צעד קטן נוסף בדרך להגשמת החזון המקורי עבור ביצועים של עד 12,600MT/s בדור החדש
לפני ארבעה חודשים בדיוק סיפרנו לכם על שיא המהרה חדש של מודול DDR5 מבית GIGABYTE, אותו הצליח להביא האוברקלוקר המוכר HiCookie לתדר 5,567.5MHz (ומהירות אפקטיבית של 11,136MT/s בשל קצב הפעולה הכפול המוכר במנגנון ה-Dual Data Rate שגם מעניק לו את שמו). כעת יש שיאן חדש בשטח, שמציב את חברת G.Skill חזרה בפסגה עם תדר פעולה של 5,600.6MHz – ומהירות אפקטיבית של 11,202MT/s.
שילוב בין מעבד Core i9-13900KS של אינטל, לוח ROG Maximus Z790 Apex של אסוס, צמד מודולים בנפח 16GB כל אחד מסדרת Trident Z5 של G.Skill, עם מהירות בסיס מאומתת של 7,800MT/s במקור (שבבים מבית SK Hynix), והרבה חנקן נוזלי לקירור של החומרה הרבה מתחת לאפס צלסיוס – הביאו יחד את ההישג החדש שמהווה כעת שיא עולמי מאומת בידי האתר HWBot המתמחה בריכוז מידע על המהרות חסרות תקדים.
קצב צבירת השיאים במסגרת זכרונות ה-DDR5 הואט משמעותית בתקופה האחרונה, כפי שניתן לראות גם מגרף שמתעד את שיאי המהירות השונים שנצברו מאז שהמודולים הראשונים בטכנולוגיה הגיעו אל החנויות במהלך 2021 (שיפור של 0.65 אחוזים מאז אוקטובר 2020) – אך כל התקדמות כזו היא מבורכת מבחינתנו, כאשר ההנחה היא שתוספת מהירות בחוד החנית תחת קירור אקזוטי תוכל לתרום במורד הדרך גם להופעתם של מודולים מסחריים בעלי מהירות מאומתת גבוהה יותר, מעבר לרף של 8,200MT/s שהציבה G.Skill בתור נקודת השיא בחודש שעבר.
כל הכרזה על שיא המהרה עבור מודולים של DDR5 מחזירה אותנו אל ההכרזה המפורסמת של חברת ADATA על כך שהביצועים בדור הנוכחי יוכלו להגיע בשיאם עד ל-12,600MT/s – מספר שנשמע דמיוני בהחלט ב-2021 כאשר המודולים הסטנדרטיים בשוק הסתפקו במהירויות של 4,800MT/s עד 5,600MT/s בלבד. שיאי ההמהרות בהחלט מקרבים אותנו אל המטרה, אך נכון לעכשיו ספק אם ניתן יהיה להשיג אותה בהתבסס על השבבים הקיימים בשוק.
עם זאת, נמשיך להחזיק אצבעות לכך שהגל הבא של שבבי RAM מבית Hynix, סמסונג ומיקרון יהיה יעיל, חסכוני ומתקדם אף יותר ויאפשר את המשך ההתקדמות בתדרים ובמהירויות – גם כאשר עושים שימוש בחנקן נוזלי וגם כאשר פועלים בטמפרטורת החדר.
