עבור לתוכן

מבזק: אינטל ומיקרון מנחיתות פצצה: טכנולוגיית זכרון חדשה שתוכל לחסל את ה-NAND וה-DRAM

Featured Replies

פורסם

אם זה זיכרון לא נדיף, יהיה צריך להוסיף אליו מערכת איפוס אקטיבית בשביל שניתן יהיה להשתמש בו במקום DRAM - אחרת, לא יהיה ניתן לאפס אותו על ידי כיבוי והפעלה מחדש (שהוא תכונה חשובה של RAM)

פורסם

1. נראה כי התכנון הוא לא רק עבור זיכרון פיזי אלא גם (ואולי בעיקר) עבור זיכרון למטרות איחסון. למעשה בסירטון בזמן 3:21 נעשית התייחסות ל Memory Pool מסוג 3D XPOINT שמשמש כ System + Storage, מה שאולי אומר שהמטרה היא שבעתיד לא תהיה הבחנה בין זיכרון למטרות איחסון מידע באופן זמני (זיכרון פיזי) לבין זיכרון למטרות איחסון מידע באופן קבוע (כונני SSD).

2. בזמן 1:05 בסירטון כתוב שזיכרון NAND איטי פי 1500 מזיכרון DRAM. בזמן 1:42 נאמר שזיכרון ה 3D XPOINT מהיר עד פי 1000 מזיכרון NAND. אם זיכרון NAND עובד ב"מהירות" של 1/1500 לעומת זיכרון DRAM וזיכרון ה 3D XPOINT יעבוד ב"מהירות" של פי 1000 מזיכרון NAND, זה אומר שזיכרון ה 3D XPOINT יעבוד במהירות של 1000/1500 שהם 2/3 או 66% ממהירות זיכרון DRAM, כלומר הוא יהיה איטי יותר לעומת זיכרון DRAM. בנוסף בזמן 2:58 מצויין שזמן ה Latency של זיכרון ה 3D XPOINT נמדד בעשרות ננו-שניות, אבל לא צויין שזה נכון גם עבור זיכרון DRAM אלא רק הודגש ההבדל מזיכרון NAND. על כך יש להוסיף את העובדה שבזמן 3:14 מדובר על אורך חיים במחזורי כתיבה, ומכאן אני מסיק שהטכנולוגיה הזו נועדה בעיקר לשמש כזיכרון איחסון.

נערך על-ידי smalul

פורסם

כל זכרון שמוגבל למחזורי כתיבה ימות אחרי חצי שעה של שימוש.

רק הדפדפנים מייצרים מיליוני קריאות וכתיבות...

לא הגיוני שזה מיועד גם לזכרון מערכת

פורסם

מהכתבה (ובמיוחד מהכותרת) עולה שכן....

ארכיון

דיון זה הועבר לארכיון ולא ניתן להוסיף בו תגובות חדשות.

דיונים חדשים