דיווח חדש מצהיר שגם בחברת TSMC מתקשים בייצור שבבים חדשניים בהיקף ראוי – ולא מן הנמנע שגם בסמסונג חווים בעיות דומות
רק אתמול דיווחנו לכם על תוכניותיה של יצרנית השבבים הטאיוואנית המרכזית TSMC להשקיע סכום כסף מטורפים בבניית מפעלים לייצור שבבי העתיד בעוד כחמש שנים ויותר מרגע זה, תוך הדגשה אודות הסיכון הפוטנציאלי הגדול שכרוך במהלך – והנה צץ לו הדיווח שמסייע להוכיח ולהבהיר את האתגרים איתם מתמודדות יצרניות השבבים השונות ברחבי העולם, כבר היום, בתהליך ייצור שעתידים להיחשב "פרימיטיביים" כמעט בתקופה בה נגיע לתהליכי ייצור של 5 ננומטר ו-3 ננומטר.
לפי אתר החדשות הפופולרי digitimes, ב-TSMC נתקלים כעת בבעיות בלתי מבוטלות בכל הנוגע לייצור המוני בתהליך חדשני של 10 ננומטר – כשתפוקת השבבים האיכותיים והתקינים היא נמוכה מהחזוי, ומעמידה בסכנה את היכולת לספק את ההיקפים שלהם התחייבה החברה מול לקוחותיה, שכוללים כיום את מפתחת השבבים Mediatek, את HiSilicon שמפתחת את השבבים עבור Huawei – ובעיקר את אפל, שהסתמכה על שירותיה של החברה עבור שבבי ה-Apple A10X וה-Apple A11, עבור מכשירי האייפד ומכשירי האייפון הבאים שלה, בהתאמה.
הבעיות של TSMC מזכירות מאוד את הבעיות אותן חווה חברת אינטל במהלך השנתיים האחרונות, במסגרת הנסיון שלה להביא לפיתוח ולייצור מסחרי הולם של שבבי 10 ננומטר, אשר הביא אותה לבצע דחיות ושינויים משמעותיים בלוחות הזמנים שלה, עם דור רביעי של שבבי 14 ננומטר שלכאורה מצפה לנו גם בשנת 2018, בהשוואה לסבבים של שנתיים או שנתיים וחצי בין טכנולוגיות ייצור שאותם הציעה חברת הענק בהצלחה בעבר.
ב-TSMC עצמה מיהרו להכחיש את הטענות ולהצהיר שהייצור פועל כסדרו וכמיועד, אך המוניטין החיובי של המקור גורם לנו להאמין שאין עשן בלי אש, וגם אם לא כל הפרטים הם מדוייקים עצם האתגר הבלתי צפוי במסגרת הייצור ההמוני אכן קיים.
חברה נוספת שחווה בעיות ואתגרים במעבר ל-10 ננומטר היא סמסונג, שותפת הייצור של TSMC אשר תהיה אחראית על הייצור של שבבי ה-Snapdragon 835 החדשניים מבית קוואלקום. לפי הדיווח, בקוואלקום תכננו להשיק גם שבבי ביניים חדשים מסדרת ה-Snapdragon 600 בהתבסס על תהליך ייצור של 10 ננומטר במהלך שנת 2017, אך חוסר הוודאות בנוגע להיקפי התפוקה של השבבים הביאו אותם לבצע שינוי תוכניות ולהעדיף את תהליך הייצור של הענקית הקוריאנית ב-14 ננומטר, שאמור להגיע לבשלות טובה מאוד במהלך השנה הקרובה אחרי כשנה וחצי שבה הוא זמין למוצרים מסחריים המוניים.
כל הבעיות האלו עלולות להביא לדחיה בהשקות של מוצרים חכמים מובילים חדשים, או לחילופין למצב בו ישנו מחסור בפועל במוצרים אלו בשל היקף ייצור שלא יכול לתמוך את היקף הדרישה – אבל בסופו של דבר ברור כי מוצרי 10 ננומטר ראשונים, הן מבית סמסונג והן מבית TSMC, יגיעו אלינו מתישהו במהלך המחצית הראשונה של שנת 2017, וכל שנותר לנו לעשות הוא לאחל שעיכובים כאלה, אם יתרחשו, יסייעו לנו לקבל מוצרים שיעמדו בציפיות הגבוהות לשיפור ביצועים ושיפור יעילות, ולא מוצרי "פשרה" שהגיעו לשוק לפני שהטכנולוגיה שלהם הפכה לבשלה באופן מלא.
עד לאחרונה AMD וNV היו בבעיה רצינית בגלל הבעיות שהיו לTSMC עם 20nm עד שהוא בוטל, סוף סוף 14nm נכנס חזק ועכשיו מתחילות הבעיות עם 10nm…
החברות חייבות להתחיל להבין שמרוץ המזעור נגמר ולהתחיל לחשוב אחרת, כניראה לגובה כמו עם NAND.
כל מי שמדבר על 3NM או 4NM לצערי הוא הזוי!
28NM והיום זה 10NM.
מה אתם חושבים שזה לא יגיע לנקודה שאי אפשר יותר?
אנחנו כבר יודעים שזה אפשרי אבל טכנולוגיות המיזעור שלנו פשוט לא יכולות להפיק כזה דבר ביצור המוני!
אבל אל תדאגו…. זה הכל ג'יבריש!
יש טכנולוגיה חדשה (ישנה משהו) שמחכה להחשף בשנת 2020 ובשנת 2021 זה כבר יחליף את כל מה שיש היום.
הסימן הראשון לסוף הדרך הנוכחית היה כשהתחילו עם FINFET.
ברגע שעושים FINFET וקוראים לזה טכנולוגיה חדשה….. זה אומר שהגיעו לסוף הדרך.
(אם אי אפשר למזער…. אז נכווץ. זה יתן לנו יותר מהירות בפחות כח……. אבל מה הלאה לכל הרוחות?!)
תפסיקי לקחת תרופות.
פבריקציה קשה שפה(תהליך), הוופר של ברגרקינג יותר טעים.