חברת הענק מטאיוואן שמהווה את הספקית הגדולה ביותר של שירותי ייצור מוליכים למחצה בעולם מציגה את התוכניות שלה לשבבים בליטוגרפיה של 5 ננומטר ו-3 ננומטר, שיהיו כנראה מוצרי הסיליקון האחרונים בהחלט בשוק
בשביל לשרוד בשוק ייצור השבבים האלקטרוניים צריך לחשוב ולבצע מהלכים שנים לפני המועד המיועד שלהם, וזה משהו שאנחנו מודעים אליו כבר זמן רב – מספיקה הצצה אחת למפות הדרכים של אינטל, סמסונג ואחרות בכדי לקבל המחשה חיה לכך.
עם זאת, הצורך לתכנן את העתיד הופך לקשה במיוחד בשנים האחרונות, שכל תהליך ייצור חדש בעולם המוליכים למחצה מביא איתו דרישה להשקעה של סכומי כסף דמיוניים כמעט, ולאף אחד אין בטחון וודאות משמעותיים שטכנולוגיות עתידניות אפילו יוכלו להפוך לבשלות מספיק בכדי שיהיה בהן הגיון מסחרי – משהו שכבר ראינו אצל אינטל שנאלצה לדחות משמעותית את המעבר שלה לייצור בתהליך של 10 ננומטר בשל אתגרים טכנולוגיים גדולים מהמשוער, ואצל GlobalFoundries שדילגה על תהליך ייצור מתוכנן ב-20 ננומטר לאחר שזה לא הצליח לספק את הביצועים והתפוקות הנדרשים.
למרות האתגר, הקשיים והסיכון הגדול שכרוך בכך, יצרניות השבבים ממשיכות לרוץ קדימה במלוא העוצמה והמהירות – וזה משהו שחברת TSMC עושה כעת, בתקווה לשמור על מקומה בתור יצרנית צד ה-ג' (שמייצרת שבבים עם חברות אחרות בתמורה לתשלום) הגדולה ביותר בעת תחרות מתגברת מצד סמסונג ו-GloFo. בחברה הודיעו כי ישקיעו בעתיד הקרוב סכום שיא מטורף של כ-15.7 מיליארד דולר (!) בהקמתו של מפעל חדש בטאיוואן, על שטח משוער של כ-120 דונם או יותר, שישמש כבסיס לייצור שבבים בתהליכים חדשניים במיוחד של 5 ננומטר ו-3 ננומטר (המרחק בין רגלי "השער" דרכו זורמים או לא זורמים האלקטרונים בכל טרנזיסטור וטרנזיסטור במעגל המודפס).
ב-TSMC קרובים מאוד להתחלת ייצור המוני בתהליך חדש של 10 ננומטר, בהתבסס על טרנזיסטורי FinFET תלת מימדיים כמובן, כאשר מוצרים ראשונים מסוג זה ללא ספק יגיעו לשוק מתישהו במהלך השנה הבאה – כאשר במקביל מתבצעות הכנות נמרצות להבשלת הייצור ההמוני בתהליך חדש נוסף של 7 ננומטר, שלכאורה יגיעו במהלך שנת 2018, עם פוטנציאל למוצרים מסחריים ראשונים כבר בעוד כשנתיים, או בתחילת שנת 2019. לאחר מכן יגיע תהליך הייצור ב-5 ננומטר שמכוון אל שנת 2020 – ורק אז נראה את ההשקעה במפעל החדש מניבה פירות פוטנציאליים, כשהוא ישמש לייצור המוני של שבבים אולטרה-מתקדמים אלו ולהכנה לתהליך ייצור חדש נוסף ב-3 ננומטר בלבד, שככל הנראה יגיע אי שם בשנת 2022.
לוחות הזמנים האלו צפויים לחוות עדכונים רבים בדרך, באופן טבעי, אך ראוי לציין כי לאחר השלמתו של המהלך הזה עולם השבבים עתיד למצוא את עצמו בנקודה שאותה לא חווה מאז שהחל את דרכו – כשלפי כל תחזיות המומחים לא תהיה אפשרות טכנית מעשית להתבסס על סיליקון כמצע בסיסי לייצור שבבים בטכנולוגיה זעירה יותר מ-3 ננומטר לערך, וחברות כמו אינטל, TSMC, סמסונג ודומותיהן יזדקקו למצוא חומרים מוליכים למחצה מסוג חדש לגמרי על מנת להמשיך ולהתקדם.
תהליך זה יהיה ככל הנראה יקר עוד הרבה יותר מהסכומים המטורפים שמושקעים בשוק השבבים כיום – וחוסר הוודאות והסיכון אותם הזכרנו קודם רק יגדלו ויתעצמו ככל הנראה, כך שניתן לצפות לעוד הרבה הכרזות על השקעה של סכומי עתק בתחום היוקרתי והאקסלוסיבי הזה במהלך השנים הקרובות. נקווה שהכסף הזה לא יישפך לשווא.
