מפתחת השבבים סיימה את הפיתוח הראשוני של שבבי Cortex A15 בתהליך הייצור העתידי של TSMC
סמארטפונים חדשים ועתירי עוצמה כמו ה-iPhone 4S, ה-Galaxy Nexus או ה-Droid RAZR כבר לא ממש עושים לכם את זה? מחפשים עוד יותר עוצמה וחדשנות? ב-ARM עובדים במרץ בכדי להעלות חיוך על פניכם.
מפתחת השבבים, ששמה הפך לשגור בפי כל חובב טכנולוגיה בסביבה, מדווחת כי השלימה את פיתוחם הכללי של שבבי ה-Cortex A15 בתהליך ייצור של 20 ננומטר, שלב המכונה בלועזית Tape-Out ומסמל את הנקודה בה "השבלונה" של השבב מוכנה, בדרך לתחילת תהליך הייצור עצמו.
הפיתוח נעשה בשיתוף עם חברת Cadence ויצרנית השבבים TSMC, שבמפעליה עתיד להתבצע הייצור של השבבים המדוברים.
היום בו נראה את שבבי ה-20 ננומטר הללו בסמארטפונים ובטאלבטים שלנו אמנם עדיין רחוק (סדר גודל של שנתיים), אך מדובר בבשורה חשובה ומשמחת בכל זאת.
בכדי להבין את גודל הקפיצה הטכנולוגית שגלומה בתוך הכרזה זו, נזכיר לכם כי שבבי ה-ARM כיום מיוצרים בתהליך ייצור של 45 ננומטר בלבד (שבבי ה-Tegra 2 וה-Tegra 3 של NVIDIA מיוצרים בתהליך של 40 ננומטר).
| 28 ננומטר זו רק ההתחלה |
בתחילת השנה הבאה צפויה להיות זו Qualcomm שתבצע ראשונה את הקפיצה ל-28 ננומטר עם שבבי ה-Snapdragon S4 וליבות ה-Krait שלה, ובסוף שנת 2012 צפויים להגיע אל השוק שבבי ה-Cortex A15 הראשונים שייוצרו אף הם בתהליך של 28 ננומטר.
תהליך הייצור ב-28 ננומטר צפוי להציע מיזעור של מעל ל-50 אחוז ביחס לתהליך הייצור ב-45 ננומטר, ואילו תהליך הייצור ב-20 ננומטר צפוי להציע מיזעור נוסף של כ-50 אחוז ביחס לתהליך ה-28 ננומטר. בקיצור – בהחלט יש למה לצפות.
ההכרזה הנוכחית של ARM מגיעה בתקופה בה אינטל נמצאת בשלבי ייצור מואץ של שבבי ה-22 ננומטר בטכנולוגיית ה-Tri-Gate שלה, וזה נותן לנו הדגמה חיה נוספת ליתרון הטכנולוגי העצום שיש לה על מתחרותיה. בעוד שב-TSMC מתקשים (על פי הדיווחים השונים) להציע ייצור בנפח ראוי של שבבי 28 ננומטר ו"חולמים" על תהליך ייצור של 20 ננומטר, אינטל מייצרת שבבי 22 ננומטר "תלת מימדיים" – יתרון של שני דורות שלמים כמעט על פני יצרניות השבבים האחרות.
פער טכנולוגי גדול ככל שיהיה, ARM ושבביה הם עדיין השליטים הבלתי מעורערים של עולם המכשירים האולטרה ניידים, ואנחנו בהחלט מצפים לראות מה יציעו לנו שבבי ה-Cortex A15 בגרסאותיהם השונות.
