היצרנית הקוריאנית לא מפסיקה להפתיע אותנו ומכריזה על התפתחות שתוכל להפוך את הסמארטפון הבא שלכם למשוכלל (ויקר) מאי פעם
סמארטפונים עם 64 ג׳יגה-בייט של אחסון מובנה היישר מהקופסה, לכל הפחות, הופכים לשמחתנו לנפוצים יותר ויותר, אך נראה כי הדרישה לעוד ועוד נפחים עדיין כאן – ולסמסונג יש פתרון קצה עבור הדור הבא שכנראה יוכל לספק גם את יוצרי וצרכני המדיה הכבדים והמתקדמים ביותר בשוק המובייל.
בחברה מנצלים בפעם המי-יודע-כמה את יכולות ייצור השבבים המגוונות והענפות שלהם בכדי לזנק מעל למתחרים – ולשלב שבבי V-NAND מהדור החדש במבנה 64 שכבות ובנפח המקסימלי המוכר כיום של 512 ג׳יגה-ביט לכל שכבת אחסון לקבלת מארז שבב בודד בתקן UFS 2.1 מהיר עם נפח שיא של 512 ג׳יגה-בייט, במימדים צנועים וצריכת הספק נמוכה שמיועדים לשילוב בסמארטפונים, טאבלטים, טלוויזיות חכמות ומשקפי מציאות מדומה או מציאות משולבת שבהן העיבוד מתבצע בצורה מקומית ופנימית.
בסמסונג מצהירים על ביצועים נאים בהחלט עבור המוצר הטרי, עם העברה רציפה במהירויות של עד 860 מגה-בייט בשנייה בקריאה ועד 255 מגה-בייט בשנייה בכתיבה, וביצועים אקראיים עם קבצי 4 קילו-בייט קטנים מרשימים אפילו יותר של עד 42,000IOPS בקריאה ועד 40,000IOPS בכתיבה, תודות לשימוש בבקר חדש וקושחה ייעודית חדשה.
שבב ה-512 ג׳יגה-בייט יצטרף אל שבבי ה-UFS 2.1 הקיימים של סמסונג שמיוצרים בהתבסס על שבבי V-NAND בני 48 שכבות ובנפח 256 ג׳יגה-ביט לכל שכבה, כך שברור למדי כי מחירם היקר, באופן יחסי, והיקף זמינותם המצומצם יגביל אותם רק לגירסאות עילית יקרות במיוחד של מכשירים חכמים, לפחות במהלך השנה הקרובה בה ספק אם נראה תחרות ישירה כלשהי לחברת הענק מצד ספקיות שבבי UFS אחרות בתחום.
סביר להניח כי יהיו לא מעט צרכנים שבכל זאת יהיו מוכנים להשקיע עוד כמה מאות דולרים במוצר שהם רוכשים בכדי ליהנות מנפח פנימי שלא היה מבייש מחשב נייד מודרני יוקרתי – בעוד שהאחרים יוכלו להרוויח מכך שנפחי 128 ג׳יגה-בייט ואף 256 ג׳יגה-בייט יהפכו לנפוצים וזמינים יותר, וכנראה גם זולים יותר כתוצאה מכך. האם ב-2019 נוכל כבר לחלום על מכשיר חכם בכיס שלנו שבו טרה-בייט שלם של אחסון במהירות דומה לכונן SSD? נבואה שכזאת הפכה כרגע להגיונית הרבה יותר.
