כאמור, מבחינתה של NVIDA השינוי המהותי ביותר שמביאה עימה הליבה המחודשת הינו הקטנת תהליך הייצור ל-55 ננו-מטר, שכן ליבת ה-GT200 המקורית יוצרה בתהליך ייצור של 65 ננו-מטר. הקטנת תהליך הייצור הופכת למעשה את הליבה לקרירה יותר ולבעלת צריכת הספק נמוכה יותר, כמו גם לכזו המסוגלת לעבוד בתדרי שעון גבוהים יותר ללא צורך בתוספת מתח. ואכן, תדרי השעון של ה-GTX 275 גבוהים יותר בהשוואה לתדרים של הכרטיסים הקודמים, ועומדים על 633MHz לתדר הליבה, 1134MHz לתדר הזיכרון ו-1404MHz למעבדי הזרימה.
מעבר לכך, הכרטיס החדש, מבחינת שאר מאפייניו, הינו למעשה יציר כלאיים של ה-GTX 280 ושל ה-GTX 260, שכן מבחינת כמות מעבדי הזרימה הכרטיס דומה ל-GTX 280, ומספרם עומד על 240 מעבדים, אולם מבחינת כמות הזיכרון וממשק הזיכרון, הכרטיס דומה דווקא ל-GTX 260, והמספרים הם 896MB לנפח הזיכרון (בניגוד ל-1024MB ב-GTX 280) וממשק זיכרון של 448Bit.
להלן טבלה המרכזת את הנתונים הטכניים העיקריים של ה-GTX 275 בהשוואה ל-GTX 280 ול-GTX 260:
GTX 275 | GTX 280 | GTX 260 | |
תהליך ייצור | 55 ננו-מטר | 65 ננו-מטר | 65 ננו-מטר |
מעבדי זרימה | 240 | 240 | 192 |
תדר ליבה (MHz) | 633 | 602 | 576 |
תדר זיכרון (MHz) | 1134 | 1107 | 999 |
תדר מעבדי זרימה (MHz) | 1404 | 1296 | 1242 |
ממשק זיכרון (Bit) | 7×64 | 8×64 | 7×64 |
נפח זיכרון (MB) | 896 | 1024 | 896 |
כפי שציינו בהקדמה, בניגוד לכרטיס של NVIDIA, הכרטיס החדש של AMD-ATI נשאר עם אותו תהליך ייצור. אולם שיפור התכנון המקורי של הליבה אפשר למהנדסי החברה למקם עוד 3 מיליון טרנזיסטורים בתוך הליבה מחד, ומאידך לשווק את הכרטיס עם תדר ליבה של-850MHz, כ-100MHz יותר בהשוואה לליבה המקורית. נציין בזאת כי יצרניות מסוימות משווקות את הכרטיס גם עם תדר ליבה של 1GHz – וזהו ללא ספק הישג מדהים מצדה של החברה. גם הזיכרון לא טמן ידו בצלחת, והוא מתהדר בתדר אפקטיבי של 3900MHz – כ-300MHz יותר בהשוואה לכרטיס הקודם.
כמו כן, AMD-ATI מציינת כי צריכת ההספק של הכרטיס החדש, על אף היותו בעל פוטנציאל לצריכת הספק גבוהה באופן משמעותי (הודות לתדרים הגבוהים והתוספת בכמות הטרנזיסטורים), לא תהיה גבוהה כפי שהיינו מצפים ממנה, ואנו ננסה לאמת עובדה זו בהמשך הביקורת.
להלן טבלה המרכזת את הנתונים הטכניים העיקריים של ה-HD 4890 בהשוואה ל-HD 4870:
HD 4890 | HD 4870 | |
תהליך ייצור | 55 ננו-מטר | 55 ננו-מטר |
מעבדי זרימה | 800 | 800 |
תדר ליבה (MHz) | 850 | 750 |
תדר זיכרון (MHz) | 975 | 900 |
קצב עיבוד (TFlops) | 1.36 | 1.2 |
ממשק זיכרון (Bit) | 256 | 256 |
נפח זיכרון (MB) | 1024 | 512 / 1024 |