מכת נגד: סמסונג החלה בייצור של שבבי NAND תלת מימדיים בנפח שיא

לפעמים, כל מה שצריך זה דחיפה קטנה בכיוון הנכון: ימים ספורים אחרי שבטושיבה-סאנדיסק חשפו כי יחלו בקרוב בייצור סדרתי של שבבי NAND תלת מימדיים בנפח מרשים של 256 ג'יגה-ביט, בסמסונג (מוביל השוק והיחידה שמייצרת שבבי תלת מימד באופן סדרתי, כבר קרוב לשנתיים) יצאו בהכרזת מחץ נגדית והודיעו כי הם כבר החלו הלכה למעשה בייצור המוני של שבבי V-NAND תלת מימדיים בנפח זהה.

השבבים החדשים של סמסונג מבוססים על מבנה בן 48 שכבות של טרנזיסטורים בטכנולוגיית ה-TLC – מאפיינים שזהים לאלו של טושיבה-סאנדיסק (אם כי הדרך לשם קצת שונה אצל כל אחת), ומהווים הכפלה מעשית של נפחי השבבים התלת מימדיים והמישוריים שהיו זמינים עד כה, 128 ג'יגה-ביט בהתבסס על מבנה בן 32 שכבות. בסמסונג גם טוענים כי שבבי התלת מימד החדשים מציעים חסכון של עד ל-50 אחוז בצריכת ההספק לעומת שבבי ה-V-NAND הנוכחיים שלהם, והם גם זולים יותר לייצור באופן טבעי (בשל החסכון בסיליקון בדרך לאותו נפח אחסון כולל).

מוצרים ראשונים שיבוססו על הדור השלישי והחדש הזה של טכנולוגיית ה-V-NAND יופיעו ככל הנראה רק בתחילת שנת 2016, אך כשזה יקרה אנחנו עתידים לראות כונני SSD בנפחי 2 טרה-בייט הופכים לסטנדרט חדש בקטגוריית ה-2.5 אינץ', ובמקביל נפחים של טרה-בייט אחד בתור אפשרות עבור כונני ה-M.2 המיועדים למערכות קומפקטיות יותר. נותר רק לקוות שלא רק הצמיחה בנפחים, אלא גם הקיצוץ במחיר, יגיעו אל הלקוחות שבקצה השרשרת.

סמסונג מבקשת להזכיר שהיא עדיין המובילה הטכנולוגית הגדולה בעולם שבבי ההבזק
סמסונג מבקשת להזכיר שהיא עדיין המובילה הטכנולוגית הגדולה בעולם שבבי ההבזק

קישורים נוספים