אני יודע שהתשובה היא שזה תלוי

אבל נניח שמדובר בזוג הסטיקים הבא

מה יהיה עדיף בין שניהם - ולמה?

OCZ PC-3200 EL Dual Channel DDR 400MZ Platinum

CL 2-3-2-5

OCZ PC-4000 EL DDR 500MHZ Gold Edition GX XTC

CL 3-4-3-8

תודה

תלוי

אם תעשה את ה-500MHz המוצהרים של ה-GTX זה יהיה קרוב בתוצאות

אם תעשה יותר אז יהיה יתרון ל-GTX

בעיקרון ה-Platinum מגיעים ממש מעט, ל-230 בערך, למרות השבב - Infeneon BE-5/CE-6

ה-GTX מגיעים עם Samsung UCCC ומגיעים לאיזור ה-260-265

תלוי

אם תעשה את ה-500MHz המוצהרים של ה-GTX זה יהיה קרוב בתוצאות

אם תעשה יותר אז יהיה יתרון ל-GTX

בעיקרון ה-Platinum מגיעים ממש מעט, ל-230 בערך, למרות השבב - Infeneon BE-5/CE-6

ה-GTX מגיעים עם Samsung UCCC ומגיעים לאיזור ה-260-265

כל מה שקראתי לגבי זכרונות לא הכינו אותי לתגובה שלך

לא הבנתי כמעט מילה ממה שאמרת פה

יש סיכוי שתסביר במושגים פשוטים יותר ובפירוט רב יותר?

אם לא אכפת לך כמובן

תודה

הבן אדם לא רוצה לעשות אובר קלוקינג

הוא שואל על מהירויות סטוק

ה500Mhz 3-4-3 עדיפים על 400Mhz 2-3-2 .

יש OCZ PC3200EL 400Mhz 2-2-2 שהם עדיפים.

ה500Mhz 3-4-3 עדיפים על 400Mhz 2-3-2 .

יש OCZ PC3200EL 400Mhz 2-2-2 שהם עדיפים.

איך אפשר לעשות את החישוב של מה עדיף יותר אם נאמר אני רוצה להשוות בין זוג זכרונות אחרים?

יש לזה שיטה או נוסחה כלשהי?

נסיון , ידע , קצת ביקורות.

אפשר לחשב את זה אם יודעים את הרוחב של הbus בביטים, והburst length המקסימלי (כמה זיכרון אפשר להעביר בגישה אחת). הlatancy בעיקר משפיע על המעבר בין בלוקים שונים בזיכרון. לרכיבי SDRAM וגם DDR (אם אני לא טועה) יש רגיסטר שנטען עם שורה שעל הזיכרון (הזיכרון עצמו הוא הרבה קבלים) . רק מתי שהמידע על הרגיסטר אפשר למשוך אותו או לשנות אותו. הburst הכי מהיר שאפשר לעשות זה לשורה אחת (מכל רכיב). ככל שהbus רחב יותר אפשר להעביר יותר מידע לכל שעון אבל רוחב הbus הוא דבר מוגבל כמו הרגליים של המעבד.

בכל מקרה חשבתי שה זכרונות מעל 400MHZ הם לOC על AMD לא?

כן

אבל הם נבדקו שהם עובדים במהירויות מעל 400MHz

אפשר לחשב את זה אם יודעים את הרוחב של הbus בביטים, והburst length המקסימלי (כמה זיכרון אפשר להעביר בגישה אחת). הlatancy בעיקר משפיע על המעבר בין בלוקים שונים בזיכרון. לרכיבי SDRAM וגם DDR (אם אני לא טועה) יש רגיסטר שנטען עם שורה שעל הזיכרון (הזיכרון עצמו הוא הרבה קבלים) . רק מתי שהמידע על הרגיסטר אפשר למשוך אותו או לשנות אותו. הburst הכי מהיר שאפשר לעשות זה לשורה אחת (מכל רכיב). ככל שהbus רחב יותר אפשר להעביר יותר מידע לכל שעון אבל רוחב הbus הוא דבר מוגבל כמו הרגליים של המעבד.

נכון , יש חישוב , אבל תביא חישוב משולב עם תזמונים שיבדיל בין ביצועי הזכרונות.

עשיתי חזרה רפרפנית על החומר (אני לא מתעסק עם הגדרות SDRAM הרבה) והבנתי שה RAS זה לבחור שורה ואז ה CAS בוחר עמודה בתוך השורה הזאת ואז אפשר להתחיל לקרוא את כל השורה אחרי cas אחד (עושים CAS לכתובת 0 ומתחילים burst ארוך) . אם אתה עושה קריאות בודדות רננדומאליות זה ממש בזבזני כי לוקח לך במקרה הטוב 3 שעונים לקריאה. ככול שהburst שאתה יכול לעשות ארוך יותר כך ההשפעה של הlatancy בעיקר של הCAS גבוהה יותר . כל הבלגאן קורה כשאתה מחליף עמוד אבל זה לא קורה הרבה. לרוב כל עמוד הוא 4KB לרכיב זה אומר שאתה קורא/כותב 16KB עד שזה קורה (יש בכלל interleaving שלא התיחסתי אליו בכלל).

כעיקרון הנוסחה הכללית ביותר שמצאתי היא להכפיל את מהירות השעון ברוחב הזיכרון וזה יהיה הראף העליון(וגם סימון הזיכרון) . DDR3200 הוא DDR שהמהירות התאורתית הכי גבוהה שלו היא 3.2 GB לשניה חישבו את זה על ידי הכפלת מהירות הזיכרון (400MHZ ) ברוחב הכרטיס זיכרון ( 8 byte ) . בשביל לחשב את ההשפעה של ה cas אתה חייב את הפרמטר של burst length שאני אתיחס אליו כBL . אני אתיחס לרוחב הזיכרון בbyte כ BW

המחיר בשעונים אמיתיים (MHZ200 לDDR400 ) להביא byte מהזיכרון בשעונים:

(BL/2+CL)

-------------

BL*BW

אם אתה מסלק את הBW (אומר שהוא אחד) המספר הזה מתקרב לחצי וככול שהBL יותר גדול הCL פחות משפיע. בשביל לקבל את הmemory bandwidth אתה מחלק את מהירות השעון האמיתי במספר הזה. אתה מקבל ונוסחה שעדיין לא מתחשבת בכלל הזמן של החלפת שורה וכו שממש לא משפיע הרבה כי זה קורה פעם בכמה אלפי שעונים.

עשיתי השוואה קטנה ובדקתי את ההבדלים : כשהBL הוא 4 ההבדל בין CL2 ו CL3 הוא של 20 אחוז וכשה עוברים ל אורך של 8 זה יורד ל15% וב512 (להביא page מהזיכרון) לכ 0.4% . קראתי בנושא ושמתי לב שיש 3 סוגים של תרנזקציות(קריאה או כתיבה) של 1, של BL ושל PAGE . קראתי במאמר על השוואת מהירות (http://www.techwarelabs.com/reviews/memory/memory_timings/index_3.shtml ) שהם ניסו לשנות את ה BL וזה לא השפיע על כלום נראה לי שבקר הזיכרון עבד עליהם והביא page שלם בכל פעם וככה הם לא ראו שינויים. טריקים כאילו של בקר הזיכרון אפשר לראות אם אוסילוסקופ אם אתה יודע באיזה קווים לגעת (CS/DQM/CLK ) . נראה לי שהפרמטר של ה burst length יותר משפיע עם תקשורת עם רכיבים על הPCI/PCIE כי חלק מהרכיבים לא יודעים לעשות burst ארוך.

בדרך כלל תמיד שעון גבוה נותן ביצועים יותר טובים אבל במקרה של מתחיל הת'רד יהיה שווה לו לקנות זיכרון במהירות גבוהה יותר רק אם הוא עושה OC או שהמעבד שהוא הולך להשתמש תומך במהירות השעון הזאת.

קחו את הכל בעירבון מוגבל

במקום ללכת לאיבוד בעמודות ובנוסחאות...

בוא נסכם שעדיף זיכרון מהיר עם תיזמונים נמוכים ונחסוך כאב ראש....

למה לסבך?

במקום ללכת לאיבוד בעמודות ובנוסחאות...

בוא נסכם שעדיף זיכרון מהיר עם תיזמונים נמוכים ונחסוך כאב ראש....

למה לסבך?

זהו שהתזמונים לא ממש משנים משהוא מה שאני יודע שעדיף פי שתיים יותר זיכרון מזיכרון מהיר שעולה פי שתיים יותר כסף.

זהו שהתזמונים לא ממש משנים משהוא מה שאני יודע שעדיף פי שתיים יותר זיכרון מזיכרון מהיר שעולה פי שתיים יותר כסף.

תריץ SUPERPI עם זכרונות במצב רופף(כמה שיותר גבוה - 4-8-8-14 ואם אפשר אפילו יותר)

ואז תריץ SUPERPI עם זכרונות כמה שיותר הדוקים(אפשר גם הדוקים מדי, לא צריך יציבות של סלע ל-1MB...)

ואז תראה את השוני....

יש הבדל חמוד...

איך אני יכול לדעת איזה תזמון יותר חשוב ?

אני מדבר על ה4 תזמונים הראשונים .

תודה מראש .