הדור הבא של שבבי האחסון מבית הענקית הקוריאנית נראה מרשים מאוד, עם נפח מירבי מרשים של 256 ג'יגה-בייט ומהירויות שמגיעות עד 850 מגה-בייט בשנייה
כשנה אחרי שהייתה היצרנית הראשונה להציע קפיצת מדרגה משמעותית ביכולות נפח האחסון המובנה של הסמארטפונים עם שבבי תקן ה-UFS 2.0 ששולבו ב-Galaxy S6, נראה שבסמסונג מרגישים בשלים לבצע קפיצה נוספת קדימה – עם הכרזה על זכרונות פנימיים ייעודיים לסמארטפונים בנפח ובמהירויות שיא.
השבבים החדשים מבית סמסונג מתבססים על ארכיטקטורת V-NAND תלת מימדית פנימית ועל תקן ה-UFS 2.0 עם צמד ערוצי תקשורת, לתמיכה בקצבים תיאורטיים מירביים של 1.2 ג'יגה-בייט בשנייה – מהיר יותר מפי 2 מכונני SSD המבוססים על תקן ה-SATA 3.0, וכל זה בשבב זעיר שנמצא בסמארטפון, כאמור.
הביצועים המיועדים לשבב ה-256 ג'יגה-בייט החדש עומדים על מהירויות קריאה וכתיבה רציפות של עד 850 מגה-בייט בשנייה ועד 260 מגה-בייט בשנייה בהתאמה, לצד ביצועים אקראיים של 45,000IOPS לקריאת בלוקים של 4 קילו-בייט, ו-40,000IOPS לכתיבה בלוקים של 4 קילו-בייט, שטובים פי 2 ויותר מאלו של שבבי ה-UFS 2.0 הזמינים בשוק כעת. כמעט SSD, כבר אמרנו?
ביצרנית הענקית יציעו את הטכנולוגיה העדכנית בשבבים בנפח מרשים מאוד של 256 ג'יגה-בייט, כאשר מסתמן כי שאר הנפחים הצנועים יותר אותם ראינו והכרנו עד כה ימשיכו להיות מיוצרים בפורמט הנוכחי שלהם, בהתבסס על ערוץ בודד בתקן ה-UFS 2.0.
ברשת יש כבר מי שמשוכנעים כי נפח האחסון החדש והזריז במיוחד יעשה את הופעת הבכורה שלו, בשילוב עם 6GB של זכרון RAM שמייצרת סמסונג, במכשירי ה-Galaxy Note הבאים במחצית השנייה של שנת שנת 2016 – כאשר יתכן והבחירה להסתפק בנפחי אחסון "ממוצעים" ל-Galaxy S7 החדש נועדה ליצור את ההפרדה המשמעותית יותר הזו בינו לבין הפאבלט הבכיר של החברה. בין אם זה המצב ובין אם לא – אנחנו שמחים מאוד לראות את נפח האחסון בסמארטפונים צומח ומשתדרג, בעידן בו המכשיר הקטן הזה מהווה תחליף מלא למחשבים נייחים וניידים עבור צרכנים רבים, והדרישה לביצועים ויכולות משופרות עולה ללא הרף כנגזרת.
