הענקית הקוריאנית שולחת מסר שאפתני להמשך הדרך, עם המוצר הראשון בעולם כולו שמבוסס על ליטוגרפיה של 10 ננומטר
יעבור עוד זמן מה עד שנוכל לדבר על עסקיה של סמסונג בתחום המכשירים החכמים מבלי להזכיר את הפיאסקו והכשלון הגדול של ה-Note 7, אך נראה שבחברה עומלים במלוא כוחם כדי לשכוח מכל זה ולהתכונן באופן מיטבי לעתיד שכבר נמצא מעבר לפינה – ה-Galaxy S8 של שנת 2017, לכאורה.
בחברה מכריזים כעת על צעד משמעותי במיוחד, עם תחילת ייצור סדרתי ראשון מסוגו של שבב עיבוד בטכנולוגיית 10 ננומטר בלבד, עם טרנזיסטורי FinFET כמובן שהפכו לסטנדרט החדש בתחום. בכך סמסונג מקדימה למעשה את מתחרות הענק שלה אינטל ו-TSMC בדרך לדור הייצור החדש, והמשמעות היא בתוך כמה חודשים כבר נוכל לראות מוצרים מסחריים שיבוססו על הדור החדש הזה, שאמור להיות קומפקטי וחסכוני בעשרות אחוזים מתהליכי ה-14 ננומטר וה-16 ננומטר, שפרצו לחיינו (בתחום המובייל) עם ה-Galaxy S6 ושבב ה-Exynos 7420 המרשים שלו.
גם הפעם ניתן להניח, אפילו ללא הכרזה רשמית בנושא, ששבב ה-10 ננומטר הראשון של סמסונג יהיה מוצר דגל חדש ממשפחת ה-Exynos שלה, שיעשה את הופעת הבכורה שלו בדגם ה-Galaxy S הבא בחודש פברואר 2017 לפי כל הסימנים המוקדמים.
יש מי שטוענים כי אותו שבב חדש יזכה לשם הדגם Exynos 8895 אם כי להערכתנו יהיה מדובר בתחילתה של סדרה 9000 חדשה לגמרי, כאשר ניתן לצפות לשבב מתומן ליבות שיכיל את ליבות ה-M1 שפותחו בידי סמסונג עצמה (או שיפור כלשהו שלהן), לצד ליבה גראפית מדור ה-Mali G71 החדש של חברת ARM, עם ארכיטקטורת Bitfrost מעודכנת, תמיכה ב-Direct3D 12, תמיכה ב-Vulkan, תמיכה ב-OpenCL 2.0 ותמיכה ב-OpenGL 3.2.
ראוי לציין כי כבר קיבלנו אישור לכך ששבב הדור הבא מבית קוואלקום, ה-Snapdragon 830, ייוצר גם הוא במפעלי השבבים של סמסונג – ועל כן ההכרזה הזו על ייצור המוני ב-10 ננומטר מקרבת אותנו גם אל הרגע שבו נראה את השבבים המתקדמים האלה צצים במכשירי דגל, מתישהו במהלך המחצית הראשונה של שנת 2017, בתור תחרות ישירה למכשיריה החכמים ולשבביה של סמסונג עצמה. אם חשבתם שהמירוץ לפסגת הטכנולוגיה בעולם המובייל נגמר או האט – תחשבו שוב.
