זיכרונות ניידים חסכוניים מסמסונג • HWzone
מחשבים

זיכרונות ניידים חסכוניים מסמסונג

סמסונג הכריזה על מודולי זיכרון המיוצרים בליטוגרפית 40 ננו-מטר, הצפויים לחסוך עד 30 אחוז בצריכת האנרגיה.

סמסונג הכריזה על גמר פיתוח ואשרור של הזיכרונות הראשונים מסוגם בעולם, המיוצרים בליתוגרפיית ייצור של 40 ננו-מטר. החברה פיתחה מודול SODIMM (מודול למחשבים ניידים), בתצורת DDR2 ובגודל של ג'יגה-בייט אחד. המודול נבחן ואושר על ידי חברת אינטל לשימוש יחד עם ערכת השבבים GM45 המיועדת למחשבים ניידים מתוצרתה.

קבלו עדכונים לפני כולם בטלגרםקבלו מאיתנו עדכונים לפני כולם - בטלגרםהצטרפו כבר עכשיו לערוץ הטלגרם של הזון


המעבר לייצור בליתוגרפיה של 40 ננו-מטר בשוק הזיכרונות הניידים יגרום להורדת דרישות המתח בהשוואה לייצור שבבים בליתוגרפיה של 50 ננו-מטר. בסמסונג מצפים לחסכון באנרגיה של עד 30 אחוזים מצריכת ההספק של הזיכרונות בשימוש עם השבבים החדשים. למרות זאת אנו דיי סקפטיים לטענת החברה שזיכרונות המיוצרים בליתוגרפיה של 40 ננו-מטר יספקו יעילות עבודה הגדולה ב-60 אחוזים מזיכרונות 50 ננו-מטר.

זכרונות אשר יאריכו את חיי הסוללה

סמסונג פועלת בימים אלו להקמת מערך ייצור של מיקרו-מעגלים בטכנולוגיית אשר יפותחו בליתוגרפיה של 40 ננו-מטר גם כן, והיא צפויה להתחיל את הייצור לקראת סוף שנת 2009. החברה מאמינה שהישג זה במזעור תהליכי הייצור של שבבי זיכרון, מהווה צעד של ממש לכיוון הדור הבא של מודולי DRAM, כמו . "סמסונג מסגלת לעצמה עליונות טכנולוגית על פני שאר החברות, ומתוקף כך זוהי מחויבותה להציע את האמצעים היעילים ביותר לייצור מודולי DRAM בשוק הזיכרונות" כך על פי קווין לי, סגן נשיא בחברת מוליכים למחצה.


תגיות

כתיבת תגובה

Back to top button
Close
Close