כשמדברים שמעבד מיוצר ב 90 ננומטר  מתכוונים לגודל הטרנסיטור אם לא  אז למה מתכוונים ?

משהו כזה, למה?

(תעביר את השאלה לכותרת האשכול)

משהו כזה, למה?

(תעביר את השאלה לכותרת האשכול)

צריכה להיות להיות סיבה מיוחדת ?! לא סתם ,פשוט אני לומד אלקטרוניקה בבהס ,בזמן האחרון חומרה התחילה לעניין אותי ו 0.09 מיקרון זה כזה גודל פיצי ועניין אותי איזה רכיב כבר יכול להיות מיוצר בכזה גודל מה גם שכניראה הוא רכיב קריטי שהחברות כל הזמן מנסות להקטין, ואתה יכול לפרט יותר ולא משהו בסיגנון

מעניין למה, זה הכל.

הלוגיקה של המעבד מיושמת על ידי טרנזיסטורים, המבנה הלוגי של המעבד מונח על

מצע סיליקוני, ככל שדוחפים יותר ליבות על פלטת סיליקון אחת ויחד עם זאת הפלטה יותר

גדולה יצרנית המעבדים מרוויחה יותר כסף.

במשך זמן רב התהליך הנ"ל היתקדם יפה מאוד על פי "חוק" מור, הטרנזיסטורים הלכו

וקטנו, בשנים האחרונות החלו לצוץ בעיות, ככל שהמוליכים והטרנזיסטוים קטנו כך דלף

יותר חשמל אל המצע עליו מיושמת ליבת המעבד וככל שיותר חשמל דולף צריך לדחוף

יותר חשמל כדי שהמעבד עדיין יעבוד באופן אמין אבל אז כמות החום שנוצרת גדלה וצריך

לפזר אותה.

מאמצי היצרניות מיתרכזים במצע שישמש כמבודד טוב יותר וימנע זליגה של חשמל

מהטרנזיסטורים והמוליכים אל המצע (כל זה ללא קשר לעיצוב הליבה מבחינת הארכיטקטורה).

ככל שהמזעור מתעצם כך הבעיות הולכות ונעשות קשות יותר וחומרי ותהלכי הייצור יקרים

יותר, כיום מפעל חדש עם פלטות של 300 מילימטר ויכולת ייצור של 90 ננו מטר ומוכנות

ל 65 ו 45 ננו מטר עולה בערך מיליארד $.

היצרניות מעריכות שיצליחו להמשיך את תהליך המזעור עד ל 12 ננו מטר בערך אבל באזור

הזה הפיזיקה כפי שהיא מוכרת כיום תמנע המשך תהליך המזעור, איפשהו ב 2010.

מבחינה ארכיטקטונית (או גישה עיצובית כוללת) נעשה שינוי כיוון מהותי, לחלק מהצירניות עלפי

תכנון מוקדם ולחלק עקת היתנגשות חזיתית במחסום פליטת חום, היצרניות הפסיקו רק לנסות

לייצר מעבד חד ליבתי מהיר יותר מבחינת ביצועים אלא עברו לייצר מעבדים כפולי ליבות שזה

פחות או יותר מחשב עם שני מעבדים אבל בצור ההזולה ביותר האפשרית לייצור.

אבל בסופו של דבר, עדיין נמשך המאמץ לייצר טרנזיסטורים ומוליכים קטנים יותר, שזולגים

פחות חשמל למצע עליו הם מונחים ובעלי יכולת לפעול באופן אמין במהירויות גבוהות יותר.

מאמר מ 2004 שעוסק פחות או יותר בנושא, יותר בייצור:

http://www.xbitlabs.com/articles/editorial/display/tech-process.html

יש באתר את כתבת המעבדים הגדולה חלק א' (כבר כמה שנים אין חלק שני )

רציתי לציין שהטרנזיסטור הקטן ביותר יוצר על ידי IBM וגדולו 6nm! די קטן

מעניין למה, זה הכל.

הלוגיקה של המעבד מיושמת על ידי טרנזיסטורים, המבנה הלוגי של המעבד מונח על

מצע סיליקוני, ככל שדוחפים יותר ליבות על פלטת סיליקון אחת ויחד עם זאת הפלטה יותר

גדולה יצרנית המעבדים מרוויחה יותר כסף.

במשך זמן רב התהליך הנ"ל היתקדם יפה מאוד על פי "חוק" מור, הטרנזיסטורים הלכו

וקטנו, בשנים האחרונות החלו לצוץ בעיות, ככל שהמוליכים והטרנזיסטוים קטנו כך דלף

יותר חשמל אל המצע עליו מיושמת ליבת המעבד וככל שיותר חשמל דולף צריך לדחוף

יותר חשמל כדי שהמעבד עדיין יעבוד באופן אמין אבל אז כמות החום שנוצרת גדלה וצריך

לפזר אותה.

מאמצי היצרניות מיתרכזים במצע שישמש כמבודד טוב יותר וימנע זליגה של חשמל

מהטרנזיסטורים והמוליכים אל המצע (כל זה ללא קשר לעיצוב הליבה מבחינת הארכיטקטורה).

ככל שהמזעור מתעצם כך הבעיות הולכות ונעשות קשות יותר וחומרי ותהלכי הייצור יקרים

יותר, כיום מפעל חדש עם פלטות של 300 מילימטר ויכולת ייצור של 90 ננו מטר ומוכנות

ל 65 ו 45 ננו מטר עולה בערך מיליארד $.

היצרניות מעריכות שיצליחו להמשיך את תהליך המזעור עד ל 12 ננו מטר בערך אבל באזור

הזה הפיזיקה כפי שהיא מוכרת כיום תמנע המשך תהליך המזעור, איפשהו ב 2010.

מבחינה ארכיטקטונית (או גישה עיצובית כוללת) נעשה שינוי כיוון מהותי, לחלק מהצירניות עלפי

תכנון מוקדם ולחלק עקת היתנגשות חזיתית במחסום פליטת חום, היצרניות הפסיקו רק לנסות

לייצר מעבד חד ליבתי מהיר יותר מבחינת ביצועים אלא עברו לייצר מעבדים כפולי ליבות שזה

פחות או יותר מחשב עם שני מעבדים אבל בצור ההזולה ביותר האפשרית לייצור.

אבל בסופו של דבר, עדיין נמשך המאמץ לייצר טרנזיסטורים ומוליכים קטנים יותר, שזולגים

פחות חשמל למצע עליו הם מונחים ובעלי יכולת לפעול באופן אמין במהירויות גבוהות יותר.

מאמר מ 2004 שעוסק פחות או יותר בנושא, יותר בייצור:

http://www.xbitlabs.com/articles/editorial/display/tech-process.html

 

אוקיי תודה רבה , רואים שיש לך ידע ברמה המשך כך פשוט תענוג לקרוא תגובות שלך

מעבר לגבול מסויים, (שהוא כמה ננומטרים) האלקטרוניקה חדלה להיות קלאסים (למשל אלקטרונים, הכוונה לחלקיקית) והופכת להיות התסברותית (קוונטים)

כי מגיעים לגדלים, שכבר לא ממש יודעים מה קורה שם.

אוקיי תודה רבה , רואים שיש לך ידע ברמה המשך כך פשוט תענוג לקרוא תגובות שלך 

זה אולי ישמע מוזר אבל אני חייב להבהיר משהו, הנ"ל בהודעה הקודמת שלי איננו "ידע" של ממש

אלא ידע כללי, אפילו ניתן לומר "רכילותי", אין לי יכולת להיסתכל על טכניקה כזאת או אחרת של ייצור

מעבדים ולשפוט מי טובה יותר או להבין באמת מי נגד מי.

מה שאני כן יכול לעשות זה לקרוא מבחני ביצועים על המערכת הסופית, מבחינת ביצועים ביישומים וביצועי

צריכת חשמל/פליטת חום ולשוותאת התוצאות של המוצרים השונים.

הכיוון הנכון כדי להבין באמת מי נגד מי לגבי מיקרו מעבדים ומוליכים למחצה הוא להתמיד בלימודי

האלקטרוניקה, פיזיקה ומתמטיקה.

אם אני לא טועה, 90 ננו-מטר זה הגודל של השער הלוגי שבטרנזיסטור או משהו כזה, אני לא זוכר בדיוק...

אתה טועה, 90ננומטר זו גודל הטרנזיסטור. ה-gate הוא בדר"כ קטן פי 2 בגודלו, כלומר, נכון להיום כ-42-43ננומטר.

חבל שאין לי את הקובץ לידי אבל אם תסתכל בכתבות באינטרנט מ-IDF האחרון יש שם שקף אחד בו אינטל מציינת את הקטנת גודל הטרנזסיטור והשער כשבדר"כ היחס ביניהם הוא 1:2.

מקור:

http://www.xbitlabs.com/articles/editorial/display/tech-process_3.html

לפי מה שכתוב ב- X-bit labs, גודל הטרנזיסטור עצמו הוא 90 ננו-מטר בעוד שגודל ערוץ המידע שלו הוא 60 ננו-מטר...

רק מה, חבל שהם לא מציינים את הנתונים עבור 90ננומטר.