לפני כחצי שנה, הודיעה Samsung בבכורה עולמית על פיתוחם של שבבי ה-GDDR4 הראשונים, בעלי נפח של 256Mbit ומהירות של 2.5Gbps. תוך פחות מחודשיים, הודיעה גם חברת Hynix על פיתוחם של שבבי GDDR4 – אשר היו בעלי נפח גדול פי שתיים, 512Mbit, ומהירות של 2.9GBps.
אך פיתוח שבבי ה-GDDR4 בענקית הקוריאנית נמשך, ולמרות שבחברה כבר לא יקטפו שוב את הבכורה העולמית הם מצליחים להשיק שבבים מהירים יותר מאלו של Hynix. שבבי ה-GDDR4 החדשים של החברה הינם בעלי נפח של 512Mbit אך מהירות גבוהה יותר מאלו של Hynix, אשר עומדת על 3.2GBps. מהירות זו מתבטאת בתדר שעון אפקטיבי של עד 3.2GHz מה שהופך את שבבים אלו למהירים יותר בכ-30% מהשבבים בעלי נפח של 256Mbit. כמו-כן, שבבים אלו גם מיוצרים בתהליך יצור מתקדם יותר, של 80nm.
המתחרה העיקרי של זיכרונות ה-GDDR4 היא טכנולוגית ה-XDR של Rambus, שבבי XDR מגיעים למהירות של 3.2GBps ובנפח של 512Mbit. הדגמים הראשונים של שבבי ה-GDDR4 ש-Samsung ו-Hynix הציגו היו איטיים יותר משבבי ה-XDR אך כעת השבבים החדשים מדורגים באותה מהירות יחד עם שבבי ה-XDR כך שהביצועים שלהם זהים מה שמבטל את היתרון של-XDR היה בנושא זה.
יתרה מזאת, היתרון הגדול של ה-GDDR4 הוא שעיצובו כמעט זהה לעיצוב של ה-GDDR3 מה שיקל על המעבר בין הטכנולוגיות. ככל הנראה, אלו יהיו הזכרונות אשר נראה בסוף בדורות כרטיסי המסך הבאים שישיקו nVIDIA ו-ATI בשלב מאוחר יותר השנה.