חברת השבבים הקוראנית סמסונג, הכריזה השבוע על ייצור אבטיפוס עובד של זכרון DDR3 DRAM (ר"ת של double data rate 3 dynamic random access memory). רכיב ה-512Mb DDR3 DRAM, אשר יכול לעבד מידע בקצב של 1,066Mbps, אמור להיות זמין כבר בתחילת שנת 2006.
הזכרון החדש דורש מתח של 1.5V ולטענת החברה מאפשר מהירויות גבוהות פי שתיים משל זכרון DDR2 ופי ארבעה משל זכרון DDR רגיל. הזכרון אמור להיות מיוצר בטכנולוגיה מתקדמת של 80 ננו מטר.
סמסונג הייתה החברה הראשונה בעולם להציג זכרון DDR DRAM בשנת 1998 וגם הראשונה להציג זכרון DDR2 DRAM בשנת 2001. תהליך אישור תקן ה-DDR3 עדיין לא הושלם (התקן הוא אוסף הכללים אשר קובע מה הוא זיכרון סטנדרטי וכך יכולות כמה חברות לייצר מוצרים לאותו סוג תקן) ועל פי הכרזת סמסונג היא מתכוונת להמשיך וליטול בו חלק מרכזי. פיתוח ה-DDR3 של החברה משאיר אותנו מבולבלים מעט, לאחר שהחברה הודיע לפני כחודש על כך שהיא דווקא מתכוונת לשווק את הפיתוח היחודי שלה, ה-XDR DRAM בתור זיכרון העתיד. בכל מקרה, על פי התוכניות של סמסונג, היא תפתח בעתיד רכיבי DRAM בתקן DDR2, XDR ועכשיו גם DDR3
