בתחילת השנה הציגה אינטל לראשונה שבב SRAM המיוצר בטכנולוגיית הייצור החדשה שלה, ליתוגרפיית 45 ננומטר, ולפני מספר חודשים חשפה פרטים ראשונים על המעבדים אשר ייוצרו על בסיס טכנולוגיה זו. כעת מגיע גם תורה של AMD, אשר יחד עם IBM הציגה השבוע פרטים ראשונים אודות הטכנולוגיה המקבילה שלה, שתשמש לייצור מעבדים בליתוגרפיית 45 ננומטר. AMD חשפה לראשונה שבב SRAM המיוצר ב-45 ננומטר באפריל השנה אך ללא מידע נוסף. AMD ו-IBM הן החברות הראשונות להשתמש בטכנולוגיית Immersion Lithography, באורך גל של 193 ננומטר, בתהליך הייצור שלהן. זאת יחד עם מבודדי Ultra-Low-k וטכניקות Strained Silicon משופרות. לפי המידע שנחשף עכשיו שבב שכזה, המיוצר בליתוגרפיה זו, מציג שיפור של כ-15 אחוזים בביצועים.
המעבדים הראשונים המיוצרים בתהליך ייצור זה צפויים להגיע באמצע 2008, כך שהיא מתכוונת לעמוד ביעד של מעבר מ-65 ל-45 ננומטר תוך 18 חודשים. אין ספק שמדובר בצעד משמעותי עבור החברה שנדרשו לה 26 חודשים על מנת לעבור מ-90 ל-65 ננומטר.
שתי החברות החלו את שיתוף הפעולה שלהן בתחום המחקר ופיתוח אי שם בינואר 2003 ובנובמבר של השנה שעברה הן הודיעו על הארכת שיתוף הפעולה עד 2011 במהלכו הן ימשיכו לעבוד יחד על פיתוח טכנולוגיות חדשות לתהליכי ייצור ב-32 ואף ב-22 ננומטר.
