שבבי ה-LPDDR5T החדשים של החברה מגיעים אל קצב פעולה של 9,600MT/s ומוסיפים 13 אחוזים אל השיא שנקבע רק לפני כמה חודשים
זכרונות LPDDR6 אמורים להביא אל השוק מהירויות פעולה אדירות של החל מ-12,800MT/s (כפול מהבסיס של LPDDR5) ועד 17,000MT/s, אך זה יקח עוד כמה שנים כשהצפי הוא לפרסום גרסה סופית של התקן בסוף השנה הבאה וייצור המוני של שבבים על פיו לאחר מכן. לשמחתנו, נראה כי טכנולוגיית ה-LPDDR5 אינה דורכת במקום וממשיכה להשתפר בקצב גבוה – כך שהפערים לעומת הדור הבא נראים לפתע קטנים יותר באופן משמעותי.
לפני כשנה זכינו להיכרות עם זכרונות ה-LPDDR5X המשופרים, במהירות פעולה של 8,500MT/s במקום 6,400MT/s עם לגלגול הראשון של התקן שהחל להופיע במוצרים ממשיים בתחילת 2020 – ועכשיו חברת SK Hynix מציגה קפיצה נהדרת נוספת קדימה עם זכרונות להם העניקה את הכינוי LPDDR5T, או LPDDR5 Turbo, במהירות פעולה של 9,600MT/s שמהווה שיפור של 13 אחוזים ביחס ל-LPDDR5X ושיפור של 50 אחוזים (!) ביחס ל-LPDDR5 סטנדרטי.
Hynix תייצר את השבבים החדשים בתהליך ייצור מתקדם המכונה 1anm, הדור הרביעי של טכנולוגיית 10 ננומטר במפעלי החברה, כאשר דוגמיות הועברו לשותפותיה כבר עתה ואילו ייצור מסחרי המוני עתיד להתחיל במחצית השנייה של 2023 – כך שלא נופתע אם שבבי הדגל של MediaTek ו-Qualcomm (ואולי גם סמסונג?) לשנה הבאה אשר יוצגו בשלהי השנה הנוכחית יתפארו בתמיכה בטכנולוגיה, באופן דומה בו דגמי הדגם הנוכחיים הושקו עם תמיכה ב-LPDDR5X בתור אחד מנקודות החוזק המרכזיות.
ב-Hynix סיפרו על שבבי דוגמית עם נפח של 16GB אשר מסוגלים לספק רוחב פס אפקטיבי של 77GBps עבור המכשירים שיעשו בהם שימוש, כאשר מדובר כאן על מערך של ארבעה ערוצי 16 ביט הנפוץ בשבבי מובייל בכירים – נתון שאינו רחוק ממה שניתן למצוא במערכות מחשבים נייחות עדכניות עם זכרון DDR5 במהירות 5,600MT/s שפועל בארבעה ערוצי 32 ביט. סמארטפונים עם אחסון UFS 4.0 ועם LPDDR5 יוכלו לתת פייט להרבה מערכות שולחניות בכל הנוגע לביצועי ארכיטקטורת הזכרון שלהם – תוך שימוש בשבריר מהאנרגיה ובשבריר משטח הפנים הנתון.
האם LPDDR5T יהווה את האבולוציה הסופית של הדור הנוכחי לפני כניסתו של LPDDR6 אל המשחק, או שבסמסונג ומיקרון מתכננים צעדי תגובה משלהן בימים אלה ממש? צפו לעוד עדכונים בהמשך השנה.
