התמיכה בתקן ה-UFS המתקדם ממשיכה להתרחב, ועשויה להעניק לנו מכשירים חכמים עם חצי טרה-בייט של אחסון מובנה בקרוב
בדומה לכרטיסי האחסון החיצוניים, נראה שגם נפחי האחסון הפנימיים המובנים בתוך הסמארטפונים והטאבלטים שלנו אמורים להתפתח ולהשתכלל מאוד במהלך השנה הקרובה, עם הפיכתו המיועדת של תקן ה-UFS 2.1 (ר"ת Universal Flash Storage) לבחירה המועדפת עבור רוב החברות, על פני ה-eMMC הוותיק ששירת אותנו בצורה נאמנה במשך שנים רבות.
אם המהלך החשוב הזה אכן יתגשם, ובשנת 2017 מרבית המכשירים החכמים יושקו מצויידים בזכרונות התקן החדש – יהיה על כולנו להודות, בין היתר, לחברת Silicon Motion הטאיוואנית, שמכריזה כעת על דור הבקרים החדש שלה שאמור לתרום רבות לקידום הטכנולוגיה הזו.
שני בקרי העידן החדש של החברה קיבלו את השמות SM2750 ו-SM2752, ומתבססים על עורק פיזי בודד או כפול מסוג HS-Gen.3 בהתאמה, לקבלת מהירויות העברה מירביות ענקיות של 600 מגה-בייט בשנייה ו-1,200 מגה-בייט בשנייה בהתאמה.
אם זה לא מספיק, שני הבקרים החדשים כוללים תמיכה בתקן ה-UFS 2.1 העדכני ביותר, עם טכניקות תיקון שגיאות קדמי ותאימות לזכרונות MLC, וגם TLC בטכנולוגיות ייצור מישוריות וגם תלת מימדיות. דגם ה-SM2750 מבטיח להעניק ביצועים אקראיים עם קבצי 4 קילו-בייט קטנים של עד 30,000IOPS בקריאה ועד 30,000IOPS בכתיבה, ואילו ה-SM2752 יוכל לנצל את הערוצים המקבילים שלו לביצועים אקראיים של עד 50,000IOPS בקריאה ועד 40,000IOPS בכתיבה – מרשים ומבטיח עד מאוד עבור יחידה זעירה שכנראה תשולב יחד עם זכרון LPDDR4X דינאמי במארז בודד בלוח הסמארטפון או הטאבלט.
אם הביצועים עצמם, שמתחילים להזכיר את אלו שניתן לקבל מכונני SSD (מבוססי תקן SATA בעיקר) בגודל מלא, לא מספיק מרשימים מבחינתכם, אולי התמיכה בנפחי שיא של 128 ג׳יגה-בייט, 256 ג׳יגה-בייט וגם 512 ג׳יגה-בייט (!) תעשה את העבודה – משום שגם כאן מדובר במספרים שדומים יותר למה שקיים בשוק המחשבים הניידים מבוססי החלונות, ולא בעולם המכשירים החכמים האולטרה-ניידים.
כאן זו הנקודה בה מוטב להבהיר כי Silicon Motion אינה מייצרת מארזי שבבים מוכנים לשימוש, אלא מציעה את בקרי השליטה הייעודיים שלה ליצרניות הזכרונות השונות, בכדי שאלו ישלבו אותו כשכבה נוספת במארזים יחד עם שבבי הזכרון הייעודיים שלהן – כך שלקוחות פוטנציאליות אשר עשויות לאמץ את צמד המוצרים החדש והמתקדם כוללות את טושיבה, סאנדיסק, SK Hynix, מיקרון ודומותיהן.
סמסונג היא מתחרה נוספת בתחום וזו שגם הכירה לנו לראשונה את יכולות ה-UFS הנהדרות לפני כמה שנים, אך היא מבצעת פיתוח עצמי הן של שבבי האחסון עצמם והן של בקרי השליטה – כך שניתן להצהיר כי המוצרים מבית Silicon Motion נועדו להוות תחרות ישירה עבורה – ואנחנו מקווים מאוד שתוספת הבחירה החשובה הזו תעניק ליצרניות המכשירים החכמים הניידים מבחר גדול הרבה יותר של מוצרי אחסון בתקן הטרי, שיגדילו את היקף השימוש בו וגם יקטינו את המחירים היחסיים בהתאם, באופן מתבקש.
בקרי ה-UFS 2.1 החדשים עתידים להתחיל בייצור מסחרי המוני במהלך החודשים הקרובים, כך שמכשירים ראשונים שיכילו אותם אמורים לצוץ מתישהו במחצית השנייה של 2017. נפחי האחסון המירביים המוצהרים יגיעו כנראה במועד מאוחר יותר, בשל היותם תלויים גם בייצור המוני של שבבי 3D NAND פורצי דרך בנפח של 512 ג׳יגה-ביט לכל שכבה – אך עם קצת מזל, כנראה שבמהלך שנת 2018 סמארטפונים עם חצי טרה-בייט של נפח אחסון זמין כבר לא ישמעו כמו פנטזיה רחוקה, אלא יהוו אפשרות יקרה (מאוד?) אך ממשית ומוחשית. זה בהחלט יוכל לחזק את המגמה המתרחבת של משתמשים אשר עבורם המכשיר הזעיר שבכיס הוא גם מערכת המחשוב המרכזית, או אפילו היחידה, שלה הם זקוקים בחייהם.
