דיווח חדש מצהיר כי עידן ה-Volta של מפתחת השבבים עשוי לפרוץ עוד השנה, בליטוגרפיית 12 ננומטר
כרטיסי ה-GeForce של NVIDIA ממשיכים להוביל את השוק ללא קושי, אך נראה שבחברה לא נותנים להצלחה הזאת לבלבל אותם יתר על המידה – אם לשפוט לפי השקתו של ה-GeForce GTX 1080 Ti הנהדר בתג מחיר טוב משמעותית מזה שאותו צפינו, קיצוץ המחירים על כרטיסי המסך שכבר נמצאים בחנויות וגם עדויות לפיהן דור חדש עם ארכיטקטורה חדשה כבר נמצא בשלבי הכנה מתקדמים. אנחנו מקווים מאוד שיש בכך אמת.
מידע עדכני שצץ לו בעיתון כלכלי סיני, וצוטט באתר הטאיוואני האמין Digitimes, מספר כי יצרנית השבבים הגדולה TSMC זכתה לאחרונה בשתי הזמנות חדשות ורחבות היקף, האחת לשבבי 10 ננומטר שישמשו את חברת קוואלקום בשבב ה-ARM הראשון שלה (עם לא פחות מ-48 ליבות עיבוד) אשר מיועד לעולם השרתים – והשנייה של NVIDIA עבור ליבות Volta מהדור החדש, שיתבססו על תהליך ייצור חדש אחר, ב-12 ננומטר ובהתבסס על טרנזיסטורי FD-SOI מישוריים.
רוב עולם השבבים כבר עבר לשימוש בטכנולוגיות אשר יוצרות טרנזיסטורי FinFET תלת מימדיים המעניקים צפיפות גדולה יותר ויכולת שליטה טובה יותר על מיתוגם, אך טכנולוגיית ה-FD-SOI, או Fully Depleted Silicon-On-Insulator, ממשיכה לחיות ולבעוט בתור אלטרנטיבה אפשרית נוספת לטרנזיסטורים המישוריים "הפשוטים" (שמכונים גם בכינוי Bulk) עם מבנה ייחודי שבו השער הממותג ממוקם על גבי שכבה מבודדת שנוצרת על מצע המוליך למחצה, ומעניקה שטח מגע מוגדל עימו בדומה לאחד מהיתרונות הבולטים בטכנולוגיות התלת-מימדיות.
חברת GlobalFoundries נחשבת לתומכת הבולטת ביותר של טכנולוגיית ה-FD-SOI בעולם ייצור המוליכים למחצה, ובסוף השנה שעברה גילינו שגם TSMC הטאיוואנית תצטרף אליה ותציע אותה כתהליך נפרד לצד טכנולוגיות ה-FinFET שלה, עם הצהרה על כך שיש כאן פוטנציאל לספק ביצועים דומים מאוד ואפילו טובים יותר מאלו האחרונים בעבור עלויות זולות יותר – ואם להאמין לדיווח העדכני, נראה שאחת מהחברות הגדולות הראשונות שהשתכנעו ואימצו את המידע הזה היא לא אחרת מ-NVIDIA.
נראה שב-NVIDIA העדיפו שלא להמתין עד להגעתו של תהליך ה-10 ננומטר החדיש של TSMC לטרנזיסטורי FinFET לבשלות שתאפשר יצירת שבבים גדולים שמתאימים עבור כרטיסים גראפיים בתקופה ראויה, ומצד שני בחרו להתקדם מתהליך ה-16 ננומטר הנוכחי במסגרת הגעתה של ארכיטקטורה מדור חדש – וכך נבחר לו התהליך ב-12 ננומטר שנמצא ביניהם לשמש עבור Volta. תחילה עבור יחידות ה-Xavier המרשימות שמיועדות לעולם הרכבים החכמים והאוטונומיים והוצגו כבר בתחילת השנה, ולאחר מכן גם עבור היחידות הגראפיות עצמן – לכאורה עוד ב-2017, מתישהו במהלך החצי השני של השנה.
קשה אפילו לנסות להעריך מה יוכל להיות היתרון הטכנולוגי שבתהליך הייצור ב-12 ננומטר בהשוואה לזה עליו מבוססות הליבות הגראפיות של NVIDIA כיום, משום שמדובר בשתי טכנולוגיות שונות באופן משמעותי כך שה'אורך' השיווקי המוענק להן לא באמת מספק את התמונה המלאה (עוד פחות מבדרך כלל), אך יתכן שדווקא הפוטנציאל ליצור שבבים בגודל פיזי משמעותי בעלות נמוכה יותר הוא זה שקרץ לאנשי של מפתחת השבבים הירוקה – אלו הם דברים שנוכל לגלות רק בעוד כמה חודשים, ועד אז נתמקד בלהמתין לליבות ה-Vega של AMD ולתהות מה הן יוכלו להציע לנו מבחינת ביצועים מירביים ומבחינת יעילות, עם תהליך ה-14 ננומטר (ב-FinFET) של GlobalFoundries.
