הישר מכנס IDF Fall 2006 של אינטל, המתקיים בארה"ב
לספק 40 מיליון מעבדי 65 ננו-מטר לפני ששאר התעשייה מסוגלת לספק אפילו מעבד אחד שכזה הוא הישג בפני עצמו. אולם באינטל לא מתכננים לעצור כאן וכבר עובדים במרץ רב על הכנת תהליך הייצור של 45 ננו-מטר לייצור המוני.
ב-2003 הוצג הדור הראשון של ה-Strained Silicon בתהליך ייצור של 90 ננו-מטר, יחד עם השקת מעבדי הפנטיום 4 המבוססים על ליבת ה-Prescott. מעבדים אלו לא היו הצלחה גדולה מבחינת פליטת החום שלהם וב-2005 הציגה אינטל את הדור השני של Strained Silicon, הפעם בתהליך ייצור של 65 ננו-מטר, יחד עם השקת מעבדי פנטיום 4 חדשים יותר המבוססים על ליבת ה-Cedar Mill. כמו-כן, החודש, הייתה זו הפעם הראשונה בה אינטל שיווקה יותר מעבדי 65 ננו-מטר ממעבדי 90 ננו-מטר. המעבד הראשון המיוצר בליתוגרפית 65 ננו-מטר היה ה-Extreme Edition 955 אותו השיקה החברה ממש ערב שנת 2005. את שאר המעבדים, כמו מעבדי ה-Core Duo לניידים, השיקה אינטל ימים ספורים לאחר מכן, במהלך תערוכת CES 2006.
במעמד IDF Fall 2006, הודיע פול אוטליני כי במחצית השנייה של 2007 תשיק את אינטל את מעבדיה הראשונים המבוססים על תהליך הייצור המתקדם יותר של 45 ננו-מטר. זו הפעם הראשונה בה אינטל מאשרת באופן רשמי את מועד ההגעה של מעבדים אלו לשוק. נוסף על כך, אלו כמובן יהיו גם המעבדים הראשונים בכלל בתעשייה המבוססים על תהליך ייצור זה. למי שלא יודע, אלו הם כמובן המעבדים המבוססים על ליבות ה-Penryn (כפול ליבה לניידים) וה-Wolfdale (כפול ליבה לשולחניים) הכה מדוברות.
כיאה ל-IDF, גם כאן סופקה הפתעה כשבמסדרונות הכנס נפוץ מידע על ליבה שלישית, Yorkfield שמה, אשר עליה יתבססו המעבדים מרובעי הליבה לשולחניים. ליבה זו תירש את מקומה של ליבת Kentsfield, שתושק בנובמבר ותהווה את הדור הראשון של מרובעי הליבה של אינטל. על פי הערכות הדור השני של מרובעי הליבה צפוי להיות הפעם הראשונה שבה אינטל תשיק מעבדים מונוליתים שכאלו. הווה אומר, בניגוד למצב היום, שבו ליבת Kentsfield תהיה מורכבת משתי ליבות Conroe, הליבה החדשה תהיה מורכבת מ-4 ליבות שונות על אותה פיסת סיליקון וכך יחלקו את זכרון המטמון מסוג L2. מעבדים אלו צפויים להגיע כנראה כבר ברבעון השלישי של 2007 וה-FSB שלהם יעמוד על 1333MHz.
כרגע, יש לאינטל מפעל אחד פעיל, Fab D1D שבאורגון, שהשקעתו עומדת על 3 מיליארד דולר, יש לו חדר נקי בגודל 212 אלף רגל מרובע, וייצור המוני של מעבדי 45 ננו-מטר צפוי להתחיל בו במחצית השנייה של 2007. אולם באינטל עובדים על שני מפעלים נוספים: Fab 32 באריזונה, אשר יחל לפעול במחצית השנייה של 2007, ו-Fab 28 בישראל, שיחל לפעול במחצית הראשונה של 2008. בסך הכול, מדובר בהשקעה של 9 מיליארד דולר עבור הקמת שלושת מפעלים אלו, וגודל החדר הנקי של שלושתם הוא חצי מיליון רגל מרובע.
ה-Penryn ונגזרותיה יסמנו את השלב האבולוציוני המתקדם יותר של ארכיטקטורת ה-Core, מעבר מ-65 ננו-מטר ל-45 ננו-מטר. באינטל מבטיחים תוספת ביצועים של 20% והקטנת זרם הזליגה פי 5. את התכנון של ליבה זו יסיימו באינטל ברבעון הבא, כלומר, עוד במהלך 2006 ויש כבר 15 מוצרים נפרדים המתוכננים לתהליך הייצור החדש. אבל באינטל, כפי שאנחנו כבר יודעים, מסתכלים 5 צעדים קדימה, תוך שאיפה להציג טכנולוגיות סיליקון (תהליך ייצור) ומיקרוארכיטקטורות חדשות כל שנתיים. על פי דדי פרלמוטר, המודל נקרא Tick-Tock Model (מודל טיק-טוק) לפיו מתחילים עם מיקרוארכיטקטורה חדשה, מציבים עליה את הצוות הטוב ביותר (צוות טיק) ומסיימים את הפיתוח שלה. לאחר מכאן, צוות הטוק מכווץ אותה לתהליך ייצור מתקדם יותר, ובמקביל, צוות טיק חדש, עובד על פיתוח המיקרוארכיטקטורה הבאה בתור, וכך חוזר חלילה.
לפי מודל זה בדיוק, ב-2008 תגיע המיקרוארכיטקטורה החדשה, Neahlem, שתתבסס על 45 ננו-מטר, ב-2009 היא תכווץ ל-32 ננו-מטר וב-2010 תגיע מיקרוארכיטקטורה חדשה יותר, Gesher, שתתבסס על 32 ננו-מטר כמובן. באינטל מתחייבים לשיפור של 300% (פי 4) בביצועי צריכת חשמל בין ה-Core וה-Gesher שתגיע לקראת סוף העשור.
