TSMC משלימה את הזינוק הטכנולוגי מעל אינטל ומכריזה על אבן דרך חדשה ומדהימה - שתוכל לאפשר לנו לקבל שבבים יעילים הרבה יותר מאי פעם עוד לפני סוף השנה
ההתקדמות הטכנולוגית בייצור שבבי העיבוד לא מפסיקה להדהים אותנו לרגע, ועכשיו אנחנו מקבלים בשורה על יריית הפתיחה בייצור המסחרי של מוצרים בליטוגרפיית 7 ננומטר אצל חברת TSMC הטאיוואנית, היצרנית הגדולה ביותר מעולם מבין אלו שאינן מפתחות שבבים בעצמן - פחות משנה לאחר הכרזה על אבן דרך דומה עבור תהליך הייצור המוביל הקודם ב-10 ננומטר.
בכיר ביצרנית השבבים הצהיר כי מצעי שבבים (וייפרים, או Wafers) בטכנולוגיית ה-7 ננומטר צפויים לסייע בהגדלת התפוקה הכללית של החברה בכ-9 אחוזים כבר השנה, מה שכנראה מחזק את הסיכויים לכך שנקבל מוצרים אמיתיים שניתן לרכוש בחנויות בחודשים הקרובים - והצפי הוא שליבות Vega 20 גראפיות ומעבדי EPYC מהדור השני לעולם השרתים, שניהם מבית AMD, יהיו המוצרים הראשונים שיבוססו על התהליך החדשני הזה.
דור ה-7 ננומטר הראשון של TSMC ימשיך להתבסס על טכנולוגיית ה-DUV (ר"ת Deep Ultra Violet) הוותיקה שעושה שימוש באורכי גל גדולים יחסית, כאשר דור שני משופר אמור להגיע במהלך השנה הבאה ולבצע את הקפיצה הנדרשת ל-EUV (ר"ת Extreme Ultra Violet) אשר נחשב כבר שנים לעתיד עולם ייצור השבבים, עם אורכי גל קצרים משמעותית שיוכלו לשפר את זמני הייצור ואת התפוקה המיטבית - זאת במקביל לסמסונג ו-GlobalFoundries אשר צפויות להתחיל בייצור מסחרי של שבבי 7 ננומטר משלהן עוד במהלך השנה הנוכחית או בתחילת השנה הבאה ולהגדיל פי כמה את הזמינות הכללית של מוצרים המתבססים על העידן החדש.
זה המקום לציין פעם נוספת כי יש שוני בשיטות המדידה של היצרניות השונות לשערים הלוגיים הזערוריים שמרכיבים את השבבים, ועל כן תהליכי ייצור של 7 ננומטר ו-10 ננומטר אינם זהים במאפייניהם בין מפעלי הייצור של השחקניות המרכזיות בתחום - כאשר ההערכות הנוכחיות הן שתהליכי 7 ננומטר מ-TSMC וסמסונג יהיו דומים בצפיפותם למה שמיועד להציע תהליך הייצור החדש של אינטל ב-10 ננומטר. גם אם הנתון הזה לא יהיה מדוייק במיוחד ולאחד מהצדדים במשוואה יהיה יתרון קל על האחר - ברור לגמרי כי ההובלה הטכנולוגית המובהקת ממנה נהנתה אינטל לאורך שנים כבר לא קיימת למעשה.
תהליך ה-7 ננומטר של TSMC יציע טרנזיסטורים בתצורת ה-FinFET אשר כבר הפכה לברירת המחדל בתחום בשנים האחרונות, עם פוטנציאל לשיפור של עד 60 אחוזים בצפיפות הטרנזיסטורים בהשוואה לתהליך הייצור שלה ב-10 ננומטר, ולשיפור הביצועים בעד ל-20 אחוזים תחת אותה צריכת הספק או לחילופין קיצוץ צריכת ההספק בכ-40 אחוזים בעבור אותם ביצועים. חברות נוספות שאמורות לנצל את פריצת הדרך הזו הן NVIDIA עבור ליבות הגראפיות מדורות העתיד שלה, Bitmain המפתחת שבבים ייעודיים לכריית מטבעות קריפטוגרפיים, קוואלקום עבור שבבי Snapdragon וגם מודמים ייעודיים לדור הסלולר החמישי - ואפל, כנראה כבר עבור שבב ה-Apple A12 שלה שיוצג השנה.
אנחנו עומדים בפני תקופה מרתקת בעולם החומרה - אז צפו לשלל עדכונים וחידושים מאיתנו כבר בזמן הקרוב.
