לא פעם ולא פעמיים הזדמן לנו לשמוע בעבר הכרזות על טכנולוגיות זכרון פורצות דרך שישפרו את כל היכולות המוכרות לנו בעשרות מונים, וללא שום השלכות שליליות. עם זאת, כשמי שעומד מאחורי הכרזה שכזו הוא צמד חברות ענק שמייצרות שבבי זכרון באופן המוני כחלק משגרת יומן (ולא חברת סטארט-אפ עלומת שם או קבוצת חוקרים מאוניברסיטה זו או אחרת) – מדובר במהלך משמעותי פי כמה. וזה בדיוק מה שאנחנו מקבלים כיום.
אינטל ומיקרון, שתי חברות הענק האמריקאיות ששותפות במיזם לייצור שבבי הבזק מסוג NAND, חשפו טכנולוגיית זכרון בלתי נדיפה חדשה העונה לשם 3D Xpoint, שמתיימרת להציע זמני שהות (Latency) שהם אלפית בלבד ממה שמוכר לנו מעולם שבבי ה-NAND כיום, בתוספת אורך חיים שיהיה ארוך פי 1,000 מזה של שבבי DRAM עדכניים, ודחיסות תלת מימדית גדולה במיוחד. במילים אחרות – הטוב מכל העולמות.
הייחוד הגדול של טכנולוגיית ה-3D Xpoint היא שאין כאן "לכידה" של אלקטרונים לצורך שמירת המידע הדיגיטלי על גבי המדיום – אין כאן טרנזיסטורים כלל, למעשה, אלא מארג שתי וערב של קווים מוליכים וביניהם חומר שמשנה את המאפיינים הפיזיקליים העצמיים שלו בעת הפעלה של הפרש פוטנציאלים מתאים בקצוותיו, כשהשינוי הבסיסי הזה יעניק אפשרות לגשת לכל תא ותא בזכרון באופן נפרד, ובכך יאפשר את השיפור האדיר בביצועים עליו מדברים באינטל ומיקרון.
שורת המחץ כאן היא שזכרונות 3D Xpoint ראשונים, עם נפח אחסון מרשים מאוד של 128 ג'יגה-ביט לכל שכבה, יהיו זמינים כבר במהלך השנה הבאה. קצת קשה להאמין, אך כאמור – כששתיים מיצרניות השבבים המשמעותיות ביותר בשוק אומרות משהו כזה בומבסטי, רוב הסיכויים שזה לא סתם לשם באזז ריק מתוכן.
בהכרזה הרשמית לא ציינו זאת באופן מפורש, אך בהתבסס על ההסבר הכללי נשמע כי טכנולוגיית ה-3D Xpoint החדשה מהווה נצר לטכנולוגיית ה-Phase Change Memory (שנקראת גם PCM, או PRAM), שבפיתוחה השקיעה מיקרון רבות במהלך השנים האחרונות ואף הביאה מוצרים מסחריים בהיקף מוגבל לשווקים ייעודיים.
נמשיך לעקוב בעניין אחרי אחת מההכרזות היותר מסקרנות בעולם החומרה בתקופה האחרונה, ונעדכן אתכם בהתאם כמובן.
קישורים נוספים
- מקור לידיעה
- זכרונות פרו-חשמליים יעלימו את זכרונות ה-RAM?
- מגדל השבבים של IBM ו-3M
- IBM מציגה אב טיפוס לזכרונות ה-Racetrack
- IBM מציגה: קפיצת מדרגה בטכנולוגיית ה-Phase Change Memory
- פיתוח חדש: ביצועי זכרונות ה-NAND מוכפלים עם ReRAM
פששששש.
זה נראה לי יותר חשוב ( ובהרבה, אפילו ) מכל פסטיבל החלונות 10
שמתחולל זה זמן מה.
וואלה, אחלה חדשות. הלוואי ובאמת יתממשו, ושזה לא
נועד לעודד את בעלי המניות בלבד.
אם זה זיכרון לא נדיף, יהיה צריך להוסיף אליו מערכת איפוס אקטיבית בשביל שניתן יהיה להשתמש בו במקום DRAM – אחרת, לא יהיה ניתן לאפס אותו על ידי כיבוי והפעלה מחדש (שהוא תכונה חשובה של RAM)
1. נראה כי התכנון הוא לא רק עבור זיכרון פיזי אלא גם (ואולי בעיקר) עבור זיכרון למטרות איחסון. למעשה בסירטון בזמן 3:21 נעשית התייחסות ל Memory Pool מסוג 3D XPOINT שמשמש כ System + Storage, מה שאולי אומר שהמטרה היא שבעתיד לא תהיה הבחנה בין זיכרון למטרות איחסון מידע באופן זמני (זיכרון פיזי) לבין זיכרון למטרות איחסון מידע באופן קבוע (כונני SSD).
2. בזמן 1:05 בסירטון כתוב שזיכרון NAND איטי פי 1500 מזיכרון DRAM. בזמן 1:42 נאמר שזיכרון ה 3D XPOINT מהיר עד פי 1000 מזיכרון NAND. אם זיכרון NAND עובד ב"מהירות" של 1/1500 לעומת זיכרון DRAM וזיכרון ה 3D XPOINT יעבוד ב"מהירות" של פי 1000 מזיכרון NAND, זה אומר שזיכרון ה 3D XPOINT יעבוד במהירות של 1000/1500 שהם 2/3 או 66% ממהירות זיכרון DRAM. בנוסף בזמן 2:58 מצויין שזמן ה Latency של זיכרון ה 3D XPOINT נמדד בעשרות ננו-שניות, אבל לא צויין שזה נכון גם עבור זיכרון DRAM אלא רק הודגש ההבדל מזיכרון NAND. על כך יש להוסיף את העובדה שבזמן 3:14 מדובר על אורך חיים במחזורי כתיבה, ומכאן אני מסיק שהטכנולוגיה הזו נועדה בעיקר לשמש כזיכרון איחסון.
כל זכרון שמוגבל למחזורי כתיבה ימות אחרי חצי שעה של שימוש.
רק הדפדפנים מייצרים מיליוני קריאות וכתיבות…
לא הגיוני שזה מיועד גם לזכרון מערכת
מהכתבה (ובמיוחד מהכותרת) עולה שכן….