ספקיות הזכרונות G.Skill ו-Corsair מנהלות מירוץ מרשים ומעניקות לנו זכרונות דינאמיים עם ביצועים שוברי שיאים – גם למחשבים נייחים וגם למחשבים ניידים
G.Skill ו-Corsair אינן מייצרות שבבי זכרונות דינאמיים (או כל שבב אחר, למעשה) בעצמן, אך זה לא מונע מהן לדבוק בתחרות מרשימה שמנקזת כל טיפת פוטנציאל מחומרת ה-DDR4 הזמינה בתחום ומעניקה לנו שיאים חדשים של ביצועים ומהירות מדי כמה חודשים.
לפני זמן מה, היו אלו קיטים כפולים חדשים דומים משתי המתחרות בנפח כולל של 16 ג'יגה-בייט (צמד סטיקים בנפח 8 ג'יגה-בייט האחד) ובמהירות אפקטיבית של לא פחות מ-4,600MT/s, שיועדו עבור פלטפורמת ה-X299 החדשה של אינטל, עם רוחב פס מתקבל של כמעט 60 ג'יגה-בייט בשנייה, או קרוב ל-120 ג'יגה-בייט בשנייה בעת אכלוס כל ארבעת הערוצים הזמינים בדרך אל המעבד – ובמחירים מומלצים של מעל ל-500 דולר.
כעת, ההיצע הופך מרשים אפילו יותר עם הכרזה של Corsair על קיטים מרובעים בנפח כולל של 32 ג'יגה-בייט (ארבעה סטיקים בנפח 8 ג'יגה-בייט כל אחד), שנבדקו והותאמו לפעול במהירות אפקטיבית של 4,333MT/s, במתח סטנדרטי יחסית של 1.35 וולט (לעומת מתח של 1.5 וולט בקיטים הכפולים מהפסקה הקודמת) – שנטרפה כמעט מיד על ידי הכרזה של G.Skill על קיט מרובע משלה בנפח זהה שמצליח להגיע למהירות אפקטיבית של 4,400MT/s, במתח 1.5 וולט, ועם תזמונים משופרים של CL19-19-19-39. המחירים לא פורסמו פומבית, אך סביר להניח כי הם יהיו בני ארבע ספרות – בדולרים, כמובן.
חשבתם שזה הכל? כעת התחרות העיקשת בין שתי החברות עוברת לשוק זכרונות ה-SO-DIMM הניידים, כך נראה, עם הכרזה של Corsair על קיט מרובע בנפח 32 ג'יגה-בייט בעל מהירות אפקטיבית של 4,000MT/s במתח 1.35 וולט, אשר מעניק רוחב פס כולל של כ-51 ג'יגה-בייט בשנייה למחשבים ניידים מהקצה העליון (או ללוחות אם זעירים שעושים שימוש בתצורה זו) ויעלה למעוניינים כ-600 דולר. הכרזה זו לוותה בהשקה נגדית של G.Skill, פעם נוספת, עם קיט מרובע משלה בנפח ומהירות אפקטיבית זהים, אך בתזמונים מרשימים עוד יותר של CL18-18-18-38 תחת אותו מתח עבודה של 1.35 וולט.
מה שמבטיח אפילו יותר מההיצע הקיים הוא העובדה שסמסונג רק הכריזה על שבבי הדור החדש שלה, עם מהירויות בסיס גבוהות עוד יותר של 3,600MT/s, כך שאם לוקחים בחשבון כי כל התוצרים הקיימים מתבססים על שבבי DDR4 בתהליך ייצור ברמה של 20 ננומטר עם מהירות בסיס של 2,666MT/s או תהליך ייצור ברמת 10 ננומטר עם מהירות בסיס של לא יותר מ-3,200MT/s – נראה כי כבר ניתן להתחיל לפנטז על שיאי רוחב פס חדשים עבור השנה החדשה, עם מהירויות שעשויות לחצות את רף ה-5,000MT/s בשוק הגבוה. כל זאת עוד מבלי שדיברנו כלל על תקן ה-DDR5 המתהווה לו אי שם באופק.
