כחלק מתוכניתה של סמסונג להשיק את מכשיר ה-Galaxy S6 במהלך חודש מרץ המתקרב, הצהירה החברה כי היא החלה את הייצור הרשמי של שבב ה-Exynos 7 בליטוגרפיה של 14 ננומטרים בלבד
סמסונג החלה רשמית בייצור המוני של שבב ה-Exynos 7. השבב, שעל פי החברה הינו "השבב למכשירים ניידים הראשון שמיוצר בליטוגרפיה של 14 ננומטרים בטכנולוגיית FinFET", אינו מצויין על פי דגם מסויים, אך אנחנו יכולים לשער כי שבב ה-Exynos 7420 (אותו השבב שאנחנו מצפים שיכלל במכשיר הגלקסי S6 העוצמתי) נכלל בהצהרה זו.
על פי סמסונג, המעבר לליטוגרפיה של 14 ננומטרים מ-20 ננומטרים (תהליך הייצור של שבב ה-Exynos 5 של החברה) מביא עימו שיפור משמעותי של עשרות אחוזים, כמו שיפור של 20 אחוז בביצועים הכללים של השבב וירידה של 35 אחוז בצריכת החשמל, שיפורים המסתכמים בכ-30 אחוז שיפור ביחס של ביצועים לצריכת חשמל. חשוב לציין כי שבב ה-Snapdragon 810, אולי המתחרה הגדול ביותר כיום לסדרת שבבי ה-Exynos 7, עדיין מיוצר בליטוגרפיה של 20 ננומטרים, מה שעלול להביא ליתרון משמעותי לפתרונה של סמסונג בנושא.
אך האם השבב החדש והנוצץ של סמסונג מספיק בכדי להדוף את מתחריו הגדולים ביותר בשוק? לאחר שראינו כי שבב ה-Snapdragon 810 של קואלקום מסוגל לתת מלחמה ואף לנצח את שבב ה-Exynos 7 (ספציפית דגם ה-7420) של החברה, איננו בטוחים שסמסונג מסוגלת להצהיר על עליונות בביצועים, לפחות לא ביכולות העיבוד של השבב.
