הבדיקות
הזכרונות נבדקו על המערכת הבאה:
– AMD AthlonXP 1700+
– MSI K7N2 Delta ILSR
– Radeon 9200
– Western Digital 40Gb
– Enermax 365P-VE
Samsung:
הזכרון עבר בדיקות של MEMTEST עד לבאס של 226MHz בתזמונים של CAS3-8-4-4, כמו שאמרתי לפי הספר של אינטל.
לא היה צורך הרבה מתח ,מספיק לתת 2.7v והוא עובד יופי; למעשה, אני אפילו ממליץ לתת לו קבוע 2.7v – זה הוכיח את עצמו בכל הבדיקות כדבר מועיל.
בנוסף, על פי סמסונג מתח ההזנה של הזכרונות הוא 2.5v עד 2.7v, כך שאין חריגה מהוראות היצרן לגבי עבודה תקינה של הרכיב.
יש לציין שעל הלוח של אפוקס (8RDA3+) הזכרון עבד רק עד לבאס של 225MHz.
לאחר שכתבתי לכם בקצרה, אספר הכל בפרטי בפרטים :
בבאסים נמוכים (לכל המודאגים וחולי CAS נמוך) הזכרון מזוהה כ CAS2-2-2-5, כלומר בבאס 133MHzעד לאזור ה 155MHz ניתן לעבוד ככה יופי .
לאחר מכן, עד ל 169MHz-170MHz הזכרון מזוהה כ CAS2-6-3-3 וגם מתפקד יופי.
מעל לנקודה זו ועד לבאס של 199MHz הזכרון מזוהה כ CAS2.5-7-3-3, ומעבר לזה חוזרים להגדרת היצרן (באילוצי התקן) של CAS3.
TwinMOS:
הזכרון עבר בדיקות MEMTEST עד לבאס של 223MHz בתזמונים CAS2.5-7-4-4 (הזכרון לא מתפקד ב CAS3) ובמתח 2.8v ועל מתח 2.7v מתפקד יופי עד ל 220MHz ללא בעיות, בתזמונים CAS2.5-8-4-4.
גם במקרה הזה לאחר סקירה קצרה נגולל בפניכם את הסיפור המלא של הבדיקות:
מבאס של 133MHz ועד ל 166MHz הזכרון מזוהה כ CAS2.5-3-3-6 ומעל באס של 166MHz מזוהה כ CAS2.5-8-4-4.
מבחינת מתחים גם פה לא הייתה בעיה והזכרון מתפקד יופי על 2.5v וניתן לתת לו בבטחון יחסי עד ל 2.7v, בדומה מאוד למתחרהו מבית Samsung.
אז לכאורה אתם אומרים יופי הסמסונג הגיע רחוק יותר כי הוא בתזמונים גבוהים יותר אבל (!) הרי אני מחדש לכם, התוצאות של הבדיקה מראות פחות משלושה אחוזי הפרש וכמו שכבר אמרתי, Samsung עקבו מילה במילה אחר מה שאינטל הכתיבו להם.