אינטל מציגה את מפת הדרכים הטרייה שלה לייצור ופיתוח מיקרו מעבדים בשנים הקרובות עם מטרה אחת ברורה – לרצות את השוק אשר צמא לעוד כח עיבוד בזמינות גבוהה
בתחילת השבוע יצא לנו לשמוע מפי מר דניאל בן עטר, המנכ"ל המשותף של מפעלי הייצור של אינטל, על תוכניות העתיד של ענקית השבבים עם המח הישראלי. ציפינו לשמוע על דברים רציניים בעלי מחוביות הנדסה וקדמה, ונראה שקיבלנו בדיוק את המנה שהזמנו.
בתקופה האחרונה חווה אינטל שינויי שוק רציניים מפנים ומבחוץ, כאשר מצב השוק החדש אליו נכנסנו בשנה שעברה האיץ בצורה היסטורית את הדרישה לעוד מעבדים מצד משתמשים. התחרות מכל הכיוונים מתחמשת בכלים חדישים, והצורך לחדש גובר עוד הרבה מעבר למה שהיה לפני כן.
אינטל מבינה זאת היטב, ובתקופה האחרונה משקיעה כמות בלתי נתפסת של כסף בשיפור מפעליה והתקדמות לתהליכי ייצור חדשים. אפשר להגיד שאינטל עוסקת באובססיה בשתילת זרעי העתיד שיהפכו לעצי סיליקון עבור מעבדיה בהמשך העשור הזה. כמה מיליארדים כאן, כמה מיליארדים שם, ומגיעים להרחבות מפעלים בכל רחבי הגלובות כולל כאן בקרית-גת שכיום כבר מייצרת המלוא המרץ וייפרים של מעבדי 10 ננומטר בטכנולוגיית SuperFin.
לפני הכל, אינטל החליטה שעליה לאמץ את הטרנד של שמות חדשים לליטוגרפיות חדשות. המילה ננומטר עשתה את שלה עוד מזמן, כאשר איבדה את הערך האמיתי כאשר המדד האמיתי הינו צפיפות טרנזיסטורים ולא קריאה לתהליכי ייצור בכמה שפחות ננומטרים על אף שבפועל מרחק בין טרנזיסטורים גדול מכך משמעותית. לאחר 10nm SuperFin הנוכחי של אינטל אנחנו נתקדם לתהליך שנקרא Intel 7 וכן הלאה. אותם מעבדים שיבוססו על תהליך ייצור זה צפויים להגיע למדפים כבר שנה הבאה.
לאחר מכן תהליך Intel 4 הולך להוות קפיצה נאה ביעילות המעבדים כאשר עוברים לשימוש בטכנולוגיית EUV (ר"ת Extreme Ultraviolet Lithography). שימוש במכשור הזה מוביל ליצירת מעבדים דחוסים ויעילים חשמלית הרבה יותר. תהליך Intel 3 צפוי להמשיך את הטרנד ולשפר עוד יותר את יעילות המעבד וביצועיו, כאשר מוצרים מבוססים על התהליך הזה צפויים להגיע לשוק כנראה רק בשנת 2024.
בשנת 2024 תעבור גם אינטל למה שהיא קוראת "דור חדש של ארכיטקטורת טרנזיסטורים", או עידן האנגסרטום (יחידת מידה שהיא עשירית הננומטר). במהלך החציון הראשון של 2024 צפויה אינטל להתחיל בייצור של מעבדים מבוססי מיקרו ארכיטקטורה העושה שימוש בטרנזיסטורי RibbonFET. מדובר בטרנזיסטור יעיל משמעותית בעל טביעת רגל קטנה.
מעבדים המבוססים על אותו תהליך 20A מבטיחים לעשות שימוש בשלל שיפורי מיקרו ארכיטקטורה משמעותיים. מדובר על שילוב של RibbonFET יחד עם טכנולוגיה הנקראת PowerVIA. אלו שמכירים את עולם החומרה יודעים ש-VIA הוא מונח שמשתמשים בו רבות לתקשורת חשמלית בין שכבות בלוח מעגל מודפס. גם בעולם הסיליקון משתמשים באותן VIA לצורך העברת אותות וזרם בין שכבות מודפסות שונות. ה-PowerVIA של אינטל מבטיח להיות שימושי במיוחד במעבדיה העתידיים.
הדובדבן שבקצפת… ההבטחות, הינה טכנולוגיית אריזה חדשה למיקרו מעבדים שתפחית את ההתנגדות החשמלית ותקצר את זמני הבערת המידע בין שכבות הסיליקון השונות. בין אם בשכבות אחד מעל לשני, ובין אם אחד לצד השני, Foveros Omni ו-Foveros Direct.
על אף שבשנים האחרונות השוק נהיה מאתגר מאוד עבור אינטל, שאתגר הייצור עבודה נעשה האתגר העיקרי, נראה שהיא נחושה עם הרבה רצון ובעיקר הרבה ממון לתקן עוולות של המתנה בלתי פוסקת לתהליכי ייצור וזמינות של מוצרים שהתכן שלהם חדש באמת. בעוד שאנחנו צפויים בעוד חמש שנים לקבל את מעבדי עידן האנגסטרום, באינטל אפילו נותנים לנו ספוילר ואומרים שתהליך משופר לזה כבר נמצא בקנה ויקרא 18A.
לנו נשאר לקוות שהשקעות ההווה יחד עם השקעות העתיד הענקיות של אינטל ישלמו לה תמלוגים וימלאו את השוק בחדשנות ובתחרות. אנחנו נהיה זקוקים בעתיד הקרוב לכמה שיותר קדמה שאפשר, ולכל תחום אפשרי בחיים.
