הענקית הקוריאנית מציגה שבב מתומן ליבות חדש בעל ליבה גרפית אימתנית, אשר לפי הדיווחים עתיד להוות את הבסיס למכשיר ה-Galaxy Note הבא שייחשף בקרוב
סמסונג מכינה את הקרקע להצגתו של ה-Galaxy Note III? החברה הקוריאנית הציגה גירסה מעודכנת לשבב ה-Octa Exynos מתומן הליבות שלה, אשר עשה את הופעת הבכורה שלו ב-Galaxy S הרביעי והוכיח לנו כי הוא אחד מהשבבים המתקדמים והעוצמתיים בקטגוריה כרגע.
גולת הכותרת של הדגם החדש שמספרו 5420 (לעומת 5410 שהיה מספרו של שבב ה-Exynos Octa הקודם והראשון) היא ליבה גרפית של חברת ARM מסוג Mali-T628 MP6.
ליבת ה-PowerVR SGX544MP3 של Imagination Technologies שבשבב ה-Exynos 5410 מציעה גם היא ביצועים גרפיים מרשימים מאוד, אך הליבה ב-Exynos 5420 אמורה להציע קפיצת מדרגה גדולה קדימה עם לא פחות משש יחידות עיבוד והתבססות על הדור השני של ארכיטקטורת ה-Midgard שמתבססת על מצללים מאוחדים.
טרם ראינו מספיק מביצועיה ויכולותיה של ליבת ה-Mali-T628 בכל תצורה באשר היא ועל כן עדיין קצת מוקדם לצאת בהצהרות גדולות, אך ההערכה המתבקשת היא שהליבה הגרפית של ה-Exynos 5420 החדש תתחרה בעיקר בליבת ה-Adreno 330 העתידית של קוואלקום, תוך שהיא עוקפת את כל הליבות שזמינות בשוק כיום.
| Mali-T628, תתחילו להתרגל לשם |
תיעוד של טאבלט רפרנס מבוסס שבב ה-Exynos 5420, ראש בראש מול שבב ה-Exynos 5250 של טאבלט הנקסוס 10:
בחזית ליבות העיבוד הכלליות יציע ה-Exynos 5420 ארבע ליבות Cortex A15 שיוכלו לפעול בתדר מירבי של 1.8GHz, בנוסף לארבע ליבות Cortex A7 חסכוניות שיוכלו לפעול בתדר מירבי של 1.3GHz - עלייה קטנה לעומת תדרים מירביים של 1.6GHz ו-1.2GHz בהתאמה ב-Exynos 5410.
סמסונג לא פירטה על כך באופן רשמי, אך ההערכות הן שגם השבב החדש יציע את מודל השימוש הפשוט ביותר של טכנולוגיית ה-big.LITTLE של ARM, כלומר - בכל רגע נתון יוכלו לפעול ארבעת ליבות ה-Cortex A15 יחדיו או ארבעת ליבות ה-Cortex A7 יחדיו.
יישומים עתידיים של טכנולוגיית ה-big.LITTLE יאפשרו מודלים מתקדמים יותר לשימוש עם הפעלתן של כל שמונת הליבות גם יחד (מה שייצור שבב מתומן ליבות "אמיתי") או הפעלה של כל שילוב בין שתי קבוצות הליבות בהתאם לסוג העיבוד הדרוש בכל זמן נתון, באופן שיאפשר ניצול משאבים אפקטיבי וחסכוני יותר. מדובר בעתיד מסקרן ומבטיח לשבבים מרובי הליבות, אך עושה רושם שנצטרך להמתין עוד קצת עד אשר נזכה לראות אותו מיושם בעולם האמיתי.
חזרה על ה-Exynos 5420. השבב החדש של סמסונג יציע תמיכה בזכרונות LPDDR3 בתדר של עד ל-1,866MHz בערוץ כפול (לעומת זכרונות LPDDR3 בתדר של עד ל-1,600MHz ב-Exynos 5410), מה שיעניק לו רוחב פס מירבי גבוה יותר של 14.9GBps.
שיפור משמעותי נוסף שלכאורה יביא עימו שבב ה-Exynos 5420 (בהתבסס על הצהרה באתר anandtech.com) הוא תיקון של באג בשבב ה-Exynos 5410 שמוכר בשם CCI Bug.
מדובר בהטמעה לקויה של ממשק החיבור בין ליבות השבב לזכרון המטמון שבו אשר הביאה לביטולו באופן ידני ב-Exynos 5410, מה שהצריך את העברתו של המידע מזכרון המטמון לזכרון הדינמי של המכשיר בכל פעם שנעשה מעבר בין השימוש בארבעת ליבות ה-Cortex A15 לשימוש בארבעת ליבות ה-Cortex A7 ולהיפך (במקום המצב התקין בו ממשק התקשורת בין שתי קבוצות הליבות איפשר למידע להישאר בזכרון המטמון המהיר ללא צורך בהזזתו למיקום אחר), מה שגרם להרעה בביצועים ולבזבוז חיי סוללה עקב התזוזה המיותרת של המידע.
בהתחשב בכך שסמסונג לא ממש מדברת על באג ה-CCI באופן פומבי, יהיה די קשה לדעת האם הוא אכן נפתר בשבב החדש - נותר רק לקוות שהתשובה היא חיובית.
שבב ה-Exynos Octa 5420 יגיע לשלב הייצור ההמוני בחודש אוגוסט הקרוב, מה שהופך אותו באופן טבעי למועמד עבור הסמארטפון הגדול הבא מבית סמסונג - ה-Galaxy Note III, שכנראה יוצג רשמית במהלך החודשיים הבאים.
הדיווחים העדכניים טוענים כי ה-Galaxy Note השלישי יציע מסך בגודל 5.7 אינץ' ברזולוציית FullHD, זכרון RAM בנפח 3GB,מצלמת 13 מגה פיקסל, עיצוב דומה לזה של ה-Galaxy S4 ואת שבב ה-Exynos 5420, בנוסף לשבב ה-Snapdragon 800 של קוואלקום בגירסאות לשווקים אחרים.
| Galaxy Note III (מצד שמאל, לכאורה) יהיה הסיפתח עבור השבב החדש והמתקדם? |
בין אם הדיווחים בנוגע ל-Note III מדוייקים ובין אם לא, אנחנו כבר ממתינים בקוצר רוח לקרב השבבים הגדול של הדור הבא, בין הטוב ביותר שיש לסמסונג להציע לטוב ביותר של קוואלקום. ידה של מי תהיה על העליונה הפעם? אתם מוזמנים לספר לנו מה אתם חושבים בתגובות.
