IBM חושפת פרטים על פריצת דרך בכל הנוגע לשיטת היצור של שבבים תלת ממדים. החברה טוענת כי השיטה החדשה תשבור את חוק מור, שקובע כי מספר הטרנזיסטורים במעגלים משולבים יוכפל מדי 18 חודשים, בצורה שתחצה את כל הגבולות המקובלים כיום.
IBM היא לא החברה הראשונה או היחידה שעוסקת ביצור ופיתוח שבבים אלה, חברות כגון: סמסונג, NEC, Elpida ו-Oki מפתחות ומייצרות כבר די המון זמן שבבים תלת מימדיים. השוני בשיטת היצור של שבבים אלה הוא שבמקום הרכבת הרכיבים זה לצד זה על גבי פיסת סיליקון, הם ממוקמים אחד על השני, מה שבסופו של דבר יוצר מעיין מגדל של רכיבים. שיטה זו מאפשרת חיסכון של מקום, הגברת מהירות התקשורת והגברת ייעילות העברת המידע בין הרכיבים השונים.
![]() |
פיסת סיליקון המוכנה להדבקה על פיסה אחרת לייצירת מערך שבבים תלת מימדי |
פריצת הדרך של IBM נעוצה בכך שבמקום השימוש בחוטי מתכת ארוכים שעוברים ומחברים בין פיסות הסיליקון ובסופו של דבר הרכיבים השונים, היא פיתחה שיטה שנקראת Through-Silicon Vias. במקום חוטי המתכת ישנם חורים שעוברים בצורה אנכית דרך כל פיסות הסיליקון הממולאים במתכת ומאפשרים העברת מידע דרכם. השיטה החדשה מאפשרת שימוש ביותר שכבות של סיליקון, מה שאומר יותר רכיבים בפחות שטח ויכולת העברת מידע גדולה ומהירה יותר. הטכנולוגיה החדשה מקצרת את המרחק שהנתונים צריכים לעבור בצורה משמעותית ומאפשרת הוספת ערוצי תקשורת נוספים, שעוזרים להעביר את המידע במקביל.
המוצר הראשון שהטכנולוגיה החדשה צפויה להימצא בו הוא שבבי התקשורת האלחוטית שישולבו במערכות שונות כולל מחשבים מתוצרת IBM. החברה ציינה כי ישנם כבר שבבים שמיוצרים ופועלים בטכנולוגיה זו במפעליה והיא תתחיל לייצר דוגמאות כבר בחצי השני של שנת 2007, כאשר צפויה זמינות מלאה של שבבים אלה לשוק כבר בתחילת שנת 2008.
בנוסף לפריצת הדרך בתחום שבבי התלת מימד, הודיעה IBM על הסכם לשיתוף פעולה טכנולוגי עם חברת פריסקייל. שיתוף הפעולה בין השתיים יתמקד בעיקר במחקר ופיתוח טכנולוגיות של מוליכים למחצה העשויים מתחמוצת מטאלית (ר"ת CMOS – Complementary Metal Oxide Semiconductor) וסיליקון מבודד (ר"ת SOI – Silicon On Isulator). המטרה בהסכם השיתוף היא לקדם את הטכנולוגיות הללו אל עבר דור ה- 45 ננומטר.