חברת Cadence מכריזה על פתרון הוורפיקציה הראשון של שבבי הזכרון הגראפי של הדור הבא ומספקת עוד כמה פרטים אודות שיטת העבודה שתאפשר לנו לזנק מ-24Gbps כיום ל-36Gbps ויותר
עם כל הכבוד לטכנולוגיית ה-HBM (ר"ת High Bandwidth Memory) שנחשב מזה מספר שנים בתור עתיד תחום הזכרונות הגראפיים עבור כרטיסי מסך – בפועל רובם המוחלט של הכרטיסים בשוק ממשיכים לתעדף את ה-GDDR כפתרון משתלם וגמיש יותר שמסוגל לספק כמעט את כל פוטנציאל הביצועים של ליבות העיבוד עבור מרבית השימושים.
גלגול הנוכחי ראינו את זכרונות ה-GDDR6X המודרניים חוצים רף סמלי של טרה-בייט בשנייה בכרטיסי מסך בשוק הביתי, אשר היה שמור בעבר רק עבור טכנולוגיית ה-HBM, כאשר בנוסף שמענו אודות פיתוח ה-GDDR6W של סמסונג שיוכל להזניק את הביצועים והנפחים צעד נוסף קדימה עם 22GT/s בתור מהירות הבסיס עבור כל פין בממשק הזכרון והכפלה של נפח השבבים היסודי. אם זה לא מספיק, כעת אנחנו מקבלים תזכורת על כך שגם דור ה-GDDR7 מתקדם בתהליכי התקינה והפיתוח שלו – בדרך לרוחב סרט אפקטיבי של 1.5 טרה-בייט בשנייה או יותר שיבטיח את המשך הרלוונטיות של טכנולוגיה זו לפחות עד סוף העשור.
חברת Cadence האמריקאית הכריזה על כלי פיתוח ראשונים מסוגם עבור דור ה-GDDR7 אף שטרם קיבל תקינה סופית רשמית בידי ארגון ה-JEDEC – ומאמתת במעמד זה חלק מהדיווחים המוקדמים אודות הטכנולוגיה שהופיעו ברשת לאחר ההכרזה הראשונית של סמסונג על הטכנולוגיה בסוף 2022.
הזכרונות הדינאמיים בדור ה-GDDR7 יציעו פתרון היברידי עם תמיכה בקידוד NRZ (ר"ת Non-Return to Zero) ובקידוד PAM (ר"ת Phase Amplitude Modulation) עם שלוש רמות לוגיות – זאת בזמן שזכרונות ה-GDDR6 הסטנדרטיים התבססו על קידוד NRZ בלבד עם צמד רמות לוגיות ואילו זכרונות ה-GDDR6X עברו לקידוד PAM-4 עם ארבע רמות לוגיות שהכפיל אמנם את נפח המידע הפוטנציאלי שניתן להעביר אך הציב אתגרים חדשים עם הצורך לשמור על רמות יחס אות לרעש טובות משמעותית שתרמו להתחממות ולהתייקרות השבבים. פתרון של שימוש ב-PAM-3 וב-NRZ מוצג בתור דרך המלך עם פוטנציאל להגדיל את נפח המידע ב-50 אחוזים ביחס ל-NRZ בלבד מבלי להביא לדרישה של רמות יחס אות לרעש שקשה לעמוד בהן – ועם היכולת לחזור אל קידוד NRZ חסכוני יותר כאשר לא נדרשים ביצועים מירביים ובכך להקל על העומס והתחממות הרכיבים.
נוסף על כך, שעון קריאה פנימי חדש (RCK – Read Clock) בזכרונות ה-GDDR7 ייצור מודים חדשים של פעולה עבור השבבים שיוכלו להעניק חסכון נוסף בצריכת האנרגיה ביחס למודים מוגבלים יותר של הפעלה ב-GDDR6, יכולת חדשה לשלוח שתי פעולות שונות במקביל עבור בלוקים שונים של זכרונות תשפר אף היא את יעילות מערך הזכרון וטכניקת LFSR (ר"ת Linear Feedback Shift Register) תאפשר לאסוף מידע במשך זמן רב אודות פעולה השבבים השונים ולהתאים את מתחי הפעולה שלהם באופן אינדיווידואלי ואופטימלי.
קשה לנו לדעת כמה יתרמו כל אחת מהטכנולוגיות החדשות האלו לשיפור הכולל של ה-GDDR7 לעומת הזכרונות המוכרים לנו כיום – אך עם ההבטחה של סמסונג לקצב תעבורת מידע של 36GT/s (או 36Gbps) בכל פין, לעומת 24GT/s בכל פין בזכרונות ה-GDDR6X המתקדמים ביותר שנמצאים בייצור המוני כיום, אין ספק שיש כאן שאיפות גדולות עבור הצדדים המעורבים. על אחת כמה וכמה אם לוקחים בחשבון כי תקינת JEDEC ההתחלתית עבור GDDR6 הגדירה תעבורת מידע של עד 16GT/s לכל פין, כך שנקודת המוצא ב-GDDR7 היא לא 150 אחוזים מהביצועים אלא 225 אחוזים מהביצועים למעשה (עם פוטנציאל להמשך הצמיחה ככל שטכנולוגיות הייצור המתאימות יבשילו, כמו בכל דור).
האם נראה את זכרונות ה-GDDR7 כובשים את השוק במסגרת דור כרטיסי המסך הבא של NVIDIA ו-AMD, אשר עשוי להגיע בסוף שנת 2024 או אולי בתחילת 2025? נמשיך לעקוב מקרוב ולספק לכם עדכונים בעניין.
