IBM, בשיתוף AMD, Freescale, Toshiba, STMicroelectronics ומוסד המחקר CNSE, הצליחה לייצר תא זיכרון סטטי (SRAM) בתהליך יצור של 22 ננו-מטר.
תא זיכרון מסוג SRAM הוא אבן בנין חשובה בתעשיית האלקטרוניקה הספרתית ומשמש בין היתר לחוצצים (buffers) ברכיבי קלט פלט ועבור זיכרון המטמון (cache) במעבד. תאי הזיכרון, הפשוטים יחסית במבנה שלהם, מקדימים את יצור רכיבים אלקטרונים מורכבים כמו מעבדים, וסוללים את הדרך בפיתוח הטכנולוגיה והכלים הנחוצים לכך.
"אנו פועלים בגבול המוחלט האפשרי – ומתקדמים לכוון הדור הבא של טכנולוגיות המוליכים למחצה," אמר ד"ר צ'ן (Dr. T.C. Chen), סגן נשיא לטכנולוגיה ומדע ב-IBM. "פיתוח חדש זה הוא הישג חיוני במרדף המתמשך להובלת המזעור בתעשיית המיקרו-אלקטרוניקה".
כך זה נראה מבפנים: שבב SRAM |
תאי הזיכרון שנבנו במעבדות המחקר של CNSE הם במבנה המקובל של תא SRAM המורכב מששה טנזיסטורים ושטחו 0.1 מיקרון רבוע בלבד. היצור התבצע תוך שימוש בטכנולוגיות מתקדמות כגון high-k metal gate, מצעים חדשים, חומרים יחודיים ועוד. התהליך התבצע על פרוסות סיליקון בקוטר של 300 מילימטר. כמו כן רמזו ב-IBM כי חלק מהטכנולוגיות ששימשו ליצור תא ה-SRAM ישמשו גם עבור הרכיבים שייוצרו ב-32 ננו-מטר.
כרגע מדובר בהישג מחקרי בלבד אם כי זהו הישג מרשים בפני עצמו שנותן יתרון מסויים ל-IBM/AMD במירוץ המיזעור מול אינטל. תהליך יצור של 22 ננו-מטר מיועד לדור שיחליף את הדור הבא של מעבדי AMD. לפניו צפויים להופיע מעבדי AMD בטכנולוגיות יצור של 45 ננו-מטר ולאחריהם מעבדים אשר ייוצרו ב-32 ננומטר. אינטל מצידה מובילה למעשה במירוץ וצפויה להתחיל ביצור מעבדים בטכנולוגיית של 32 ננו-מטר בשנת 2009. פרטים נוספים אודות תהליך היצור של IBM ו-CNSE יוצגו בכנס האלקטרוניקה IEEE שיערך לקראת סוף השנה בסאן-פרנסיסקו.