5 ננומטר בפתח: חברת TSMC מדברת על דור השבבים הבא • HWzone
מחשביםמעבדיםטכנולוגיה

5 ננומטר בפתח: חברת TSMC מדברת על דור השבבים הבא

ספקית השבבים הגדולה ביותר בשוק עבור חברות אחרות מציגה נתונים אופטימיים עבור ליטוגרפיית הדור הבא, עם תכנון לייצור בהיקפים מסחריים החל מתחילת השנה הבאה

קבלו עדכונים לפני כולם בטלגרםקבלו מאיתנו עדכונים לפני כולם - בטלגרםהצטרפו כבר עכשיו לערוץ הטלגרם של הזון


טכנולוגיות ייצור שבבים ב-7 ננומטר נחשבות לצעקה האחרונה בתחום נכון לרגע זה, אך האם יתכן שכבר במהלך שנת 2020 הן יהפכו לחדשות ישנות ויפנו בהדרגה את מקומן עבור שיטות דחוסות ויעילות אפילו יותר? זו התוכנית המלהיבה של הטאיוואנית שמקבלת חיזוק עתה.

ביצרנית השבבים המרכזית הכריזו כי ייצור ראשוני של וייפרים מסיליקון בליטוגרפיית 5 ננומטר, או N5 כפי שהיא מכונה בשם הקוד שלה, מספק ניצול של כ-80 אחוזים משטח מצע הסיליקון בממוצע ואף מעל ל-90 אחוזים משטח מצע הסיליקון במקרים הבולטים לחיוב – במילים אחרות כ-80 אחוזים מכלל השבבים שנוצרו על אותו מצע סיליקון בקוטר 300 מילימטרים עברו את הבחינות הבסיסיות שלהם והוכתרו תקינים וראויים לשימוש בהתאם לתכנון והייעוד המקוריים.

העתיד של בעולם השבבים לא מאט – אלא אפילו מאיץ

מדובר בנתונים טובים מאוד בשלב מוקדם כזה של תהליך הפיתוח, אשר מיועד להתבסס על מקורות EUV (ר"ת Ultra Violet – תחריטים בהקרנות אור באורכי גל קצרים במיוחד) ברוב שלביו ולאפשר דחיסות גבוהה פי 1.84 בהשוואה לתהליכי הייצור החדישים ב-7 ננומטר – וב- מלאים בבטחון כי יוכלו להתחיל בייצור שבבים בהיקפים מסחריים כבר במהלך החודשים הראשונים של שנת 2020, כך שיישום מעשי של שבבי 5 ננומטר מוכנים במוצרים בשוק יגיע לפני סוף השנה הבאה, לכאורה.

היצרנית הטאיוואנית הצליחה לספק בהצלחה תהליך ייצור משופר ללקוחותיה מדי שנה בתקופה האחרונה – וכעת יש סיכוי לא רע שהמגמה הזו תמשיך גם בשנתיים הקרובות, ותספק תחרות משמעותית גם לתהליך ה-7 ננומטר העתידי של שמתוכנן ל-2021

לפי הצפיפות המשוערת של שבבים מובילים עדכניים שמבוססים על תהליכי הייצור של ב-7 ננומטר, שמגיעה בשיאה לכ-95 מיליון טרנזיסטורים בכל מילימטר רבוע – ניתן לשער כי דור 5 ננומטר יגיע לרמת צפיפות מטורללת של כ-170 מיליון טרנזיסטורים למילימטר רבוע, או עד 17 מיליארד טרנזיסטורים (!) בשבבי מובייל שמאופיינים לאחרונה במימדים קרובים ל-100 מילימטרים רבועים. המספר הסופי עשוי להיות נמוך יותר כמובן, אך זה עדיין יהיה הישג הנדסי יוצא מן הכלל ועתידני למופת עבור עולם העיבוד.

טכנולוגיית ה- תופסת מקום משמעותי יותר ויותר בשלבי הייצור החדשים – ומגדילה את הפוטנציאל לקבל שבבים תקינים, איכותיים ויעילים בהשוואה למקורות ה-DUV שיכולותיהם נמתחו עד לקצה גבול היכולת הפיזיקלי (ואולי גם קצת מעבר) בחצי העשור החולף

נכון לרגע זה נתוני ניצול הוייפר בליטוגרפיית 5 ננומטר מתבססים על ייצור נסיוני של שבבי SRAM (ר"ת Static Random Access Memory) זעירים במיוחד בגודל כל כ-5 מילימטרים רבועים בלבד לכל יחידה, כך שבאופן טבעי ייצור של שבבים גדולים יותר כמו אלו שנמצאים בשימוש בסמארטפונים וטאבלטים (עשרות מילימטרים רבועים) עתיד להיות מתורגם לאחוז ניצול נמוך משמעותית – אך זו בכל מקרה נקופה פתיחה טובה וחשובה, שממנה אפשר וצריך להמשיך להשתפר בהתמדה עד ליעד אשר יהפוך את הייצור ההמוני לכלכלי והגיוני.

האם יתכן שנראה את שבבי הדור הבא במובייל מבית אפל, ו- מתבססים על ייצור ב-5 ננומטר בתוך פחות משנה מרגע כתיבת שורות אלו? השמועות על כך כבר מתרוצצות להן ברשת, אם כי טבעי להניח שיש עוד לא מעט מכשולים בדרך שצריך לעבור עד אז, כך ששום דבר עוד לא חקוק בסלע. נמשיך לעקוב באופן נלהב אחר התפתחויות בנושא ונעדכן אתכם בצורה שוטפת!


תגיות

3 תגובות

  1. אינטל ביינתים אמרו ש14nm+++++++++++ בתהליכי פיתוח מתקדמים.
    כשAMD יהיו על 5 nm מעניין על איזה תהליך ייצור אינטל יהיו.
    כרגע מפת הדרכים האופטימית של אינטל מדברת על 7nm ב2021 וזה בלי עיכובים.

    1. לא הבנתי.
      למי יש כרגע בצועים יותר טובים, ל7NM או ל 14NM?

      1. 8 ליבות של אינטל צורך 140 וואט 16 ליבות של amd צורך 145 וואט.
        בואי תגידי לי את מה עדיף ומה יתן יותר ביצועים 16 ליבות או 8 באותה צריכת חשמל.
        או שאת מדברת על היתרון של ה10 fps בחלק מהמשחקים עם כרטיס מסך rtx 2080 ti וברזולוציה של 1080p .

כתיבת תגובה

Back to top button
Close
Close