זכרונות פרו-חשמליים יעלימו את זכרונות ה-RAM?

זכרון מהיר שצורך 99 אחוז פחות הספק עשוי להיות הדבר הגדול הבא

בתקופה האחרונה הכרנו לכם כמה וכמה טכנולוגיות חדשניות אשר להן יש את הפוטנציאל הדרוש בכדי להחליף את זכרונות ה-RAM (ר"ת Random Access Memory) בהם כולנו עושים שימוש כיוםזכרונות Phase Change וזכרונות STT-MRAM, למשל, מבטיחים להיות זולים יותר ומהירים יותר מכל מה שראינו עד כה.

כעת אנחנו שומעים על מתחרה פוטנציאלי נוסף שמעוניין לשלוח את זכרונות ה-RAM אל בית האבות של עולם המחשבים – זהו הזכרון הפרו-חשמלי, אשר מוכר יותר בשם FeTRAM (ר"ת Ferroelectric Transistor RAM).
בדומה לחומר פרומגנטי (ferromagnetic), חומר פרו-חשמלי הוא כינוי לחומר אשר משנה את הקוטביות שלו כאשר מופעל עליו שדה חשמלי – מאפיין אידיאלי ליצירת מצבי "0" ו-"1" שהם הבסיס לכל מעגל דיגיטלי.

מהיר יותר וגם חסכוני יותר? אנחנו תמיד בעד

מדענים מאוניברסיטת פורדו (Purdue University) ניצלו את התכונה המעניינת הזו ויצרו טרנזיסטור אשר מורכב מננו-חוטים עשויים סיליקון ופולימר פרו-חשמלי.
הטרנזיסטור החדש אמור לאפשר יצירת זכרון בלתי נדיף (non-volatile, אשר שומר על מצבו גם במצב "כבוי") שיוכל להיות מהיר יותר מהזכרונות הקיימים כיום, אמין יותר וגם חסכוני יותר, הרבה יותר – המדענים אשר אחראים על הפיתוח טוענים שזכרונות FeTRAM יוכלו לצרוך 99 אחוז פחות הספק (הסבר לנתון המרשים הזה לא ניתן, לצערנו) מזכרונות פלאש מודרניים.

יתרון נוסף של זכרונות ה-FeTRAM הוא בכך שניתן לייצר אותם על ידי שימוש בטכניקות הייצור המקובלות כיום – טכנולוגיית ה-CMOS (ר"ת Complementary Metal Oxide Semiconductor), מה שבהחלט מגדיל את סיכוייהם של זכרונות אלו להגיע לכדי יישום מסחרי.

זכרונות אשר מתבססים על חומרים פרו-חשמליים הם אינם המצאה חדשה – זכרונות FeRAM אשר מתבססים לרוב על קבלים (ולא על טרנזיסטורים) נמצאים בשימוש מסחרי מצומצם זה שנים רבות. היתרון הגדול של זכרונות ה-FeTRAM החדשים הוא ביכולת לקרוא את המידע הנשמר מבלי לפגוע בו – מה שלא מתאפשר במסגרת זכרונות ה-FeRAM ה"פשוטים".

כמו כל חדשה מרעישה המגיעה אלינו מעומקיה של מעבדה זו או אחרת, גם הפעם ברור כי יעבור עוד זמן רב עד שטכנולוגיה זו תוכל להגיע לשלב בו היא זמינה לשימוש ממשי, ועל כן לא היינו ממליצים לכם לזרוק את זכרונות ה-DRAM שלכם לפח, בינתיים.