אהלן

אני אגיד מה אני מחפש, לא נראה לי שאנשים יידעו לענות לי פה אבל גם הפניה לאתר או לפורום הנכון בחו"ל יוערכו מאוד!

בכל אופן, ל NV ו ATI יש פחת של הליבות. כשעושים וופר מסיליקון ושמים עליו נניח 100 ליבות, כיום NV מצליחים מתוך ה 100 ליבות להוציא 20-30-40 ליבות טובות וכל השאר פגומות והולכות לפח. השאלות שלי הן:

1. מה הסיבות לקלקולים האלו?

2. איזו בדיקות QA מבצעים על הליבות?

3. אם אני יכול לתת ל NV פיתרון שחוסך להם לתכנן ליבות לטווח טמפ. גדול (נניח 0-110C) ובמקום זאת אני מאפשר להם לתכנן מראש ליבות לטווח הרבה יותר קטן, נניח 40-45C, בכמה זה ישפר את אחוז הפגם (או את ה yield של הוופר?)

כמובן שאין תשובות מספריות לשאלה האחרונה, אבל אני בכל זאת מחפש לקבל אינטואיציה על הנושא.

אשמח ואעריך גם הפניות לאתרים מקצועיים בתחום ייצור מעבדים \ semiconductor וכ"ו שיש בהם פוטנציאל לתשובות.

גלעד

אהלן

אני אגיד מה אני מחפש, לא נראה לי שאנשים יידעו לענות לי פה אבל גם הפניה לאתר או לפורום הנכון בחו"ל יוערכו מאוד!

בכל אופן, ל NV ו ATI יש פחת של הליבות. כשעושים וופר מסיליקון ושמים עליו נניח 100 ליבות, כיום NV מצליחים מתוך ה 100 ליבות להוציא 20-30-40 ליבות טובות וכל השאר פגומות והולכות לפח לכרטיסים חלשים יותר. השאלות שלי הן:

1. מה הסיבות לקלקולים האלו?

אחידות החומר ופגמים במעטפת.

2. איזו בדיקות QA מבצעים על הליבות?

טרמיקה ומאמץ כמו כן גם בדיקות STRESS יותר מתקדמות של פיזיקה.

3. אם אני יכול לתת ל NV פיתרון שחוסך להם לתכנן ליבות לטווח טמפ. גדול (נניח 0-110C) ובמקום זאת אני מאפשר להם לתכנן מראש ליבות לטווח הרבה יותר קטן, נניח 40-45C, בכמה זה ישפר את אחוז הפגם (או את ה yield של הוופר?)

הסיכוי הוא נמוך מכיוון שיטת הייצור נעשית בחישובי מכונה,אם מצאת דרך בדוק שהיא זולה ואמינה כמו כן

תזדקק לטכנולוגיה המתאימה ויותר מכך תקציב והוכחה.

דבר נוסף הוא שהליבות של היום יכולות לעבוד במשך שעות ואף ימים בטמפרטורות קיצוניות של 115C

מבלי לפגום במעטפת,אך כמובן אף אחד לא יכול בעצם לחזות את אורך החיים של כול ליבה עד אותה דפורמציה

בטמפרטורות קיצוניות.

אוקיי, תודה רבה!. עוד שאלה:

הבנתי שחלקים לא מבוטלים מהשטח של הליבה (אני שמעתי 40% לגבי CPU) משמשים כדי להתגבר על נושא טווח הטמפ. הגדול שהליבה נדרשת לעבוד בו (כי ההתנגדות החשמלית משתנה עם הטמפ. ואז צריך המון מעגלי עזר בתוך הליבה כדי להתגבר על השינויים בהתנגדות). יש למישהו מידע בנושא הזה? מאוד יועיל לי נניח לדעת אם ב GT200 מדובר ב 20% מהשטח של הליבה או נתון בסגנון הזה.

הבנתי שחלקים לא מבוטלים מהשטח של הליבה (אני שמעתי 40% לגבי CPU) משמשים כדי להתגבר על נושא טווח הטמפ. הגדול שהליבה נדרשת לעבוד בו (כי ההתנגדות החשמלית משתנה עם הטמפ. ואז צריך המון מעגלי עזר בתוך הליבה כדי להתגבר על השינויים בהתנגדות). יש למישהו מידע בנושא הזה? מאוד יועיל לי נניח לדעת אם ב GT200 מדובר ב 20% מהשטח של הליבה או נתון בסגנון הזה.

לשם כך יש את הליטוגרפיה תגבור בכמות הטרנזיסטורים תוך הקטנה פיזית של הליבה.

חוץ מהחומר שהליבה מורכבת ממנו כ37% אם זכרוני אינו מטעני משמשים להגנה פיזית על הליבה וגם כמובן ככול שחומר

עבה יותר הוא עמיד כביכול להתנגדות חשמלית,אך הבעיה היא שאם בעצם תגביר את כמות ההגנה תשאר עם ליבה מוגדלת.

מה שכן אם תקטין ככול האפשר את הטרנזיסטורים תוכל לדחוס כמה שיותר מהם לליבה עצמה תוך שימוש ביותר חומר הגנה.

הנתונים זכורים לי מהHD2900 מאז לא כולכך התעניינתי בנושא.

אל תשכח גם שאתה מוגבל בחומר.