סמסונג מציגה התקדמות משמעותית בנפח שבבי זיכרון ומפתחת שבב בנפח של 4 ג'יגה-ביט ובתהליך יצור של 50 ננומטר.
בחודש ספטמבר אשתקד סמסונג הכריזה לראשונה בעולם על פיתוח שבב זיכרון דינאמי (DRAM) מסוג DDR3 בנפח של 2 ג'יגה-ביט ובתהליך ייצור (ליתוגרפיה) של 50 ננומטר. עכשיו, חמישה חודשים לאחר מכן ועם אותו תהליך ייצור החברה מציגה שבבים בנפח 4 ג'יגה-ביט. סמסונג מיישמת את תהליך היצור גם בשבבים נוספים בנפחים של 2 ג'יגה-ביט ו-1 ג'יגה-ביט.
את השבב החדש ניתן ליישם במגוון סוגי הזיכרונות: בזיכרונות מסוג RDIMM (ר"ת Registered DIMM) בנפח של 16 ג'יגה-בייט לשרתים, בזיכרונות מסוג UDIMM (ר"ת Unbuffered DIMM) בנפח של 8 ג'יגה-בייט למחשבים אישיים ולתחנות עבודה, וגם זיכרונות בנפח של 8 ג'יגה-בייט במחשבים ניידים בהם קיים זיכרון מסוג SODIMM (ר"ת Small-Outline DIMM). הזיכרון החדש תוכנן להיות חסכוני בחשמל והוא פועל במתח של 1.35 וולט, שהם 20 אחוזים מתחת לסטנדרט של 1.5 וולט בזיכרונות DDR3. בשביל הדור החדש של השרתים הידידותיים לסביבה, הזיכרון לא אמור לחסוך רק בחשבון החשמל אלא גם לחסוך עמלות תחזוקה ותיקונים שמעורבים בספקי כוח ואמצעי קירור.
שבבי הזכרון החדשים |
סמסונג לא אומרת מתי הזיכרונות החדשים יהיו זמינים לקהל הרחב, אבל אל תצפו לשבבי 4 ג'יגה-ביט בקרוב בשוק המיינסטרים. על פי חברת IDC, המבצעת מחקרי שוק בתחום המחשוב, שבבי זיכרון DDR3 בנפח 2 ג'יגה-ביט ומעלה מהווים רק 3 אחוזים משוק זיכרונות ה-DRAM ועד 2011 הם יהוו כ-33 אחוזים.