לפעמים, כל מה שצריך זה דחיפה קטנה בכיוון הנכון: ימים ספורים אחרי שבטושיבה-סאנדיסק חשפו כי יחלו בקרוב בייצור סדרתי של שבבי NAND תלת מימדיים בנפח מרשים של 256 ג'יגה-ביט, בסמסונג (מוביל השוק והיחידה שמייצרת שבבי תלת מימד באופן סדרתי, כבר קרוב לשנתיים) יצאו בהכרזת מחץ נגדית והודיעו כי הם כבר החלו הלכה למעשה בייצור המוני של שבבי V-NAND תלת מימדיים בנפח זהה.
השבבים החדשים של סמסונג מבוססים על מבנה בן 48 שכבות של טרנזיסטורים בטכנולוגיית ה-TLC – מאפיינים שזהים לאלו של טושיבה-סאנדיסק (אם כי הדרך לשם קצת שונה אצל כל אחת), ומהווים הכפלה מעשית של נפחי השבבים התלת מימדיים והמישוריים שהיו זמינים עד כה, 128 ג'יגה-ביט בהתבסס על מבנה בן 32 שכבות. בסמסונג גם טוענים כי שבבי התלת מימד החדשים מציעים חסכון של עד ל-50 אחוז בצריכת ההספק לעומת שבבי ה-V-NAND הנוכחיים שלהם, והם גם זולים יותר לייצור באופן טבעי (בשל החסכון בסיליקון בדרך לאותו נפח אחסון כולל).
מוצרים ראשונים שיבוססו על הדור השלישי והחדש הזה של טכנולוגיית ה-V-NAND יופיעו ככל הנראה רק בתחילת שנת 2016, אך כשזה יקרה אנחנו עתידים לראות כונני SSD בנפחי 2 טרה-בייט הופכים לסטנדרט חדש בקטגוריית ה-2.5 אינץ', ובמקביל נפחים של טרה-בייט אחד בתור אפשרות עבור כונני ה-M.2 המיועדים למערכות קומפקטיות יותר. נותר רק לקוות שלא רק הצמיחה בנפחים, אלא גם הקיצוץ במחיר, יגיעו אל הלקוחות שבקצה השרשרת.
קישורים נוספים
- מקור לידיעה
- טושיבה וסאנדיסק מציגות שבבי NAND תלת מימדיים של 256 גיגה-ביט
- תלת מימד להמונים: גם טושיבה וסאנדיסק מכינות שבבים חדשניים לכונני ה-SSD שלכם
- אינטל ומיקרון מנחיתות פצצה: טכנולוגיית זכרון חדשה שתוכל לחסל את ה-NAND וה-DRAM
- טכנולוגיית ה-3D Xpoint של אינטל ומיקרון היא מהפכת החומרה לה חיכינו?
- הטכנולוגיה של אינטל ומיקרון תביא לנו כונני SSD בנפח של עד 10 טרה-בייט