סמסונג קוראת תיגר על גבולות נפח זיכרון הפלאש

 

האתגר העיקרי בייצור זכרון פלאש בקיבולת גדולה הוא שככל שהצפיפות עולה כך עולים הסיכויים להפרעות. כרגע בסמסונג הצליחו להתגבר על מגבלה זו והחלו בייצור המוני של זיכרון תלת מימדי ראשון מסוגו בשם V-NAND, זיכרון NAND אנכי אם תרצו.

 

במקום למקם תאי זיכרון במישור דו-מימדי רגיל שבו התאים מונחים זה לצד זה, פיתחה סמסונג טכנולוגית ייצור חדשה אשר בונה את הזכרונות במבנה תלת מימדי כך שהתאים מונחים זה מעל זה. התוצאה היא שעל שטח קטן יותר ניתן לספק כמות גדולה בהרבה של זיכרון.

 

זיכרון מסוג V–NAND יאפשר להגדיל את נפח האכסון של מכשירים כמו סמארטפונים וטאבלטים לנפחים בסדר גודל של 128 גיגה-בייט עד 1 טרה-בייט. למעשה, כמעט מבטל לגמרי את הצורך בחריץ ההרחבה.

בסמסונג טוענים כי הטכנולוגיה החדשה שפיתחה אמינה פי שתיים ואפילו יותר, כמו כן פי שתיים יותר מהירה בכתיבת נתונים מהטכנולגיה העכשווית. בנוסף נאמר כי הושקעו בזיכרון ה-V–NAND כ-10 שנות מחקר ונרשמו כ-300 פטנטים.