זוג ליבות Cortex-A15 במהירות 2GHz ועוד מאפיינים שומטי לסתות בשבב העתידי של הענקית הקוריאנית. Galaxy S4, מישהו?
אנחנו לא יודעים כמה זמן עוד תימשך החגיגה הזאת בעולם המכשירים האולטרה ניידים, אבל בינתיים נראה שלא עוברים כמה שבועות מבלי שנקרא על עוד חתיכת חומרה בעלת מאפיינים שגורמים לנו לשפשף את העיניים בפליאה. הפעם זהו תורה של סמסונג, קחו נשימה עמוקה.
לפני שניגש למנה העיקרית, שיעור היסטוריה קצר: מכשיר ה-Galaxy S2 של סמסונג (ועוד מספר מכשירים אחרים) מופעלים על ידי שבב ה-Exynos 4210 שיוצר בתהליך SiON (ר"ת Silicon Oxynitride) של 45 ננומטר.
השבב הציע זוג ליבות Cortex-A9 במהירות 1.2GHz (ואחר כך גם 1.4GHz) וליבה גרפית מסוג MP4 Mali-400 שעוצבה בידי ARM עצמה.
בחודש ספטמבר האחרון הציגה סמסונג גירסה משופרת של אותו שבב – ה-Exynos 4212, שמיוצר בתהליך HKMG (ר"ת High K Metal Gate) של 32 ננומטר שצפוי לאפשר שיפור של עד ל-40 אחוז בביצועים תחת אותה רמה של זרמי זליגה, וגם לצרוך הספק הנמוך בכ-30 אחוז מקודמו. השבב המדובר יציע 2 ליבות Cortex-A9 במהירות 1.5GHz ואותה ליבת Mali-400 MP4 שתפעל בתדר גבוה יותר ותציע ביצועים הגבוהים בעד ל-50 אחוז מאלו של הליבה הגרפית ב-Exynos 4210.
ה-Exynos 4212 אמור להיות בעיצומו של ייצור דוגמאות ממש עכשיו, ולהגיע אל השוק מתישהו בתחילת השנה הבאה. לא ניפול מהכיסא אם נמצא אותו מושך בחוטים בתוך מכשיר ה-Galaxy S הבא של החברה, כשזה יוכרז.
עכשיו, תאמרו שלום ל-Exynos 5250 – שבב הדור הבא (הבא) של חברת הענק מדרום קוריאה. השבב יציע זוג ליבות Cortex-A15 (כאמור, מהדור הבא) במהירות של 2GHz, שמבטיחות להכפיל את יכולות העיבוד של ליבות ה-Exynos 4212.
רוחב הפס של הזכרונות יהיה מרשים למדי ויעמוד על 12.8GBps והליבה הגרפית האנונימית בשבב החדש תביא עימה ביצועים של עד פי 4 מהליבה הגרפית בשבבים הנוכחיים של החברה – ניסוח מעורפל בלשון המעטה, אם כי אנחנו מעריכים ששתי המתמודדות הפוטנציאליות הן ליבת ה-Mali-T604 של ARM וליבת ה-PowerVR Rogue (ידועה גם כסדרה 6) של Imagination Technologies, היות ולסמסונג יש רשיון להשתמש בכל אחת מהן.
| בתמונה: שבבי הדור הבא של סמסונג. לא בתמונה: צרחות האימה של סוללות ליתיום-יון ברחבי העולם |
ה-Exynos 5250 ייוצר גם הוא בתהליך HKMG של 32 ננומטר, ויציע תמיכה ברזולוציות של עד ל-2560×1600 (אותה מתכננת סמסונג להציע במסך של 10.1 אינץ' לטאבלטים, לפי דיווחים קודמים). כפי שניתן לשים לב, הרבה פרטים בנוגע לשבב החדשני עדיין חסרים, אם כי מאפיין נוסף ומרשים מאוד שלו יהיה תמיכה בטכנולוגיית ה-Panel Self Refresh אותה ראינו גם בכנס ה-IDF האחרון – המסך יפסיק לבצע רענון תכוף ברגע שלא יהיה שינוי בתצוגה, מה שיאפשר את "כיבויה" של הליבה הגרפית לחסכון משמעותי מאוד בחיי הסוללה.
כמו כל השבבים שיתבססו על ליבות ה-Cortex-A15, ה-Exynos 5250 יופיע בשוק לקראת סוף שנת 2012, אז תצפה לו תחרות לא פשוטה בכלל מול מוצריהן של Qualcomm ,Texas Instuments ואחרות.
ועכשיו להימורים – באיזו גירסה של ה-Galaxy S נזכה לראות את השבב המאוד מרשים הזה?
