פרטים חדשים אודות שבב ה-Snapdragon 820 נחשפים: 14 ננומטר, ארבע ליבות בלבד והבטחה לשיפורים של בין 35 ל-40 אחוז בביצועים לעומת המיטב העכשווי
השנה הנוכחית הייתה אחת השנים המאכזבות ביותר עבור קוואלקום בגזרת המערכות על שבב (SoC), מאז שרכשה את חטיבת שבבי ה-ARM של AMD ופרצה לתודעה הקולקטיבית אי שם בסוף העשור הקודם, כשהפעילה מכשירים נודעים כמו ה-HTC HD2, ה-HTC Desire המקורי וה-Nexus One. חברת הענק האמריקאית שהתרגלה להתבסס על ליבות עיבוד שפיתחה ושיפרה באופן עצמאי החליטה לאמץ את הליבות הסטנדרטיות של ARM בדור הנוכחי שלה על מנת לזרז את התמיכה במערכת ויישומי 64 ביט, אך מצאה את עצמה בסופו של דבר עם מוצר, ה-Snapdragon 810, שמציע שיפור ביצועים מאכזב יחסית לעומת הדור הקודם, ובנוסף גם נוטה להתחמם באופן בלתי בריא שגורם ליצרניות ולצרכנים לחשוב פעמיים לפני הבחירה בו.
אי לכך ובהתאם לזאת, קוואלקום תצטרך להוכיח עתה שעוד לא איבדה את מגע הקסם שלה, והבמה לכך תהיה שבב ה-Snapdragon 820 – מוצר הדגל הבא של החברה, שהוכרז עם תיאור טכני מינימלי בתחילת השנה הנוכחית. עתה, פרטים טכניים חדשים אודות השבב מתיימרים להציג לנו תמונה עניינית קצת יותר – רגע לפני החשיפה הרשמית המיועדת (כביכול) של קוואלקום עצמה, ב-11 באוגוסט.
לפי המידע הנוכחי, ה-Snapdragon 820, שיענה לשם הדגם MSM8996, ייוצר בתהליך ייצור של 14 ננומטר בהתבסס על טרנזיסטורי FinFET "תלת מימדיים", בדומה מאוד לטכנולוגיה שנמצאת בלב שבבי ה-Exynos 7420 העדכניים של סמסונג שכבשו את פסגת הביצועים בעולם האנדרואיד השנה – מה שלכאורה מאשר את השמועות על מעבר של קוואלקום מייצור אצל TSMC הטאיוואנית (שמציע תהליך ייצור של 16 ננומטר, ולא 14 ננומטר) לייצור אצל החברה-לשעבר סמסונג.
השבב המדובר יכיל ארבע ליבות עיבוד כלליות בתכנון ייעודי של קוואלקום, אשר יענו לשם Hydra – בניגוד לשם Kryo עליו שמענו גם מהחברה עצמה עד כה. ליבות העיבוד החדשות מתיימרות לספק שיפור ביצועים של כ-35 אחוזים לעומת ליבות ה-Cortex A57 אותן ראינו בשבב ה-Snapdragon 810, ולצידן נמצא גם ליבה גראפית מדור חדש שתענה לשם Adreno 530, ומבטיחה שיפור של כ-40 אחוזים בביצועים בנוסף לחסכון של עד 30 אחוזים בצריכת ההספק, כנראה בעיקר בשל הקפיצה לטכנולוגיית ייצור חדשה וחסכונית הרבה יותר. אם לסכם, נראה כי בקוואלקום מכוונים לשיפור של בין רבע לקצת יותר משליש עבור הביצועים המירביים של שבב הדגל החדש לעומת זה הנוכחי, וכל זאת לצד התפטרות מאותה בעיית התחממות מעיקה, כמובן.
"בונוסים" משמעותיים נוספים להם אנו יכולים לצפות ב-Snapdragon 820 כוללים בקר זכרונות DDR4 בעל זוג ערוצים ותמיכה במהירויות אפקטיביות גבוהות של עד 1,866MHz, מודם מובנה מתקדם במיוחד שתומך בקטגוריה 10 של הדור הרביעי (המתקדמת ביותר שתוקננה עד היום), תמיכה בזכרונות UFS 3.0 מתקדמים במיוחד ובזכרונות בתקן eMMC 5.1, תמיכה בטכנולוגיית טעינה מהירה מעודכנת שתכונה Quick Charge 3.0, וגם תמיכה מרשימה בצילום, קידוד ופענוח של רזולוציית 4K בקצב 60 פריימים בשנייה. הדבר לא מוזכר רשמית בתמונות המודלפות, אך סביר מאוד להניח שהשבב החדש יציע גם תמיכה במסכים בעלי רזולוציה של 4K, שמאיימים להפוך לסטנדרט החדש בשוק הגבוה כבר במהלך 2016.
במהלך השבוע הקרוב אנחנו מקווים שנקבל את כל המידע הנ"ל גם באופן רשמי מקוואלקום עצמה, ואז גם נדע האם אפשר לצפות למוצרים ראשונים שיאמצו את שיא הטכנולוגיה של היצרנית מסאן דייגו עוד השנה, או רק אי שם בתחילת השנה הבאה.
בין ה-Helio X20 וה-Helio X30 של Meidatek, המוצרים העתידיים בקו ה-Exynos של סמסונג וכמובן ה-Snapdragon 820 – אין ספק שסוף השנה הנוכחית ובעיקר המחצית הראשונה של השנה הבאה יהוו תקופה מעניינת נוספת בעולם המכשירים החכמים, ולנו לא נותר אלא להיאזר בסבלנות ולהמתין עד שנגלה מי תהיה המנצחת הגדולה בסיבוב החדש.
קישורים נוספים
- מקור לידיעה
- Snapdragon 820: תוצאות מבחני ביצועים ראשונות לשבב שבדרך
- מכשיר הדגל הבא של LG יגיע עם Snapdragon 820 ו-4GB של זכרון RAM?
- התוכניות הגרנדיוזיות של קוואלקום לשנת 2015: 14 ננומטר, ליבות חדשות ועוד הפתעות
- מתומן זה מיושן: מעבד 10 ליבות חדש מ-MediaTek בדרך
- הביצועים של ה-Galaxy S6: מרשימים עוד יותר ממה שחשבנו
