אחרי קוואלקום ו-Huawei מגיע גם תורה של מלכת שוק הסמארטפונים להציג את השבב החדש שלה, שמציע ליבות עיבוד מפיתוח עצמי, ליבה גראפית מאסיבית וגם מודם LTE מובנה ומתקדם
זה אומנם לא ממש מרגיש ככה עבור הצרכן הממוצע, אך השבוע החולף הוא אחד מהמשמעותיים ביותר בשוק הסמארטפונים השנה, ויהיה בעל השפעה גדולה על הסטנדרטים והמוסכמות שלנו בתחום בשנת 2016 המתקרבת – זאת בשל ההשקה הרשמית לשבבי הדור החדש של Huawei תחילה, של קוואלקום לאחר מכן, וכעת גם של סמסונג הגדולה. הכירו נא את ה-Exynos 8890, שאמור להיות זה שיבטיח לסמסונג עוד שנה של שליטה רמה.
את שמו של השבב החדש ידענו עוד קודם, ואפילו קיבלו דיווח אודות תחילת הייצור ההמוני שלו במהלך השבועות האחרונים – אבל עכשיו אנחנו גם מקבלים אישור למפרט הטכני שלו, אשר תואם את הדיווחים המוקדמים האופטימיים ביותר שבהם יצא לנו להיתקל בחצי השנה החולפת.
השבב החדש יהיה שבב מתומן ליבות, כאשר במרכז העניינים ניצבות ארבע ליבות M1 חדשות, אשר מכונות גם Mongoose – ליבות עיבוד שפותחו בידי סמסונג עצמאית בהתבסס על ארכיטקטורת ה-ARMv8, בדומה לליבות ה-Kryo של קוואלקום וליבות ה-Twister של אפל. במילים אחרות, בסמסונג בחרו שלא להסתפק בליבות ה-Cortex A72 החדשות של חברת ARM עצמה, אלא להשתמש בבסיסן בכדי ליצור מוצר שיהיה אפקטיבי ומתאים יותר להם.
מבחנים מקדימים מצביעים על כך שליבות ה-Mongoose של סמסונג יהיו עוצמתיות יותר מליבות ה-Cortex A72 וככל הנראה הן מליבות ה-Kryo, ויתקרבו אל רמת ליבות ה-Twister (אם כי בתדרי עבודה שאינם זהים). כל הנתונים הללו הם 'על הנייר' בלבד כרגע, באופן טבעי, כאשר את הביצועים בפועל נוכל לבחון רק אי שם בתחילת השנה הבאה, עם הגעתם לשוק של מכשירי ה-Exynos 8890 הראשונים, שלפי כל השמועות יהיו מדגם ה-Galaxy S7, במהלך ינואר או פברואר 2016.
ארבעת ליבות ה-M1 ב-Exynos 8890 יפעלו (לכאורה בתדר מירבי של עד 2.3GHz) לצד ארבע ליבות Cortex A53 סטנדרטיות וחסכוניות יותר במערך big.LITTLE בעל תצורת HMP, ואל כל אלו תצטרף ליבה גראפית מסוג Mali-T880MP12 גדולה במיוחד, בעלת 12 אשכולות עיבוד. מוקדם לקבוע מה בדיוק תוכל לספק ליבה אימתנית שכזו, אך בהתאם למעט שראינו מאותה ליבה בתצורה של ארבעה אשכולות עיבוד בכלל בשבב ה-Kirin 950 החדש של Huawei, אנחנו מניחים שיש כאן פוטנציאל ליכולות עיבוד שיהיו גבוהות עד פי 2 (!) מאלו של ליבת ה-Mali-T760MP8 בשבבי ה-Exynos 7420.
לקינוח, השבב המוביל החדש של סמסונג יכלול גם מודם LTE מתקדם מובנה (כנראה באותו מארז שבב, אך לא על אותה פיסת סיליקון כמו אצל המתחרה קוואלקום), עם תמיכה בהורדה בתקן Cat.12 ובהעלאה בתקן Cat.13, שמשמעותם היא מהירות הורדה של עד 600Mbps בהתבסס על אגירת שלושה ערוצי 20MHz לרוחב פס אפקטיבי של 60MHz, ובהעלאה במהירות של עד 150Mbps בהתבסס על אגירת זוג ערוצי 20MHz.
מדובר בתמיכה זהה לזו שניתן למצוא במודם המובנה בשבבי ה-Snapdragon 820 החדשים של קוואלקום, ובכך למעשה נראה כי סמסונג צמצמה (כמעט) לחלוטין את הפערים הטכנולוגיים שהיו לה בעולם השבבים – ומוכנה להמשיך בקיבוע מעמדה כמובילה הגדולה, כפי שהייתה במשך רוב שנת 2015.
יש עוד פרטים טכניים אודות ה-Exynos החדש שטרם נחשפו, אך בשורה התחתונה בסמסונג מצהירים כי הוא ידע לספק ביצועים שטובים בכ-30 אחוזים מאלו של ה-Exynos 7420, תוך כדי יעילות שטובה בכ-10 אחוזים, בין היתר תודות לשימוש בדור השני של תהליך הייצור ב-14 ננומטר עם טרנזיסטורי FinFET, המכונה 14LPP. אנחנו כבר ממתינים בקוצר רוח להזדמנות לבחון את אחד מהמוצרים המסקרנים ביותר בעולם השבבים לשנת 2016, ומחזיקים אצבעות לכך שיהווה הפתעה נעימה לא פחות מזו שקיבלנו עם המוביל של דור ה-Exynos הנוכחי.
אם להסתמך על כמה מהשמועות שמסתובבות ברשת עתה – ה-Exynos 8890 אמור לספק ביצועים מרשימים מאוד, הן עבור ליבת עיבוד בודדת והן במצב מרובה ליבות. נקווה שביצועים אלו לא יבואו על חשבון חסכוניות יחסית וחיי סוללה ראויים
