

יש רק 0.65 ו0.9 מה יותר טוב?

אה וזה רק בכרטיס מסך?

לא זה בכל מעגל משולב - מעבד אם תרצה, ישנם המון סדרי גודל של ליטוגרפיה, 0.9 ו0.65 אלה הם רק דוגמאות. ליטוגרפיה של 0.65 מיקרון כפי שאמרתי מאפשרת מיזעור נוסף של ריכיבי המעגל על פני 0.9.

אז אם בא לי עם איזה כרטיס על מה אתה ממליץ על 90 מה שהכי גבוה?

??? ??? ???

לא בוחרים כרטיס לפי הליטוגרפיה של המעבד שלו, לליטוגרפיה אין שום קשר לביצועים.

הא אז מה זה נותן בכלל (ואני יודע שלא בוחרים לפי זה אני בוחר לפי מהירות שעון זיקרון וכל זה)

אתה טורח לקורא את מה שאני כותב בכלל?

כן ברור אז למה אני שואל בכלל ?

קראתי אז זה רק משפר את צריכת החשמל החום וכו'?

אם בשבילך זה "רק" אז..כן זה "רק" משפר...

כן ברור אז למה אני שואל בכלל ?

קראתי אז זה רק משפר את צריכת החשמל החום וכו'?

שוב פעם כמו שאמרתי לך, או שאפשר להקטין את הגודל הפיסי של מעגל קיים, או ליצור מעגל מתקדם יותר על פני אותו שטח.

נגיד לדוגמה מעגל משולב בעל כ300 מיל טרנזיסטורים למשל בתהליך של 90 ננו מטר(לא להכנס למספר שכבות, Low-k ושאר ירקות) יצור ליבה בגודל של 3 מ"מ מרובעים. אותו מעגל בתהליך של 0.65 מיקרון יציג ליבה של בגודל של 1.5 מ"מ מרובעים. כלומר יאפשר לחברה לייצר פי 2 יותר ליבות על כל פלטה.

כנגד זאת, מעבר בין תהליך של 90 נ"מ ל0.65 נ"מ יאפשר לדחוס יותר רכיבים על גבי אותו שטח, לכן אם החברה מעוניית להשאר בסדר גודל של 3 מ"ר לליבה כעת היא יכולה לדחוס ל3 מ"ר האלה כ600 מיל' טרנזיסטורים.