תהליך ייצור של 20 ננומטר, שיתוף פעולה עם סמסונג בתהליך ייצור חדש של 28 ננומטר ועוד
שלוש שנים עברו מאז החליטה AMD להפוך לחברה ללא מפעלי ייצור בבעלותה (Fabless), ונראה ש-GlobalFoundries, יצרנית המוליכים למחצה שנוצרה כתוצאה מכך, מתחילה לצבור תאוצה רצינית.
בכנס ה-GTС 2011 (ר"ת Global Technology Confernce, להבדיל מכנס ה-GTC של NVIDIA ופסגת ה-GTS שנערכה בישראל מוקדם יותר השנה) חשפה החברה כמה מתוכניותיה העתידיות.
בחברה הודיעו על שיתוף פעולה עם סמסונג, במסגרתו פיתחו השתיים טכנולוגיית ייצור חדשה בתהליך של 28 ננומטר – LPH (ר"ת Low Power, High performance).
כפי שניתן להבין משמה, הטכנולוגיה החדשה מתיימרת לשלב את מאפייני צריכת האנרגיה הנמוכה של טכנולוגיית ה-SLP (ר"ת Super Low Power) עם עוצמת העיבוד שמציעה טכנולוגיית ה-HPP (ר"ת High Performance Plus).
הטכנולוגיה החדשה, שמכוונת אל מכשירים אולטרה ניידים (סמארטפונים, טאבלטים ונטבוקים), תיושם ב-4 מפעלים של שתי החברות ומבטיחה להציע קיצוץ של כ-60 אחוז בצריכת ההספק לצד ביצועים גבוהים בכ-55 אחוז באותה רמה של זליגת זרם לעומת מערכת על שבב שיוצרה בתהליך של 45 ננומטר בהספק נמוך (Low Power).
שיתוף הפעולה הזה צפוי להעניק לטכנולוגיה החדשה "גב" חזק ויכולת לספק כמויות גדולות של רכיבים באופן קבוע, תודות לסינכרוניזציה בין ארבעת המפעלים שיהיו מסוגלים לייצר את אותם השבבים בדיוק.
בחודשים האחרונים יצא לנו לחזות גם בשבבי ה-Exynos כפולי הליבה וגם בשבב ה-A5 שבאייפד 2, שנוצרו כולם בידי סמסונג והציגו רמות ביצועים מרשימות מאוד. האם הטכנולוגיה החדשה תסייע לסמסונג למצוא לעצמה לקוחות חדשים, וחשוב מכך – האם היא תשכנע את אפל שלא משתלם לה לחפש לעצמה יצרנית אחרת?
שיתוף פעולה של GlobalFoundries עם חברת Amkor (לא זו שמייצרת מקררים, זו שמתעסקת בציוד בדיקה למפעלי שבבים) אמור לסייע לחברה לפתח את תחום השבבים התלת מימדיים (3D packaging – יצירת שכבות של שבבים האחד על השני לצורך "דחיסה" של יותר טרנזיסטורים באותו נפח פיזי, בשונה מטכנולוגיות ה-FinFET וה-Tri-Gate של אינטל).
| שיפור מרשים מצפה לנו, לפחות "על הנייר" | |
יצרנית השבבים דיברה גם על תוכניותיה לעתיד הרחוק יותר – שנת 2012 צפויה להיות השנה בה תהליך ה-28 ננומטר יגיע לבשלות מלאה עם טכנולוגיות ה-SHP (ר"ת Super High Performance) וה-LPH שיצטרפו לטכנולוגיית ה-HPP, כאשר בשנת 2013 צפוי להתחיל הזינוק קדימה לעבר תהליך ייצור של 20 ננומטר.
תהליך ה-20 ננומטר יעבור מטכניקת ה-Gate First HKMG (ר"ת High K Metal Gate) הנהוגה כיום לטכניקת Gate Last HKMG. גישת ה-Gate Last אמורה לתפוס נפח פיזי גדול יותר, אך ב-GlobalFoundries טוענים כי חקרו את הנושא לעומק ומצאו כי בתהליך של 20 ננומטר החסרון הזה לא מגיע לידי ביטוי, בגלל מגבלות אחרות בליטוגרפיה עצמה.
תהליך הייצור המתקדם יביא עימו גם שינוי בטכנולוגיות המכוונות לכל תחום – טכנולוגיית ה-LPM (ר"ת Low Power Manufacturing, אם עוד לא נמאס לכם לעקוב אחרי שורת השמות המבלבלת הזו) תגיע בשנת 2013 ותיועד למגוון רחב של שימושים ניידים ונייחים, תוך שהיא מחליפה את טכנולוגיית ה-LPH וה-HPP של תהליך ה-28 ננומטר. בשנת 2014 צפויה להגיע גם טכנולוגיית ה- SHP ב-20 ננומטר, שמיועדת למחשוב עתיר ביצועים ותחליף את טכנולוגיית ה-SHP ב-28 ננומטר.
בחברה מבטיחים שיפור גדול במעבר לליטוגרפיה של 20 ננומטר – הכפלה בצפיפות שערי הטרנזיסטורים, שיפור של עד ל-35 אחוז במהירות וקיצוץ של עד 50 אחוז בצריכת האנרגיה לעומת טכנולוגיות 28 הננומטר השונות.
| טרנזיסטורי FinFET וליטוגרפיית EUV נמצאים במרחק כמה שנים טובות מיישום | קצת סדר בבלאגן הטכנולוגיות השונות |
בתקופה האחרונה שמענו לא פעם הצהרות על כך שעולם המעבדים המודרני מתקרב אל קצה גבול היכולת שלו. בינתיים – בהחלט נראה שיש עדיין למה לצפות.
