שבב ה-Exynos 9825 שמפעיל את מכשירי ה-Note 10 מציע מאפיינים שזהים כמעט לגמרי לאלו של שבב ה-Exynos 9820 אותו כבר הכרנו בתחילת השנה – אך הוא מבוסס על טכנולוגיית ייצור חדשה ומבטיחה בהחלט שתוכל להשתלט על התחום בשנים הקרובות
לא ציפינו לבשורות משמעותיות מדגמי ה-Galaxy Note 10 וה-Galaxy Note 10 Plus בכל הנוגע לכוח העיבוד שלהם, משום שבאופן מסורתי התרגלנו לראות במכשירים חכמים אלו שימוש בשבבים דומים מאוד או זהים לאלו של דגמי ה-Galaxy S מאותה השנה שהושקו כמה חודשים קודם לכן – אך הגלגול הנוכחי מבית סמסונג עשוי להיות קצת שונה, ולהביא איתו בשורה שתהפוך למשמעותית במיוחד במורד הדרך.
יום לפני ההכרזה על דגמי ה-Note 10 עצמם קיבלנו הכרזה רשמית צנועה הרבה יותר עבור שבב ה-Exynos 9825 הטרי – שמהווה את המוצר המסחרי הראשון המבוסס על תהליך הייצור של סמסונג ב-7 ננומטר, 7LPP, הכולל שימוש ראשוני בטכנולוגיית ה-Extreme Ultra Violet המבטיחה והמסקרנת.
על הנייר ה-Exynos 9825 זהה כמעט לחלוטין לשבב ה-Exynos 9820 אשר כיכב בדגמי ה-Galaxy S10 השונים החל מחודש מרץ השנה, עם שתי ליבות עיבוד מתקדמות מסוג M4 בפיתוח ייעודי של סמסונג עצמה שמגיעות לתדר 2.73GHz (ללא שינוי), עוד זוג ליבות Cortex A75 עוצמתיות בתדר של עד 2.4GHz (עלייה זעירה לעומת תדר של 2.31GHz ב-Exynos 9820) וארבע ליבות Cortex A55 בתדר של 1.95GHz (ללא שינוי) – כל אלו בתוספת ליבת Mali-G76MP12 גראפית שגם היא לא עברה שינוי כלשהו.
הליבה הגרפית פעלה בתדר של עד 708MHz בשבבי ה-Exynos 9820, ולמרות שאנחנו עדיין לא יודעים מהו תדר העבודה המירבי ב-Exynos 9825 ניתן להעריך בזהירות כי לא יהיה כאן זינוק אימתני כלשהו אלא תוספת מתונה (אם בכלל) שתשפר את היכולות באחוזים בודדים, בדומה ליחסי הכוחות בליבות העיבוד הכלליות. אז מדוע השבב הטרי של ה-Note 10 וה-Note 10 Plus הוא בכל זאת חשוב ומיוחד?
את ה-Exynos 9820 יצרה סמסונג בתהליך הייצור שלה ב-8 ננומטר, שהוצג תחילה בתור הדור השני לייצור ב-10 ננומטר אך שינה לבסוף את שמו במסגרת מעין מלחמת שיווק של יצרניות השבבים שנועדה להבליט את תחושת ההתפתחות הטכנולוגית הבלתי פוסקת בתחום – וה-Exynos 9825 הוא השבב המסחרי הראשון אשר נוצר בדור השני של תהליך הייצור מבית סמסונג ב-7 ננומטר (הדור הראשון לא הבשיל לשימוש מסחרי עד כה, ויתכן כי לא יבשיל לכך לעולם) אשר עושה שימוש ראשון מסוגו במקורות אור חדשניים של 13.5 ננומטר בחלק משעות תהליך הייצור.
תהליכי ייצור השבבים המודרניים כוללים, בין היתר, שימוש במסיכות זעירות ומיוחדות על גבי מצע סיליקון והפעלת מקור אור ליצירת השינויים הנדרשים בחומר לתפקוד בתור טרנזיסטורים זערוריים – ועד כה השימוש העדכני והנפוץ ביותר היה במקור אור של 193 ננומטר (Deep Ultra Violet – DUV) אשר דרש שימוש ביותר ויותר "טריקים" על מנת לאפשר יצירתם של אלמנטים של כמה עשרות ננומטרים בלבד על גבי מצע הסיליקון המדובר.
מעבר אל שימוש במקור אור מתקדם באורך גל של 13.5 ננומטר בלבד יוכל לפשט ולהאיץ משמעותית את תהליכי הייצור המודרניים והעתידיים בשוק, וכמו כן לספק דיוק גבוה משמעותית התוצרים שיביא לביצועים משופרים עם זרמי זליגה נמוכים.
סמסונג היא הראשונה בשוק שמשלבת בהצלחה את טכנולוגיית ה-EUV בקו ייצור שבבים מסחרי, ולמרות העובדה שהמוצר עצמו אינו חדש לחלוטין אלא עבר למעשה "המרה" מתהליך ייצור קודם מדובר בהתפתחות חשובה שמגיעה לאחר שנות דחייה רבות – הערכות מוקדמות חזו לנו מעבר לשימוש ב-EUV עוד בתהליכי הייצור ב-14 ננומטר וב-10 ננומטר, מה שלא קרה לבסוף בשל העובדה שהיכולת פשוט לא הייתה בשלה לפעולה המונית תקינה.
יהיה מעניין בהחלט לגלות, ממש בקרוב, את השיפורים האפשריים שמסתיר ה-Exynos 9825, ומכשירי ה-Note 10 באופן כללי, מתחת לפני השטח – אבל גם אם לא נקבל שינויים מרחיקי לכת ראוי לציין את החשיבות שבהתנסות וההשתפשפות של סמסונג ויצרניות אחרות בטכנולוגיה, לפני שילמדו כיצד למצות את כל יכולותיה ויתרונותיה ויחלו להעביר אותם גם אלינו הצרכנים והמשתמשים.
