הציגה זכרון DRAM חדש למכשירים ניידים בעל נפח תעבורה גדול פי 4 מה-LPDDR2
הסמארטפונים (ועל אחת כמה וכמה הטאבלטים) הולכים ומתקרבים בצעדי ענק אל המחשבים הנייחים והניידים, הן ביכולות העיבוד שלהם והן בפונקציונליות (ויש כאלו שיטענו שכבר עתה מדובר במחשבים לכל דבר), ועל כן זה נראה טבעי לצפות ששיפורים עתידיים ברכיבי החומרה של המכשירים הניידים יכניסו אותם לקאליבר הביצועים של "אחיהם הגדולים".
כאן נכנסת לתמונה סמסונג (כיאה ליצרנית השבבים הגדולה בעולם), שמציגה בגאווה זכרון DRAM חדש ומרשים במיוחד המיועד למכשירים ניידים, אשר מבטיח לספק רוחב פס של עד 12.8GBps(!) – פי 8 מזכרון DDR נייד (אשר מסוגלים לספק רוחב פס של עד כ-1.6GBps) ופי 4 מזכרונות ה-LPDDR2 (ר"ת Low Power DDR2) הנמצאים בשימוש במכשירים מתקדמים כיום, ויכולים לספק רוחב פס של עד 3.2GBps.
סמסונג השתמשה בטכנולוגיית ייצור ברמת 50 ננומטר (50nm class) ויצרה שבבי זכרון מהסוג החדשני (המתואר כ"Wide I/O DRAM") בנפח של 128MB, כאשר המבנה הייחודי של שבבים אלו (512 פינים להעברת מידע וכ-1200 פינים סך הכל, לעומת 32 פינים בלבד ב"דור זכרונות ה-DRAM הניידים הקודם") איפשר לסמסונג להגיע לנפח התעבורה המרשים, וגם להוריד את צריכת האנרגיה ב-87 אחוז(!!) ביחס לזכרונות ה-DDR הניידים.
מהפיכה? יכול להיות. זכרונות ה-Wide I/O מתחילים להזכיר את נפחי התעבורה של זכרונות ה-DDR3 (שמגיעים לרוחב פס של כ-25GBps ואף יותר בערוצים כפולים ומשולשים), ומהווים קפיצת מדרגה בתחום שהיה תקוע במקום במשך תקופה ארוכה למדי, תוך שהם מציעים "את הטוב מכל העולמות" עם רוחב פס מרשים וגם חסכון משמעותי בצריכת האנרגיה.
| LPDDR2: מחשבים את קיצם לאחור? |
סמסונג נמצאת בחזית הטכנולוגיה בכל הקשור לזכרונות DRAM באופן קבוע, ואחרי שהייתה זו שהציגה זכרונות LPDDR2 בגודל 128MB בשנת 2009, זכרון LPDDR2 בגודל 256MB ו-512MB בשנת 2010 (וגם את זכרונות ה-DDR4 הראשונים, על הדרך), היא מתכננת להביא את זכרונות ה-Wide I/O לשוק בתרועה רמה, עם ייצור בליטוגרפיה ברמה של 20 ננומטר ועם נפח של 512MB, מתישהו בשנת 2013.
סמסונג הוסיפה כי שוק זכרונות ה-DRAM הניידים צפוי לתפוח לכדי 16.5 אחוז מכלל שוק זכרונות ה-DRAM עד שנת 2014 (לעומת 11.1 מכלל השוק בשנת 2010), כאשר סמסונג ללא ספק מעוניינת לתפוס חלק נכבד בהתרחבות זו, יחד עם הזכרונות החדשים והמבטיחים שלה.
עד כמה גדול יהיה השינוי שיציעו זכרונות ה-Wide I/O על פני הזכרונות העכשוויים? נצטרך לחכות ולראות, אך אין ספק כי מדובר בהתקדמות מבורכת, שתתאים לשיכלולים הבלתי פוסקים בתחום הליבות המרכזיות והליבות הגרפיות של המכשירים הניידים.
