חידושים בעולם הזיכרונות: NEC, סמסונג ו-TwinMOS שוברות שיאים כל אחת בדרך שלה, ומציגות חידושים שונים שיחלחלו אל השוק כבר בתחילת 2008.
הראשונה ברשמית השיאים היא NEC, שהציגה זיכרון מסוג MRAM הפועל בתדר של 250 מגה-הרץ. זיכרון ה-MRAM (ר"ת Magneto resistive Random Access Memory), אשר נחשב לטכנולוגיית הדור הבא בתחום הזיכרונות , עושה שימוש במבנה תאי (cells) כאשר כל תא מכיל מספר רכיבים, הכוללים גם לוחות שיוצרים שדה אלקטרו מגנטי שבעזרת תגובות פיזיקאליות ופעולות שונות מאפשרים קריאה, כתיבה ואחסון המידע על גבי הזיכרון.
היתרון הבולט של זיכרון ה-MRAM הוא החוסר המוחלט ברענון חשמלי, דבר הנחוץ בטכנולוגיית ה-DRAM, שכן זיכרון המבוסס על טכנולוגיה זו מחייב מעבר של זרם חשמלי על מנת לשמר את המידע בזיכרון. דבר זה מתבטל בטכנולוגיית ה-MRAM, שכן יש ביכולתו של הזכרון לשמור את המידע גם לאחר איבוד כל מקור מתח, בדומה לדיסק קשיח. הזיכרון אותו פיתחה החברה הינו בנפח של 1 מגה-ביט, נפח נמוך משמעותית מהזיכרונות הנפוצים כיום, שכן ייעודו העיקרי הוא למכשירים ניידים, שזקוקים למקסימום חיסכון בחשמל, אך רוצים ליהנות ממהירות ושמירת המידע זמין ונגיש יותר למשתמש.
זכרון GDDR5 מסמסונג |
השניה בסולם השיאים היא סמסונג שחשפה את הדור החמישי של זיכרונות ה-GDDR (ר"ת Graphics Double Data Rate Memory). נפחם של הזיכרונות החדשים עומד על 512 מגה-בייט, כאשר כל שבב מסוגל להעביר 6 ג'יגה-ביט בשניה, מה שמעניק להם קצב העברה גבוה במיוחד, העומד על 24 ג'יגה-בייט לשניה, לעומת הזיכרונות מהדור הקודם (GDDR4), שקצב העברת הנתונים בהם עומד על 16 ג'יגה-בייט לשניה. זיכרונות ה-GDDR5 זקוקים לאותו מתח עבודה (1.5 וולט), אך לטענת החברה ישנו יתרון של 20% בכל הנוגע להקטנת צריכת החשמל, לעומת זיכרונות ה-GDDR3 הנפוצים כיום בכרטיסי המסך הרבים. תדר העבודה של זיכרונות ה-GDDR5 עדיין לא נחשף, ודוגמאות ישלחו ליצרניות רק בחצי הראשון של שנת 2008.
השיא השלישי שייך לחברת TwinMOS, שחשפה זיכרונות DDR3 בתדר של 1333 מגה-הרץ, המיועדים לעבודה עם מחשבים ניידים. הזיכרונות, מסוג SO-DIMM (ר"ת Small Outline Dual In-line Memory Module), מסוגלים לעבוד בתדרים של 800 מגה-הרץ, 1066 מגה-הרץ וכמובן 1333 מגה-הרץ. הזיכרונות שהציגה TwinMOS משתמשים בטכנולוגיית ה-DDR3 המוכרות לכולנו מהמחשבים השולחניים, דבר המעניק להם את אותן התכונות: תהליך יצור של 90 ננומטר, קצב העברה של 8 ביטים בכל מחזור ועוד. בעקבות ייעודם למחשבים ניידים נערכו שני שינוים עיקרים, האחד הוא העלאת מספר הפינים (מחברים) ל-204, לעומת זיכרונות SO-DIMM בטכנולוגיית ה-DDR2, שעושים שימוש ב-200 פינים בלבד, והורדת המתח ל-1.5 וולט, דבר המאפשר למערכות שעושות שימוש בזיכרונות אלו חיסכון בסוללה, גורם עיקרי בתחום המחשבים הניידים.
בשנה הקרובה צפויים לנו חידושים רבים ומשמעותיים, ולא רק בתחום הזיכרונות. שימו לב כי זיכרונות ה-DDR3 צפויים לתפוס נתח שוק גדול יותר בשנה הבאה, מה שככל הנראה יהפוך אותם ליותר רלוונטים למשתמשים, וזאת על ידי הורדת המחירים, והגדלת התמיכה והמודעות של היצרניות השונות בכל הנוגע להשקת מוצרים חדשים התומכים בטכנולוגיה זו.