האם יתכן שבשנה הבאה נראה מוצרים מבית AMD בטכנולוגיית ייצור מתקדמת יותר מזו שאצל אינטל ו-NVIDIA? התוכניות של שותפת הייצור שלה אמורות להפוך את החזון הזה למציאות
המעבר המיוחל והמאוחר של חברת GlobalFoundries, שנולדה מתוך זרוע ייצור השבבים של AMD, לתהליך ייצור חדש ב-14 ננומטר ובהתבסס על טרנזיסטורים מסוג FinFET הייתה אחד מהדברים הטובים ביותר שקרו בעולם המעבדים לאחרונה – היא העניקה לנו תחרות מחודשת בין המפתחת האדומה לצמד המתחרות המרכזיות שלה, וסייעה ליצירת סטנדרטים חדשים של יחס עלות-תועלת בשוק.
בשל כך, לא קשה להבין מדוע אנחנו מתעניינים מאוד בתוכנית הגדולה של יצרנית השבבים שמקורה בקליפורניה ומקור השליטה בה הוא בנסיכות אבו-דאבי – מעבר לתהליך ייצור של 7 ננומטר בלבד (תוך כדי דילוג מעל תהליך מזעור אחד לגודל של כ-10 ננומטר לערך), שיוכל להכניס את השוק לסחרור ולמאבק מסחרי מרשים ומאסיבי אפילו יותר, לטובתם של הצרכנים שבקצב השרשרת.
חוק מור מתעורר מחדש
GlobalFoundries מכריזה עתה כי החלה בייצור שבבי בדיקה ראשונים בדור הראשון של ליטוגרפיית ה-7 ננומטר שלה – בדרך הנכונה לתחילת הייצור ההמוני המסחרי באמצע השנה הבאה, אשר יוכל להעניק לנו מוצרים ראשונים שמבוססים על התהליך, לכאורה, לפני סוף 2018.
מדובר בהבטחה שכדאי בהחלט לקחת בחשבון – משום שטכנולוגיה זו אמורה להעניק לנו שבבים שיהוו מחצית (!) מגודל של שבבי ה-14 ננומטר הנוכחיים של החברה עבור כמות זהה של מעגלים לוגיים, ויוכלו לספק מעל ל-60 אחוזי חסכון בצריכת ההספק עבור מוצר זהה באותו הגודל ובאותו תדר העבודה, או לחילופין שיפור של עד 40 אחוזים בביצועים בעבור אותו הגודל הפיזי ואותה צריכה ההספק. מהפכה נוספת – ממש כמו זו הנהדרת שאנחנו חווים במסגרת הקפיצה מתהליך ייצור של 28 ננומטר לתהליך הייצור ב-14 ננומטר.
Extreme UV בהופעת בכורה
החזון של GloFo עבור ליטוגרפיית ה-7 ננומטר לא מסתיים כאן – החברה מתכננת להשיק שלושה דורות של הטכנולוגיה, כאשר הראשון יבוסס על טכנולוגיית ה-Deep Ultra Violet שנמצאת בשימוש נרחב אצל כל יצרניות השבבים בעשור האחרון, עם מקור אור "פשוט" מאוד בעל אורך גל של 193 ננומטרים המשמש ליצירת נקודות המגע השונות של הטרנזיסטורים על גבי המצע הסיליקוני (בעזרת סט מדוייק להפליא של מסכות אשר מאפשרות ליצור אלמנטים בגודל של עשרות ננומטרים בודדים, על אף גודלה של הקרן המוקרנת במקור).
צמד דורות ההמשך, שיגיעו לייצור המוני בשנת 2019 ובשנת 2020 בהתאמה, יעברו סוף כל סוף לשימוש בטכנולוגיית ה-Extreme Ultra Violet המהפכנית, עם מקור אור בעל אורך גל של 13.5 ננומטרים בלבד, עבור חלק משכבות הייצור, ואחרי הרבה מאוד שנים שבהן אנחנו שומעים על כך שטכנולוגיה זו כמעט מוכנה להשתלט על העולם הטכנולוגי המרתק הזה. שימוש במקור ה-EUV יאפשר הקטנה משמעותית של מספר שלבי הייצור הנדרשים להפקת 'וייפר' בודד (מצע סיליקוני מלא עם כל השבבים שנוצרו עליו, בעל קוטר של 300 מילימטרים), ובכך יאפשרו לטכנולוגיה החדשה להפוך לזולה והמונית הרבה יותר.
שבבים גדולים לעולם המחשבים כבר בתחילת הדרך
הדור השני של ליטוגרפיית ה-7 ננומטר ישלב את ה-EUV לקבלת שבבים בתפוקה איכותית ומהירה יותר, ואילו הדור השלישי של ליטוגרפיית ה-7 ננומטר מיועד לשפר את יכולות הייצור ב-EUV ולספק הקטנה צנועה נוספת בגודל השבבים, יחד עם שיפור היעילות או שיפור הביצועים שלהם.
ב-GlobalFoundries מבהירים כי בניגוד לגישה של יצרניות שבבים גדולות אחרות, כל שלושת הדורות שישיקו בשלושת השנים הקרובות יהיו מיועדים ויתמכו ביצירת מגוון רחב של מוצרים, מהקטן ועד לגדול – ממעבד המובייל החסכוני והמתקדם ביותר ועד לשבבי השרתים ושבבי העיבוד הגראפי המפלצתיים, עד לשטח מירבי מטורף של 700 מילימטרים רבועים, שבו אנו נתקלים רק לעתים נדירות בעידן המודרני. אז האם זה אומר שנזכה לראות מעבדי Zen 2 של AMD, עם המון ליבות עיבוד וביצועים תחרותיים בהחלט, כבר בחג החנוכה בשנה הבאה? זה משהו שללא ספק יוכל לגרום הרבה כאבי ראש חדשים עבור אינטל.
יש לי רק מילה אחת להגיד: מרשים !
יש לי שתי מילים: תעלול שיווקי
^^^^
וואללה ?
הסבר / פרט / נמק ….
היום כל החברות עושות את המשחק הזה, המספר איבד משמעות.
ההשוואה של התהליך לתהליכים אחרים של finfet מגוחך, כי הם בעצמם 20nm תחת שם של 14nm.
אפשר להגיד שבשנה הבאה הם ידביקו את סמסונג וTSMC מבחינת יכולת הייצור הנוכחית.
אני ממליץ לעבור על נתונים כמו: Gate pitch, Logic cell height, fin pitch ..
רק דרך אלו ניתן לקבוע אם היה מזעור אמיתי ובכמה.
בפועל גם לאחר המעבר של GB ל10nm הם יהיו מאחורי TSMC, Samsung ו- Intel.
אני חושב שאתה חייב להחליף את הכינוי, ASKME ממש לא מתאים לצערי.
לגבי מה שהבחור כתב זה אכן נכון. מדובר בליטוגרפיה אך למעשה, אינטל נתקלת בקשיים בייצור בפועל של 10 ננומטר מזה כ 3 שנים כבר, יש להם עדיין ניסוי וטעייה.
זה שהמוצר מתוכנן בליטוגרפיה של 7 ננומטר והם למעשה מייצרים ב 20 ננומטר או 28 ננומטר זה בסה"כ תרגיל שיווקי.
מי שכתב את הכתבה כמובן שמבלבל מושגים ונותן אשליה כביכול, שמדובר על ייצור בפועל של שבבים ב 7 ננומטר.
חחח… הם עקפו את אינטל שיש לה קשיים והמובילה ביותר בעולם מזה כ 3 שנים (הם השקיעו עד כה למעלה מ 25 מיליארד דולר ב 10 ננומטר ועדיין יש בעיות) וסמסונג וכל השאר? ועוד מרשים לעצמם לדלג דור… בסה"כ טריק איכותי ויפה ומן הסתם שמדובר על הקטנת הליטוגרפיה אבל בפועל, זה לא ייצור של 7 ננומטר, יש הבדל עצום.
רק לשם השוואה, אינטל החלו בבדיקות של 10 ננומטר לפניי כ 5 שנים ולפניי רק כ 3.5-4 שנים שדרגו את המפעל באירלנד ל 10 ננומטר וכל הישראלים טסים לשם וטסו ללמוד וללמד…
בארץ? עדיין משדרגים את זוג המפעלים בקרית גת ורק בעוד חודשים לא קרובים, ניתן יהיה להתחיל בשלבים מתקדים בייצור של 10 ננומטר בפועל.
7nm – amazing! next 4nm and than quantum computing
המממ, תחמנים ?!
או קיי. שווה להיכנס לעובי הקורה.
תודה.
כמו תמיד, היחס עלות-תועלת ב-AMD טוב יותר מאשר באינטל
מה יקרה כשיגיעו ל0?
אי אפשר להגיע ל -0, בפועל יש מינימום עבור סיליקון והוא בערך חצי ננומטר (קוטר ואן דר ואלס)
אין דבר כזה אפס זה פשוט יהיה קטן יותר מנאנומטר זה יהיה מיקרומטר
אחרי ננומטר מגיע פיקומטר, מיקרומטר גדול פי 1000 מננומטר.
Ⓜ 🙂
Or Elgrabli מיקרו יותר גדול מנאנו… הדבר הבא יהיה פיקו..
Adam Brener
Demitri Sher Dmitry Sosinov
הנה עוד קצת מטעם החברה –
https://www.globalfoundries.com/sites/default/files/product-briefs/7lp-product-brief.pdf
השלב הבא זה 4 ננו אחרי זה 950 פיקומטר